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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

  • 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

  • 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢

  • 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊，與此同時(shí)，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車的發(fā)展，并...
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恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時(shí)的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求)，同時(shí)具有極低PPM 水平。
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案

  • 功率場效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
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MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

  • 摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

  • 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個(gè)數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達(dá)70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設(shè)計(jì)。
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功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn)，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會(huì)越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
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飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

  • 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
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飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊

  • 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
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恩智浦推出可實(shí)現(xiàn)高功率LED設(shè)計(jì)靈活性的GreenChip

  • 　　新型純控制器降壓LED驅(qū)動(dòng)器成本優(yōu)勢明顯、效率傲視群雄 　　中國上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率非調(diào)光型LED照明應(yīng)用。SSL2109 LED驅(qū)動(dòng)器IC與外部功率開關(guān)一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設(shè)計(jì)平臺(tái)。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
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碳化硅 mosfet介紹

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