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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35m?，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
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飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出一款智能高側(cè)開關(guān)系列

  • 在現(xiàn)今的汽車應(yīng)用中，設(shè)計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負(fù)載，這類應(yīng)用包括：白熾燈、電機(jī)控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設(shè)計人員不得不依賴分立式或機(jī)電式解決方案，或是受制于市場上數(shù)量有限的解決方案。
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Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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智能MOSFET驅(qū)動器提升電源性能的設(shè)計方案

  • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和...
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IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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電源設(shè)計小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分
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一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
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飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

  • 英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

  • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
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Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

  • 引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
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飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

  • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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碳化硅 mosfet介紹

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