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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

可編程大電流熱插拔控制

  • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會中斷原電路板正在進行的工作狀態(tài)，并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時，保護MOSFET器件。
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MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

  • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復式整流電...
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電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、...
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2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導體市場將達30億美元

  • 　　據(jù)市場研究機構(gòu)IMS Research的最新報告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導體市場預計將超過30億美元。 　　報告認為，隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場快速增長，這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場，到2016年，大功率LED出貨量將達190億個，總值超過30億美元。 　　LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇，到2016年將可帶動20億美元的功率半導體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

  • 1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
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Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項與設(shè)計要點

  • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導通電阻，因此在通信電源，服務(wù)器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
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[組圖]800瓦MOSFET功放

  • 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
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Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
  • 關(guān)鍵字： 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  

智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競爭激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
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羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

  • 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  μPA2812T1L  

飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗

  • 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關(guān)解決方案的需求
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    
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碳化硅 mosfet介紹

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