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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

安森美用于辦公自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方案

  • 電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個(gè)領(lǐng)域，如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠?、照相機(jī)、ATM機(jī)、電動(dòng)縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動(dòng)化等。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  電機(jī)驅(qū)動(dòng)  步進(jìn)電機(jī)  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

Vishay 聯(lián)袂中國電源學(xué)會(huì)舉辦電源專題研討會(huì)

  • 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將與中國電源學(xué)會(huì)合作于10月16日舉辦電源專題研討會(huì)，該研討會(huì)內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會(huì)將在中國武漢的長江大酒店召開。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

在ZVS拓?fù)渲羞x擇最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間

  • 摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫褂脮r(shí)的死區(qū)時(shí)間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，甚至使那些過時(shí)的設(shè)計(jì)方案也能達(dá)到更好的性能。
  • 關(guān)鍵字： ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  柵極  201311  

麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時(shí)鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負(fù)載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓范圍(5.5V至16V)等特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 麥瑞  MOSFET  MIC4604  

功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 功率穩(wěn)壓逆變電源  MOSFET  TL494  電壓型電流源  

通過集成式解決方案進(jìn)一步簡化PFC電路的設(shè)計(jì)

  • 開關(guān)電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率、高轉(zhuǎn)換效率以及體積小巧等優(yōu)勢，如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi)，開關(guān)電源包括大批量不同功率的應(yīng)用，例如LED/LCD電視機(jī)、LED照明、PC以及其他IT設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： PFC  LED  HiperPFS  MOSFET  CCM  

創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計(jì)

  • 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
  • 關(guān)鍵字： 電源設(shè)計(jì)  MOSFET  

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號(hào)： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計(jì)和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計(jì)–進(jìn)一步強(qiáng)化，引入傳動(dòng)系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  IGBT  整流器  

以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用中工作

  • 摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度，同時(shí)使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細(xì)分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實(shí)現(xiàn)這一性能的。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  Power  POL  MOSFET  晶圓  

影響MOSFET性能的一些因素

  • 在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進(jìn)。盡管四十多年來我們對(duì)這種器件有了很多了...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  DC-DC  FastIRFET  

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

  • 1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場...
  • 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管  MOSFET  

分立器件 一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

LTC4366高壓浪涌抑制器實(shí)例應(yīng)用講解（獨(dú)家）

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： LTC4366  浪涌抑制器  MOSFET  

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

  • 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  
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碳化硅 mosfet介紹

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