首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

  • OP97運放輸出量程為±3.3V的電壓,需加一級V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過設(shè)置固定的5個碼值:FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過8個小時測試,其分辨率和精度均能達到15...
  • 關(guān)鍵字: OP97A  V  I轉(zhuǎn)換電路  

大陸存儲器需求進展超預(yù)期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

  •   日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大,帶動價格上揚,2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠,表現(xiàn)亮眼。   東芝財務(wù)長平田政善在11日東芝財報記者會上說明,由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切,東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。   平田表示,在當(dāng)今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn),競爭激烈的情況下,大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當(dāng)初預(yù)期更早進入64GB、128GB階段,是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查,目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲器約3美元,價格
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

  •   據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo),傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證,最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片,3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。   業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外,其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技術(shù)瓶頸,SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  NAND   

由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

中國半導(dǎo)體市場暢旺 東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估

  •   根據(jù)彭博社的報導(dǎo),受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營收成長,加上撙節(jié)計畫的奏效,日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營業(yè)利益上調(diào) 36%,來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 ),似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。   根據(jù)報導(dǎo),東芝在聲明中表示,除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營業(yè)利益之外,還同時微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營收,從 2.55 兆日圓上調(diào)至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

技術(shù)革新日新月異:3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  • 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快,新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比,預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距,兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點,高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費者的優(yōu)先選擇。
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  

技術(shù)革新日新月異:3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  •   慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計保駕護航   以相同的成本,卻能達到倍增的容量,各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強力投入,預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快,新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比,預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距,兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點,高速大容
  • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

  • H.264等視頻壓縮算法在視頻會議中是核心的視頻處理算法,它要求在規(guī)定的短時間內(nèi),編解碼大量的視頻數(shù)據(jù),目前主要都是在DSP上運行。未來在添加4k*2k、H.265編解碼等功能,并要求控制一定成本的情況下,面臨DSP性能瓶
  • 關(guān)鍵字: altera  Cyclone V SoC  FPGA  DSP  

基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

  • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大,氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機場配備了風(fēng)廓線雷達,能夠為航空飛行提供機場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?;诒U巷L(fēng)廓線雷達正常運行的目的,通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法,結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗,實現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能,平均故障修復(fù)時間提高了95%。
  • 關(guān)鍵字: 故障轉(zhuǎn)移集群  Hyper-V  風(fēng)廓線雷達  平均故障修復(fù)時間  

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設(shè)計

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計思想。
  • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

  • 如果說無人駕駛離消費者還很遙遠,那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道,奧迪將在其2017款的Q7和A4
  • 關(guān)鍵字: 奧迪  V-to-V  V-to-I   

關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒

  •   隨著近段時間以來,固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設(shè)備的大幅度一致性漲價,影響著存儲設(shè)備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒,開始浮出水面,被越來越多的業(yè)內(nèi)人士,反復(fù)解讀。   那么,在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設(shè)備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面,我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。   閃存顆粒的釋義及廠商   閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù),而且是以固定的區(qū)塊為單
  • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展,對存儲設(shè)備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
  • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧

  •   摘要:由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。   2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項目預(yù)
  • 關(guān)鍵字: SSD  3D NAND  

如何將“壞塊”進行有效利用

  •   被廣泛應(yīng)用于手機、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應(yīng)用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當(dāng)編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
  • 關(guān)鍵字: Nand Flash  寄存器  
共1471條 44/99 |‹ « 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 » ›|

第九代 v-nand介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473