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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

機器學(xué)習(xí)或能為延長NAND壽命提供解決方案

  • 　　NAND在今日儲存市場中占有一席之地，而為了延長NAND的使用壽命，近來有研究提出，透過機器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用，可讓NAND的儲存容量、耐久性以及資料保存達到最佳化。 　　InformationWeek網(wǎng)站報導(dǎo)，近期數(shù)位資料儲存顧問機構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出，NAND因重覆讀寫而使儲存單元劣化、致使耐用度降低的情況，將可望因機器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善，使其生命周期延長。 　　一般來說
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中國NAND閃存市場占全球1/3

  • 　　相對于舊式 HDD 硬盤的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風(fēng)向。不論是在移動設(shè)備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場，而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此，也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。 　　在NAND 閃存的市場部分，根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示，中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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3D NAND風(fēng)暴來襲，中國存儲器廠商如何接招?

  • 中國正在下大力度推進存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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儲存技術(shù)不斷演進　NAND Flash僅是開端

  • 　　在進展緩慢的儲存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導(dǎo)，NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置，后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始大受歡迎。 　　由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設(shè)先進光掩模生產(chǎn)線項目

  • 　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。 　　
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美光科技推出適用于下一代智能手機的移動 3D NAND 解決方案

  • 　　美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動設(shè)備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場，這一細分市場大約占據(jù)全球智能手機總量的 50%[1]。隨著移動設(shè)備替代個人電腦成為消費者的主要計算設(shè)備，用戶行為對設(shè)備的移動內(nèi)存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題，實現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的
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鎂光：3D閃存芯片能讓手機擁有更多內(nèi)存容量

  • 　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。 　　   　　鎂光認為智能手機對內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑

  • 中中國下決心做存儲器芯片，是個特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過一段時間的實踐，有一定進展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。
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面對大陸攻勢　三星海力士強化3D NAND投資

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強化投資。 　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

  • 　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車失敗：三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

  • 　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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半導(dǎo)體行業(yè)掀起并購潮 背后的推動力是什么？

  • 我們獲取和存儲數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉(zhuǎn)變，這是近年來半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)并購潮的原因所在。
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進半導(dǎo)體制造化學(xué)機械研磨液(CMP)平臺

  • 　　陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導(dǎo)體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導(dǎo)體裝置。 　　全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅(qū)動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進電子裝置的性能需求。 　　「生產(chǎn)先進半導(dǎo)體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)

  • 　　經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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第九代 v-nand介紹

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