第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn)？

　　摘要：關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!　　近日某電子科技有限公司的客戶郵件反饋：使用我們的SmartPRO 6000F-Plus燒錄MICRON廠家的TSOP48封裝的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比較高，甚至達(dá)到了10%的燒錄不良率，而燒錄SAMSUNG廠家
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因應(yīng)中國(guó)市場(chǎng)需求　Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國(guó)的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國(guó)大連廠，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達(dá)55億美元，預(yù)計(jì)于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù)，2015年整體中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達(dá)66.7億美元，占全球產(chǎn)值29.1%，明年更可望達(dá)到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一，成長(zhǎng)幅度十分驚人。　　DRAMeXchan
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英特爾大連廠變道：一座明星廠的尷尬自救

從一個(gè)經(jīng)典明星案例到現(xiàn)在這種尷尬的路徑，這是中美兩國(guó)科技、全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)、產(chǎn)業(yè)變遷、英特爾戰(zhàn)略共同博弈下的一種結(jié)果。
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速成長(zhǎng)期晶圓代工業(yè)者卡位戰(zhàn)開(kāi)打

半導(dǎo)體被列入重點(diǎn)培植產(chǎn)業(yè)，政府計(jì)劃性的補(bǔ)貼下，全球市占率的日益攀升，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力快速成長(zhǎng)，直接威脅了臺(tái)灣、歐美廠商，全球主要晶圓代工業(yè)者已陸續(xù)在中國(guó)進(jìn)行卡位戰(zhàn)。
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研調(diào)：陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國(guó)大陸內(nèi)需市場(chǎng)胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機(jī)的出貨需求持續(xù)攀升，預(yù)估今(2015)年中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達(dá)120億與66.7億美元，分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，從DRAM需求觀察，近年來(lái)中國(guó)品牌不論在個(gè)人電腦或是智慧型手機(jī)領(lǐng)域出貨量不斷增長(zhǎng)。其中，聯(lián)想(0992.HK)在個(gè)人電腦市場(chǎng)與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩(wěn)居
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性

　　全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，并利用商用級(jí)SLC NAND閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過(guò)為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性內(nèi)存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。　　賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào)，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。　　　　由圖1可見(jiàn)，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號(hào)與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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今年推兩款存儲(chǔ)芯片美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)

　　《巴倫周刊》(Barron’s)報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來(lái)遭遇股價(jià)蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問(wèn)世的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機(jī)應(yīng)用程式市場(chǎng)和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域，料將大幅提升美光利潤(rùn)率。　　兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年?duì)I收與凈利，而后者料自2018年起占美光營(yíng)收比明顯擴(kuò)大。　　有看多美光者預(yù)測(cè)，股價(jià)可能于1年間上漲逾6成，達(dá)每股30美元。較保守的假設(shè)為，1年間上漲
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紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭人才招募選精英

　　中國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國(guó)紫光集團(tuán)，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲(chǔ)存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺(tái)灣帶來(lái)震撼。外界也好奇，近來(lái)動(dòng)作頻頻的紫光集團(tuán)，究竟有什么背景與能耐，在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? 　　■紫光發(fā)展簡(jiǎn)歷　　依紫光集團(tuán)官網(wǎng)簡(jiǎn)介，紫光的前身是中國(guó)清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開(kāi)發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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東芝財(cái)報(bào)風(fēng)波長(zhǎng)期恐將損及NAND事業(yè)

　　東芝(Toshiba)財(cái)報(bào)不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤(rùn)最高的NAND快閃存儲(chǔ)器部門(mén)，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問(wèn)日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長(zhǎng)期終將損害快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。　　目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續(xù)成長(zhǎng)，銷(xiāo)售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財(cái)務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。　　現(xiàn)在東芝碰上財(cái)務(wù)問(wèn)題，對(duì)NAND快閃存儲(chǔ)器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(zhǎng)室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對(duì)這個(gè)
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡

　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference)，會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢(qián)拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。　　美光財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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