第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內(nèi)存制造商帶來(lái)增長(zhǎng)

　　Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(zhǎng)7.9%。前25大半導(dǎo)體廠(chǎng)商合并營(yíng)收增長(zhǎng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠(chǎng)商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來(lái)看，DRAM廠(chǎng)商的表現(xiàn)勝過(guò)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠(chǎng)商。這股趨勢(shì)始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年?duì)I收也因而增長(zhǎng)31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND　已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無(wú)法生產(chǎn)V NAND的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。　　據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星近來(lái)已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)。原本韓國(guó)業(yè)界推測(cè)三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。　　東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國(guó)的閃存生意非常好，在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
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Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級(jí)e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強(qiáng)大的客戶(hù)群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶(hù)對(duì)嵌入式集中規(guī)模存儲(chǔ)解決方案的需求也越來(lái)越大。對(duì)于那些不僅僅是要購(gòu)買(mǎi)一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶(hù)而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。　　　　作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠(chǎng)，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線(xiàn)上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線(xiàn)，立下通吃NAND Flash大廠(chǎng)和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營(yíng)運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主，不過(guò)它也存在諸多問(wèn)題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。　　從FRAM到相變式存儲(chǔ)器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過(guò)，走在最前列的是一家美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別，Crossba
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DRAM樂(lè)觀(guān) NAND有隱憂(yōu)

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂(yōu)。　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠(chǎng)去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠(chǎng)南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠(chǎng)，會(huì)是中國(guó)嗎

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠(chǎng)，并且在選擇建廠(chǎng)地址時(shí)會(huì)考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開(kāi)了一座NAND閃存芯片加工廠(chǎng)，田中久雄在接受采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，需求超過(guò)了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱(chēng)：“三星已經(jīng)在中國(guó)西安市建廠(chǎng)，海力士也在中國(guó)建了一座生產(chǎn)廠(chǎng)。”當(dāng)被問(wèn)及中國(guó)是否會(huì)是海外建廠(chǎng)的最佳地區(qū)時(shí)，他補(bǔ)充說(shuō)
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中國(guó)“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機(jī)全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時(shí)代到來(lái)等，都將大幅增加對(duì)NAND型記憶卡的需求。
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慧榮科技推出業(yè)界首款車(chē)載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案

　　在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專(zhuān)為車(chē)載信息娛樂(lè)(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車(chē)級(jí)PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車(chē)載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
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NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
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研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠(chǎng)商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過(guò)后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠(chǎng)間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠(chǎng)預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù)，再加上手中庫(kù)存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購(gòu)談判，以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠(chǎng)

　　韓國(guó)時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠(chǎng)市占率合計(jì)來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設(shè)新廠(chǎng)房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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東芝NAND Flash漲勢(shì)迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化

　　2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。尤其在下半年蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，三星、東芝這些存儲(chǔ)行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。　　在今年的高交會(huì)上，記者也對(duì)東芝新制程的存儲(chǔ)
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無(wú)NAND之地：閃存無(wú)法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤(pán)與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤(pán)的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤(pán)間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來(lái)巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫(xiě)滿(mǎn)一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心閃存