三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND　已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無(wú)法生產(chǎn)V NAND的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。

　　據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星近來(lái)已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國(guó)業(yè)界推測(cè)三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。

　　2013年首度公開24層結(jié)構(gòu)V NAND的三星，在不到1年時(shí)間內(nèi)的2014年5月，領(lǐng)先全球開始生產(chǎn)堆疊層數(shù)提升30%的32層V NAND。接著又完成48層V NAND研發(fā)，技術(shù)力領(lǐng)先群雄。

　　以營(yíng)收為基準(zhǔn)，在NAND Flash市場(chǎng)上排名第二~五名的新帝(SanDisk)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)等，都尚未投入V NAND生產(chǎn)。

　　V NAND是為了突破平面結(jié)構(gòu)NAND Flash的技術(shù)瓶頸，而改變?yōu)榱Ⅲw結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新產(chǎn)品。將存儲(chǔ)器Cell層層堆高，堆疊越多層，集積度越高，可提升儲(chǔ)存容量。此外，V NAND的壽命也較平面NAND延長(zhǎng)最高10倍。

　　三星已完成研發(fā)的48層V NAND，被業(yè)界看作是存儲(chǔ)器芯片的分水嶺。直到32層V NAND因成本相對(duì)于性能來(lái)說(shuō)仍舊偏高，市場(chǎng)性比平面結(jié)構(gòu)芯片低，然48層結(jié)構(gòu)V NAND已能確保價(jià)格和品質(zhì)，可望成為V NAND市場(chǎng)大勢(shì)。

　　東芝認(rèn)為，推出32層V NAND的主要目的與其說(shuō)是提升獲利，宣示技術(shù)力的成分較高;然超過(guò)40層的V NAND將能讓技術(shù)力領(lǐng)先的業(yè)者掌握市場(chǎng)。

　　V NAND需求也正逐漸升溫，報(bào)導(dǎo)引用市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli資料指出，未來(lái)取代硬碟的次世代儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬碟(SSD)，搭載V NAND的比重將從2014年的0.1%，在2018年增加到31.1%。

　　目前三星和其他競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)在V NAND領(lǐng)域的技術(shù)差距約有2年以上。SK海力士、英特爾(Intel)和美光(Micron)的合資公司IM Flash以2015年初投入量產(chǎn)為目標(biāo)，對(duì)客戶公開24層結(jié)構(gòu)V NAND樣品，東芝預(yù)計(jì)會(huì)在2015年下半推出24層V NAND。