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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
  • 關(guān)鍵字： Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  

Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
  • 關(guān)鍵字： Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  

可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲

  • 與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
  • 關(guān)鍵字： NAND    移動(dòng)設(shè)備    大容量存儲  

10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價(jià)看漲

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。 　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。 　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。 　　集邦預(yù)期，近期1至2個(gè)月
  • 關(guān)鍵字： 快閃存儲器  NAND  

用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動(dòng)才可以使用US...
  • 關(guān)鍵字： DNW  USB  uboot  nand  

MAX34451 PMBus 16通道V/I監(jiān)視器

  • 概述MAX34451是一個(gè)電源系統(tǒng)管理員能夠監(jiān)控多達(dá)16種不同的電壓軌或電流，也能多達(dá)12個(gè)電源排序和裕。系統(tǒng)管 ...
  • 關(guān)鍵字： MAX34451  PMBus  16通道  V/I監(jiān)視器  

采取多元化戰(zhàn)略，加強(qiáng)在華合作

  • 編者按：8月初，Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢姡琒pansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
  • 關(guān)鍵字： 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

  • 　　三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  

半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

  • 　　不讓韓國三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運(yùn)挹注成長動(dòng)能。 　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。 　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  NAND  

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

  • 據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲市場追蹤報(bào)告，今年第一季度中國低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
  • 關(guān)鍵字： IHS  NAND  

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

  • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報(bào)告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
  • 關(guān)鍵字： IHS  SSD  NAND  HDD  

芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。 　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計(jì)，2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測，2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。 　　當(dāng)然，SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
  • 關(guān)鍵字： 芯片制造  NAND  

2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  • 　　根據(jù)國外媒體的報(bào)道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。 　　這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。 　　不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： 芯片制造  NAND  

中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  • 　　導(dǎo)語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機(jī)市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢崛起，以及中國移動(dòng)市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。 　　以下為文章全文： 　　重新掌握主動(dòng) 　　隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報(bào)。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機(jī)市場
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

  • 　　7月5日消息，由于中國廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長，由于中國移動(dòng)設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開始收獲金錢了。 　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場增速?zèng)]過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。 　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價(jià)能力。 　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片  NAND  
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第九代 v-nand介紹

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