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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

Spansion 推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品

  • 　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費(fèi)、通信和工業(yè)設(shè)備市場的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應(yīng)用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。 　　Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

  • 　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國半導(dǎo)體時(shí)代的來臨

  • 　　過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會(huì)到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國投資都有設(shè)定限制，因此過去國際半導(dǎo)體廠在中國投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個(gè)局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 　　英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團(tuán)，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

  • 　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接
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iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動(dòng)能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價(jià)格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。 　　DRAMeXchange
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

  • 　　全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。 　　三星電子存儲芯片營銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場競爭力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展。” 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性

  • 　　可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個(gè)開啟/關(guān)閉開關(guān)及兩個(gè)用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會(huì)是首選方法，因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測量儀器或被測部件性能。 　　對低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素，但是在一些測試應(yīng)用中，會(huì)要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會(huì)很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。 　　AMET
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新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單

  • 　　儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示，智慧手機(jī)市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 　　他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 　　潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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東芝四日市新廠動(dòng)土2015年起量產(chǎn)3D NAND

  • 　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。 　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。 　　由于智能型手
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中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

  • 　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品

  • 　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 　　閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。 　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)： 　　??? 企業(yè)級讀密集型
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匯聚中國移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行

  • 　　全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
  • 關(guān)鍵字： 閃迪  智能手機(jī)  NAND  

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場穩(wěn)健增長

  • 　　TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長9%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  穿戴性裝置  

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營收排行

  • 今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達(dá)76.49億美元，季成長5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： Intel  NAND  

三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

  • 　　全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。 　　NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND   
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第九代 v-nand介紹

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