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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)

基于FPGA的高帶寬存儲接口設計

  • 　　摘要：文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構和外部接口，并在此基礎上對Controller和PHY進行了功能仿真。仿真結果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設計預期相符，性能優(yōu)良，適合于在當前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長的場合下應用。 　　如今，越來越多的應用場景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領域，并且對數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導致了FPGA和外部Memory接口的實際有效帶寬
  • 關鍵字： FPGA  Altera  Cyclone V  

Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數(shù)字電機控制市場

  • 　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級產(chǎn)品，此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標應用市場為數(shù)字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
  • 關鍵字： 貿(mào)澤電子  Freescale  Kinetis V  

Spansion全新閃存設備不懼熱力來襲

  • 　　并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中，一個必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機，嵌入式應用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權衡，就必須記錄下這一信息，并在設計過程中進行共享。在汽車、消費、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡或通信應用中，
  • 關鍵字： Spansion  NAND  FL1-K  

V-Band 微波小站回傳，TDD還是FDD？

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： LTE  V-Band  FDD  TDD  

三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

  • 　　全球存儲領軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結構的“32層三維V-NAND閃存”。 　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲單元的設計難度更高，但是因為可以直接使用生產(chǎn)第一代V-NAND閃存的設備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。 　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
  • 關鍵字： 三星  V-NAND閃存  

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術支持TLC NAND閃存

  • 　　全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術，使消費類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能?！　arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
  • 關鍵字： Marvell  控制器  NAND  

一種電流溫度穩(wěn)定度小于1μA/℃的V/I變換器

  • 本文介紹一種高溫度穩(wěn)定度的V/I變換器電路，通過一種可以調節(jié)溫度變化量的溫度補償電路，使V/I變換器的輸出電流溫度穩(wěn)定度小于1μA /℃。應用于對電流穩(wěn)定度要求極高的傳感器信號處理或精密儀器儀表電路。
  • 關鍵字： V/I  變換器  傳感器  二極管  溫度補償  201406  

半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

  • 　　科研投資 　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國內半導體產(chǎn)值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應用半導體的服務業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計算，半導體產(chǎn)生的經(jīng)濟效益約為100萬億日元 ，兩者之比達到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè)，沒有國家的大力支持，沒有生產(chǎn)設備和科研經(jīng)費的巨大投入，那是美夢難圓的。 　　半導體設備投資也是引導世界經(jīng)濟增長的要素之一，它每年投資計劃的發(fā)表還常關聯(lián)到生產(chǎn)設備、材料公司的股
  • 關鍵字： 半導體  NAND  IC  201405  

半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  • 　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎的電子器件，已經(jīng)歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
  • 關鍵字： NAND  DRAM  PC  201404  

2013年第四季NAND品牌供應商營收下滑4.5%

  • 　　全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產(chǎn)能調配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。 　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

  • 　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。 　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。 　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。 　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關鍵字： XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

  • 在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內部結構：
  • 關鍵字： ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨立經(jīng)營。
  • 關鍵字： XMC  存儲器  NAND  

東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
  • 關鍵字： 東芝  嵌入式  NAND  
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第九代 v-nand介紹

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