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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

全球新式存儲器大戰(zhàn)　臺控制芯片廠不缺席

  • 　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 　　存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產(chǎn)階段，預(yù)計9月開始對客戶出貨。 　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢

  • 　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當(dāng)時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進資料中心、數(shù)位看板、POS機等商用市場。 　　SanDisk：SSD全面進占資料中心 　　當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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走進三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)

  • 　　陜西西安的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 　　對三星半導(dǎo)體來說，引導(dǎo)社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進的產(chǎn)品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 　　形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈 　　三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產(chǎn)業(yè)基地。 　　西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個
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傳三星出手 搶iPhone6S NAND Flash訂單

  • 三星發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！

  • 　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 　　針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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東芝、宜鼎搶進NAND Flash儲存陣列商機

  • 　　宜鼎和東芝成立臺灣首家進軍快閃存儲器陣列的供應(yīng)商，分食云端儲存商機。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯(lián)手炒熱云端儲存商機，三大廠力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會，邀請中華電信董事長蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
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蘋果要用？三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴產(chǎn) 50%

  • 　　南韓媒體中央日報日文版 19 日報導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴增 50%。報導(dǎo)指出，據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 　　據(jù) 報導(dǎo)，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商，且三星計劃
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臺美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

  • 　　宜鼎國際布局云端SSD市場，找來美超微和東芝一起搶商機。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場需求即將大爆發(fā)，美商都已卡好位，臺灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺系存儲器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺方掌握主導(dǎo)權(quán)，由于首波客戶瞄準(zhǔn)金融和電信業(yè)者，因此邀請101董事長宋文琪夫婿徐善可擔(dān)任董事長。 　　一般講到云端儲存商機，第一個聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
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分析師：IC與PC第二季全球市場需求皆衰弱

  • 　　根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告， 2015年第二季全球市場對半導(dǎo)體元件的需求持續(xù)疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出：“iPhone供應(yīng)鏈與汽車市場仍然是表現(xiàn)亮眼。” 　　德意志銀行的報告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱，該銀行對整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評等為中性。“在中國智慧型手
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Flash廠力推　3D NAND明年全面滲透消費性SSD

  • 　　在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計將自今年下半年開始加速采用更高性價比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對SSD可靠度要求等級較高，預(yù)估將自2016下半年后才會轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。 　　
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慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存

  • 　　在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產(chǎn)品。 　　SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
  • 關(guān)鍵字： NAND  SM2256   

Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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第九代 v-nand介紹

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