第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

觸控面板告急 NAND Flash廠失良機(jī)原地嘆息

　　iPodTouch面板供貨不及，大量出貨日期延后，NANDFlash廠最著急，NANDFlash價(jià)格反彈后繼無(wú)力。　　據(jù)境外媒體報(bào)道，為迎圣誕買(mǎi)氣，各大NANDFlash廠商鉚足了勁，原本寄望因蘋(píng)果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨，借此將NANDFlash價(jià)格回升，然后，卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現(xiàn)供貨不足，造成iPodTouch出貨量受限，繼而影響NANDFlash的出貨，真是急壞了NANDFlash廠商。　　蘋(píng)果原計(jì)劃九月起開(kāi)始出貨，但因沒(méi)有足夠的
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集成電路出貨量增長(zhǎng) 廠商面臨無(wú)利潤(rùn)繁榮局面

　　最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%，略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái)，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)，正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。　　1980年以來(lái)，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
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報(bào)告:9月全球微芯片銷(xiāo)售收入同比增長(zhǎng)5.9%

　　據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)周一稱，在PC和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下，今年9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)了5.9%。　　9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入從去年同期的213億美元增長(zhǎng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。　　SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，第三季度的全球銷(xiāo)售比今年第二季度增長(zhǎng)了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷(xiāo)售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開(kāi)始。　　消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的
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NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
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各類(lèi)器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。　　ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。　　ICInsights認(rèn)為，
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報(bào)告稱：07年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%

　　10月21日消息，據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%，NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%，接口集成電路出貨量增長(zhǎng)60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%，汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。　　ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng)
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DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱合約市場(chǎng)交易冷清

　　現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤(pán)堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng)，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。　　十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認(rèn)為，倘若預(yù)期十一
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NAND閃存價(jià)格反彈帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(zhǎng)

根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA報(bào)告，2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達(dá)到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(zhǎng)超過(guò)分析師預(yù)測(cè)，比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(zhǎng)4.5%。 SIA表示，增長(zhǎng)歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(zhǎng)19%，與2006年8月相比增長(zhǎng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長(zhǎng)帶來(lái)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售連續(xù)健
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基于單片機(jī)控制的數(shù)字氣壓計(jì)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　摘要：介紹了一種精密數(shù)字氣壓計(jì)的軟硬件實(shí)現(xiàn)方法。該方法通過(guò)氣壓傳感器獲得與大氣壓相對(duì)應(yīng)的模擬電壓值，并經(jīng)過(guò)V／F變換輸入到單片機(jī)進(jìn)行處理，從而實(shí)時(shí)顯示相應(yīng)的氣壓值。用本文所述的方法制成的氣壓計(jì)攜帶方便，操作簡(jiǎn)單，精確度高，完全符合設(shè)計(jì)要求。　　關(guān)鍵詞：氣壓計(jì)；氣壓傳感器；V／F轉(zhuǎn)換器；單片機(jī) １　引言　　氣壓計(jì)是利用壓敏元件將待測(cè)氣壓直接變換為容易檢測(cè)、傳輸?shù)碾娏骰螂妷盒盘?hào)，然后再經(jīng)過(guò)后續(xù)電路處理并進(jìn)行實(shí)時(shí)顯示的一種設(shè)備。其中的核心元件就是氣壓傳感器，它在監(jiān)視壓力大小、控制壓力變化以及物
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NAND閃存價(jià)格走好東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤(rùn)大漲

Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu)，最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)中，常常需要大容量、高密度的存儲(chǔ)器，而在各種存儲(chǔ)器中，NAND FLASH以價(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢(shì)成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對(duì)時(shí)序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存公司市場(chǎng)份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達(dá)到14億美元，比第1季度的12億美元增長(zhǎng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內(nèi)存/存儲(chǔ)系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長(zhǎng)11%，出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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