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Gartner：半導(dǎo)體產(chǎn)能擴充持續(xù)到2012

　　Gartner預(yù)期2010年全球半導(dǎo)體的固定資產(chǎn)投資有大幅增加。　　在它的Q2季度半導(dǎo)體產(chǎn)能報告中，Gartner預(yù)計全球半導(dǎo)體產(chǎn)能與去年相比增長5%-6%，這是由于PC及手機的出貨量增長有關(guān)。　　根據(jù)Q1的全球半導(dǎo)體產(chǎn)能報告，Gartner近期作了更新，將2009年產(chǎn)能原先下降2.3%，修正到下降1.9%，及2010年增長5%修正到6%，而2011年由增長9%，有小幅減緩，修正為8%，以及2012年仍維持8%的穩(wěn)定增長。之所以如此，與Gartner的最新半導(dǎo)體投資報告，今年將增長83.5%以
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聯(lián)電65奈米以下比重大躍進　2Q將達25%

　　聯(lián)電在先進制程有所進展!聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，該公司在40奈米良率持續(xù)提升，28奈米后閘極(HK/MG)技術(shù)也將于2010年底達到 IP試制能力，20奈米也于2010年初與客戶合作進行規(guī)畫。孫世偉看好65奈米以下先進制程技術(shù)發(fā)展，估計第2季65奈米以下制程比重將往25%靠近，年底前可望進一步躍升到30~40%。　　聯(lián)電第1季65奈米以下制程技術(shù)比重約18%，較2009年第4季上升1個百分點。預(yù)期第2季可望顯著攀高，將逼近25%。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉預(yù)期，下半年65奈米以下制程技術(shù)比重可望進一步達30~
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聯(lián)電為提高先進制程購買設(shè)備

　　編者點評：Globalfoundries的崛起打亂了全球代工被雙雄獨霸的局面。實際上Globalfoundries兼并特許之后, 按Gartner4月的最新數(shù)據(jù),09年全球代工排名中, 臺積電90億美元, 聯(lián)電居第二為27億, 特許的15億及Globalfoundries的11億美元, 所以新Globalfoundries總營收(把特許的計在內(nèi))己達26億美元 , 十分逼近聯(lián)電的27億美元。因此首先反映強烈的肯定是聯(lián)電, 所以其加強投資及擴大先進制程的市場份額是必為。然而分析Globalfoundri
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保守看待2010增長，部分領(lǐng)域?qū)⒈憩F(xiàn)優(yōu)異

　　電子產(chǎn)業(yè)觀察家葉鐘靈從另一個角度總結(jié)了產(chǎn)業(yè)變化，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三大支柱即邏輯電路、微芯片和存儲器在2009年表現(xiàn)迥異，邏輯電路市場停滯不前，市場規(guī)模短期內(nèi)也很難看到增長的趨勢;微芯片隨著電子產(chǎn)品普及化還會有所增長，但增長速度一般;而存儲器由于07年開始就全面近乎崩潰的下滑，反而讓其在2009年下降最少，2010年則面臨最為強勢的反彈預(yù)期，其中NAND Flash和DDR3市場預(yù)期最為樂觀。　　葉鐘靈　　目前隨著半導(dǎo)體的工藝近乎探底，電子產(chǎn)業(yè)展開了后硅時代(Post Silicon)的發(fā)展探討
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2010請帶著希望上路

　　對于整個電子產(chǎn)業(yè)來說，2009是個幸福缺失的年份，不管我們?nèi)绾瓮春捱@一場金融風(fēng)暴帶來的腥風(fēng)血雨，至少我們已經(jīng)撕去了屬于2009年最后一頁日歷，迎來了嶄新年輪的開始。既然最黑暗的時刻都已經(jīng)挺過來了，未來總會比現(xiàn)在光明些吧。　　從2008年四季度開始的這場金融風(fēng)暴，在重創(chuàng)了全球經(jīng)濟的同時，不可避免地將整個電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平拉回了2001年。經(jīng)歷過2008年的全行業(yè)深淵性墜落之后，在一片肅殺悲觀中到來的2009堪稱整個產(chǎn)業(yè)驚心動魄的一年，多家分析機構(gòu)不斷下調(diào)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預(yù)期，最可怕的數(shù)據(jù)預(yù)測整
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中國芯片產(chǎn)業(yè)日趨成熟

　　近期受全球金融危機影響半導(dǎo)體產(chǎn)能下降，依據(jù)SEMI的報道，09年全球?qū)㈥P(guān)閉30條芯片生產(chǎn)線，其中8條邏輯電路芯片生產(chǎn)線及7條存儲器生產(chǎn)線，另外6條分立器件與6條模擬電路生產(chǎn)線。　　被關(guān)閉的生產(chǎn)線中主流為8英寸及更小尺寸，有些是4英寸及5英寸。其中09年關(guān)閉的有17條在北美。　　由于芯片生產(chǎn)線關(guān)閉，導(dǎo)致09年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能下降3%，為每月1500萬片(等效8英寸計)，而于2010 年時由于某些生產(chǎn)線開始恢復(fù)擴大產(chǎn)能，全球芯片產(chǎn)能有望再回升到每月1600萬片，SEMI同時認(rèn)為在2010年時將再關(guān)閉
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東芝提出16nm制程工藝

　　對于電子產(chǎn)品來說，制程的提升意味著性能、體積和功耗同時變得更好，所以很多半導(dǎo)體廠商都在制程提升上做出很多努力。近日，東芝提出了16nm制程工藝的方法。　　目前大多數(shù)存儲芯片處于30nm制程，而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們在制程提升上取得了突破，他們已經(jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場效應(yīng)管。突破的關(guān)鍵是他們使用了鍺代替現(xiàn)在流行的硅，鍺一直以來都被認(rèn)為有潛力制造更小的設(shè)備，但是它也比硅存在更多的問題，難于控制。但是現(xiàn)在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡，所以人們再一次將目光轉(zhuǎn)向了鍺。
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2009年晶圓廠資本支出減少56% 回暖信號已現(xiàn)

　　根據(jù)SEMI World Fab Forecast的最新預(yù)測，晶圓廠建設(shè)支出自2008年來持續(xù)呈現(xiàn)季度負增長，2009年預(yù)計同比減少56%。從全球來看，建設(shè)支出達到10年來最低點。然而，該報告的最新數(shù)據(jù)顯示，2009年下半年晶圓廠建設(shè)支出和設(shè)備支出將恢復(fù)增長，并將持續(xù)至2010年。2010年，晶圓廠建設(shè)支出預(yù)計成倍增長，設(shè)備支出也可能增長多達90%。　　實際上美國資本投入正在增長，季度支出額正在朝10億美元邁進，主要因為Intel宣布了投資計劃，準(zhǔn)備轉(zhuǎn)入32nm制程。　　根據(jù)報告，2008年關(guān)
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晶圓業(yè)帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　SEMI近期發(fā)布WorldFabForecast報告，報告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20%，而2009年將獲得超過20%的反彈，主要受全球70多個晶圓廠項目的帶動。該報告的2008年8月版列出了53個晶圓廠組建項目，2009年還有21個晶圓廠建設(shè)項目。　　2008年，300mm晶圓廠項目占了晶圓廠設(shè)備支出的90%，約69%的支出用于65nm及以下節(jié)點技術(shù)。2008年全年晶圓廠總產(chǎn)能預(yù)計相當(dāng)于1，600萬片200mm晶圓，年增長率僅9%，2007年增長率達16%.2009年，總產(chǎn)能預(yù)計增長1
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2009年70多個晶圓廠項目將促進設(shè)備支出超20％的反彈

　　根據(jù)SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報告，報告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20％，而2009年將獲得超過20％的反彈，主要受全球70多個晶圓廠項目的帶動。該報告的2008年8月版列出了53個晶圓廠組建項目，2009年還有21個晶圓廠建設(shè)項目。　　2008年，300mm晶圓廠項目占了晶圓廠設(shè)備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節(jié)點技術(shù)。2008年全年晶圓廠總產(chǎn)能預(yù)計相當(dāng)于1600萬片200mm晶圓，年增長率僅9％，2007年增長率達16％。2009年，總產(chǎn)能預(yù)
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國家1-2億元支持集成電路研發(fā)

　　日前獲悉，國家鼓勵軟件及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的18號文的替代政策《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開發(fā)專項資金管理暫行辦法》(下稱132號文)的實施細則和今年項目指南已進入財政部、信息產(chǎn)業(yè)部和發(fā)改委三部委會簽階段。相關(guān)人士向記者透露說，如果順利通過三部委會簽，該實施細則和今年的項目指南將于8月份正式出臺。　　據(jù)記者了解，132號文的項目指南將每年發(fā)布一次。今年的項目指南涵蓋面比較廣，包括計算機、通訊、汽車電子、安全、政府信息化、企業(yè)信息化等所用到的集成電路芯片的研發(fā)，另外對于制造工藝、封裝工藝、測試技術(shù)等也將撥出專
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集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃

　　集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心，是國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，在推動經(jīng)濟發(fā)展、社會進步、提高人民生活水平以及保障國家安全等方面發(fā)揮著重要作用，已成為當(dāng)前國際競爭的焦點和衡量一個國家或地區(qū)現(xiàn)代化程度以及綜合國力的重要標(biāo)志。　　“十一五”期間，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，盡快建立一個自主創(chuàng)新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大的產(chǎn)業(yè)體系，對于保障信息安全、經(jīng)濟安全，增強國防實力，以及推動社會進步，提高人民生活水平，具有極其重要的戰(zhàn)略意義和現(xiàn)實意義。　　按照《國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十一個五年規(guī)劃綱要》中“大
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同步RS觸發(fā)器

　　具有時鐘脈沖控制的觸發(fā)器稱為同步觸發(fā)器，又稱為鐘控觸發(fā)器，時鐘觸發(fā)器。這種觸發(fā)器只有在時鐘脈沖到來時，輸出端才根據(jù)這時的輸入信號改變狀態(tài)。 1.同步RS觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu) 　　圖1是同步RS觸發(fā)器的邏輯圖和邏輯符號。它是在基本RS觸發(fā)器(G1和G2)的基礎(chǔ)上，增加了由兩個與非門（G3和G4）組成的輸入門，和一個鐘控端CP構(gòu)成。該電路有兩個輸出端和Q，還有五個輸入端。但應(yīng)注意這五個輸入端的作用和輸入信號的極性。 ① 輸入端和　　和端在CP=0時，可直接使觸發(fā)器
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基本RS觸發(fā)器

　　RS觸發(fā)器是構(gòu)成其它各種功能觸發(fā)器的基本組成部分，故又稱為基本RS觸發(fā)器。它是一種直接置位的復(fù)位的觸發(fā)器。 1.基本RS觸發(fā)器的組成　　基本RS觸發(fā)器主要是由兩個與非門交叉耦合構(gòu)成，如圖1(a)所示，圖1(b)為邏輯符號。
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邏輯電路介紹

　　以二進制為原理、實現(xiàn)數(shù)字信號邏輯運算和操作的電路。分組合邏輯電路和時序邏輯電路。前者的邏輯功能與時間無關(guān)，即不具記憶和存儲功能，后者的操作按時間程序進行。由于只分高、低電平，抗干擾力強，精度和保密性佳。廣泛應(yīng)用于計算機、數(shù)字控制、通信、自動化和儀表等方面。　　最基本的有與電路或電路和非電路。　　“邏輯電路”在漢英詞典中的解釋(a logical circuit 　　簡單的邏輯電 [ 查看詳細 ]