閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

西數(shù)旗下全資子公司晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴建項目開工

2020年7月28日上午，晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴建項目的開工儀式。作為西部數(shù)據(jù)公司除深圳工廠之外在華的另一大型工廠，此次晟碟半導(dǎo)體三期廠房擴建項目約為11,800平方米，預(yù)計于2021年完工；旨在擴充先進的產(chǎn)品制造設(shè)施和以產(chǎn)品為中心的技術(shù)研發(fā)，以支持潛在產(chǎn)能擴張，并為員工建立溫暖如家的工作環(huán)境，提升團隊凝聚力和集體歸屬感。晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司是美國西部數(shù)據(jù)公司下屬全資子公司，主要從事先進閃存存儲產(chǎn)品的研發(fā)、封裝和測試，自2006年落戶紫竹高新區(qū)以來，注冊資本從3200萬
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華為、三星、蘋果手機下滑閃存先遭殃：3個月來跌價20%

作為NAND閃存的最大市場，智能手機市場今年還會下滑，蘋果、三星及華為的手機業(yè)務(wù)都遭受了壓力，閃存市場也應(yīng)聲而跌，3個月來價格跌了20%，這一個月來就跌了8%。全球每年將近15億臺的智能手機是NAND閃存廠商的最大客戶，如今手機的存儲容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少見，比很多人的SSD硬盤容量都大，結(jié)果這個最大動力今年也熄火了。今年全球經(jīng)濟都在下滑，第一大品牌三星最近調(diào)整了手機出貨量目標(biāo)，至少砍了15%，全年預(yù)期只有2.4億部，接下來要發(fā)布的Note 20系列也在砍單，三星要求供
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疫情之下，長江存儲程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

6月27日，SEMICON China 2020大會于上海拉開帷幕。會上，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長江存儲3D NAND技術(shù)進展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢的變幻莫測，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費市場的變化驅(qū)動了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動企業(yè)級SSD需求增長。從全球市場綜合發(fā)展來看，企業(yè)級SS
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國產(chǎn)128層QLC閃存問世武漢基地二期開工

4年前的2016年，國家在武漢建設(shè)了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設(shè)3D NAND
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三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預(yù)計2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預(yù)計明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國將擁有7條
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閃存顆粒哪家強？最新市場排名出爐

來自統(tǒng)計機構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營收均有所增長,整體規(guī)模達到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營收45億美元,環(huán)比增加1.1個百分點,市場份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲)緊隨其后,營收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報告稱,一季度
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128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

長江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當(dāng)前,整個閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財務(wù)會議期間,同樣來自韓國的SK海
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長江存儲128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預(yù)計今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時實現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存，可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1
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國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點,另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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紫光存儲解散？國產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場人事地震：長江存儲、紫光存儲發(fā)聲

今天國產(chǎn)的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動,傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關(guān)人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報道。存儲芯片是近年來國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲公司是重點,尤其是長江存儲,去年首發(fā)量產(chǎn)了國產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲公司解散,未來重點轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長江存儲挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲表示
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三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機閃存

三星近日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
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2000億大基金二期3月底開始投資國產(chǎn)3D閃存仍是重點

為了扶植半導(dǎo)體發(fā)展,多部門推動成立了“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達2041億元,今年3月份將開始實質(zhì)投資。此前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計有效投資項目達到70個左右。據(jù)報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導(dǎo)體制造,包括
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美光3D XPoint存儲芯片量產(chǎn) 分析師：不影響Intel

3D閃存在2020年將全面升級到100+層堆棧,128層會是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會進一步增加,同時降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當(dāng)年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強、可靠性更高的存儲芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲芯片,基于PCM相變存儲技術(shù),原理跟NAND閃存就不同,所以當(dāng)時Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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要漲價嗎？內(nèi)存、閃存上游成交價持續(xù)上漲

半導(dǎo)體行業(yè)因為種種原因，非常容易收到外來因素的影響。近日根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，在剛過去的1月份，內(nèi)存和閃存芯片在上游的交易價均有一定幅度的上漲。其中，8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內(nèi)存內(nèi)存環(huán)比上漲1.07%，均價來到2.84美元，128Gb MLC閃存顆粒價格環(huán)比上漲3.17%，均價來到4.56美元。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]