10nm+ 文章進(jìn)入10nm+技術(shù)社區(qū)

三星全力投入10nm存儲(chǔ)器制程拉大競(jìng)爭(zhēng)差距

　　三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部旗下半導(dǎo)體總括兼系統(tǒng)LSI事業(yè)部長(zhǎng)金奇南，將以10奈米級(jí)記憶體晶片量產(chǎn)一決勝負(fù)。DS事業(yè)部的技術(shù)研發(fā)和投資焦點(diǎn)，也從設(shè)計(jì)技術(shù)轉(zhuǎn)移到制程技術(shù)。　　自1993年起，三星在記憶體市場(chǎng)上維持超過(guò)20年的霸主地位，秘訣就在于提升制程技術(shù)，拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。　　據(jù)南韓經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，金奇南在2014年2月接任記憶體事業(yè)部長(zhǎng)職務(wù)后曾指示，將全力投注在平面記憶體晶片電路精細(xì)化。截至2013年，三星記憶體事業(yè)部仍致力于研發(fā)系
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FD-SOI：芯片制造工藝向10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的最佳選擇

　　按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數(shù)量每?jī)赡晏岣咭槐丁Ｈ欢?，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數(shù)量增加一倍的技術(shù)問(wèn)題。摩爾定律暗示，隨著芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會(huì)實(shí)現(xiàn)大幅度改進(jìn)。在過(guò)去50年里，半導(dǎo)體工業(yè)一直按照摩爾定律發(fā)展，因?yàn)樾酒娜齻€(gè)要素——價(jià)格、功耗和性能始終是在聯(lián)動(dòng)。　　在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)雖然能夠繼續(xù)證明摩爾定律的正確性，但是，當(dāng)發(fā)展到當(dāng)今最先進(jìn)的28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下時(shí)，卻遭遇逆風(fēng)阻擋前進(jìn)步伐，因?yàn)樵?8納米以后，技術(shù)復(fù)雜程度和制造成本都將大幅
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EUV遭受新挫折半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí)，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來(lái)進(jìn)一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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為量產(chǎn)10nm制程鋪路　ASML攜手IMEC建置APC

　　艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)及其設(shè)備更臻成熟，加速制程微縮技術(shù)的商用化。　　ASML總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Martin van den Brink表示，長(zhǎng)期以來(lái)，該公司與IMEC的合作，已促成半導(dǎo)體制程發(fā)展不斷突破;而此次的合作案，預(yù)期將進(jìn)一步加快先進(jìn)奈米制程技術(shù)及其相關(guān)設(shè)備
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攻新材料/互連技術(shù) IMEC力克10nm設(shè)計(jì)難關(guān)

　　比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)正全速開(kāi)發(fā)下世代10奈米制程技術(shù)。為協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)門檻，IMEC已啟動(dòng)新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計(jì)劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過(guò)奈米線(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實(shí)現(xiàn)更細(xì)致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問(wèn)世。　　IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術(shù)外，IMEC亦全力推動(dòng)18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關(guān)設(shè)備進(jìn)入驗(yàn)證階段。　　I
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Globalfoundries稱2015推10nm晶圓

　　晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)蘇比(SubiKengeri)日前來(lái)臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。　　格羅方德2009年由美商超微獨(dú)立而出，2010年并購(gòu)前特許半導(dǎo)體，蘇比表示，2009年剛獨(dú)立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計(jì)能力，加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶經(jīng)驗(yàn)，ICInsights統(tǒng)計(jì)，2012年公司躍進(jìn)晶
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應(yīng)材最新缺陷檢測(cè)與分類技術(shù)提高10nm設(shè)計(jì)良率

　　應(yīng)用材料公司(Applied Materials)為其SEMVision系列推出一套最新缺陷檢測(cè)及分類技術(shù)，加速達(dá)成10奈米及以下的先進(jìn)晶片生產(chǎn)良率。Applied SEMVision G6 缺陷分析系統(tǒng)結(jié)合前所未有高解析度、多維影像分析功能，及革命性創(chuàng)新的 Purity 自動(dòng)化缺陷分類(Automatic Defect Classification;ADC)系統(tǒng)高智慧的機(jī)器學(xué)習(xí)演算法，樹(shù)立全新的效能標(biāo)竿，同時(shí)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測(cè)掃瞄電子顯微鏡(DR SEM)技術(shù)。　　應(yīng)用材料公司企業(yè)副總
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聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟攜手奔向10nm工藝

　　在半導(dǎo)體行業(yè)，聯(lián)電(UMC)算不上往往與最先進(jìn)的技術(shù)搭不上邊，不過(guò)這一次，臺(tái)灣代工廠準(zhǔn)備走在世界前列了。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開(kāi)發(fā)。IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由IBM領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體行業(yè)組織，成立已有數(shù)十年，成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導(dǎo)體(已被GF收購(gòu))、英飛凌、三星電子、意法半導(dǎo)體等赫赫有名的巨頭，共同致力于先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝的開(kāi)發(fā)。相比于Intel、臺(tái)積電、三星電子的單打獨(dú)斗，這些廠商都是共享資源、聯(lián)合開(kāi)發(fā)
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半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

　　半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。　　應(yīng)用材料半導(dǎo)體事業(yè)群EpitaxyKPU全球產(chǎn)品經(jīng)理SaurabhChopra提到，除了制程演進(jìn)以外，材料技術(shù)更迭也是影響半導(dǎo)體科技持續(xù)突破的關(guān)鍵。　　應(yīng)用材料(Applied
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HGST融合分子自組裝與納米印刷技術(shù) 可令硬盤單碟容量提升一倍

　　Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通過(guò)將融合 self-assembling molecules ( 分子自組裝 ) 和 nanoimprinting ( 納米印刷 ) 技術(shù)，成功創(chuàng)造出大面積高密度存儲(chǔ)介質(zhì)，其 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm ，是目前硬盤技術(shù)的兩倍，可望于未來(lái)數(shù)年內(nèi)大幅提高機(jī)械硬盤的存儲(chǔ)密度，讓單碟容量可望提升。　　據(jù) HGST 表示，新技術(shù)能夠讓 magnetic islands 磁島寬度只相當(dāng)于大約 50 個(gè)原子寬，或者人
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Intel以色列：跨越發(fā)展沖向10nm

　　我們說(shuō)過(guò)很多次，先進(jìn)的制造工藝始終都是Intel面對(duì)任何競(jìng)爭(zhēng)最強(qiáng)有力的武器，Intel也在矢志不渝地維護(hù)和擴(kuò)大這種領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，比如在以色列南部城市水牛城(Kiryat Gat)的晶圓廠Fab 28，目前就正在生產(chǎn)22nm Ivy Bridge，而在未來(lái)數(shù)年，這里將跳過(guò)14nm，直奔更高級(jí)的10nm。　　Fab 28的擴(kuò)建和22nm的投產(chǎn)不但讓Intel受益無(wú)窮，同樣刺激了以色列的經(jīng)濟(jì)發(fā)展，帶動(dòng)其出口額從2011年的22億美元猛增至2012年的46億美元，其中Intel一家就占了高科技出口額的20
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

　　SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)。　　如果采用FDSOI技術(shù)，無(wú)需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)，因此無(wú)需很多成本即可繼續(xù)推進(jìn)微細(xì)化(圖1)。對(duì)于希望今后仍長(zhǎng)期享受SoC微細(xì)化恩惠的
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下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

　　在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
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IMEC探討10nm以下制程變異

　　在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。　　明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
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Kinam Kim 博士：硅技術(shù)將向10nm發(fā)展

　　韓國(guó)三星先進(jìn)技術(shù)研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC2012)帶來(lái)主題為“探索硅技術(shù)的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。　　Kim博士表示，閃存技術(shù)是否會(huì)主導(dǎo)未來(lái)的存儲(chǔ)市場(chǎng)，2012到2015年集成光電路等技術(shù)將取得進(jìn)展，硅技術(shù)將向10nm發(fā)展，并同時(shí)推動(dòng)DRAM、NAND閃存等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　Kim在演講中指出，在DRAM和NAND閃存等方面， Ki
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