176 層 nand 文章進(jìn)入176 層 nand技術(shù)社區(qū)

DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長(zhǎng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場(chǎng)，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
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從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)

引言隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng)，主要
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲(chǔ)容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
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Micron35億美金押寶NAND閃存

美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢(shì)地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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SanDisk擬降NAND價(jià)格將再引業(yè)界地震

據(jù)臺(tái)灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露，公司將在本周將其NAND閃存的價(jià)格降低10％到15％。　　知情人士稱，SanDisk公司此次對(duì)其NAND閃存制成品的價(jià)格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時(shí)展開，而不是針對(duì)某一地區(qū)市場(chǎng)進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價(jià)，業(yè)內(nèi)觀察員指出，每次SanDisk公司對(duì)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整都會(huì)對(duì)整個(gè)業(yè)界的價(jià)格體系造成一定影響。　　業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整可能會(huì)在業(yè)內(nèi)
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ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

單片多級(jí)單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強(qiáng)大的5位糾錯(cuò)機(jī)制降低下傳時(shí)間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場(chǎng)上的最好成績(jī)還高大約50%。新芯片內(nèi)嵌一個(gè)功能強(qiáng)大的糾錯(cuò)處理器，每頁可以改正最多五個(gè)錯(cuò)誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時(shí)還簡(jiǎn)化了存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，在舊金山國際固態(tài)電路大會(huì)(ISSCC) 上，意法半導(dǎo)體和韓國現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
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蘋果iPod降價(jià)舉動(dòng)波及亞洲NAND制造商

　受蘋果電腦公司調(diào)降其數(shù)字音樂播放器價(jià)格影響，三星電子和其它亞洲存儲(chǔ)芯片制造商的股票價(jià)格出現(xiàn)不同程度的下滑。　　很明顯，蘋果的降價(jià)舉動(dòng)引發(fā)人們擔(dān)心字音樂播放器里應(yīng)用的芯片價(jià)格可能會(huì)大幅下降。　　在其數(shù)字音樂播放器里采用NAND芯片的蘋果公司周二調(diào)降了其最廉價(jià)機(jī)型iPod Shuffle的價(jià)格，并推出了中端iPod Nano的一個(gè)容量較小的版本。　　據(jù)分析家稱，受淡季需求降低影響，NAND芯片價(jià)格最近急劇回落，蘋果的舉動(dòng)反應(yīng)了這一趨勢(shì)，同時(shí)也加劇了投資者對(duì)芯片制造商的
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三星與索尼就長(zhǎng)期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實(shí)，正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)?！?nbsp; 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長(zhǎng)期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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NAND新應(yīng)用層出不窮價(jià)格不斷降低

隨著NAND閃存成本每年下跌40%，對(duì)NAND的新應(yīng)用尤其是計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用層出不窮。今年晚些時(shí)候，將有帶閃存的硬盤與微軟的新操作系統(tǒng)Vista同時(shí)出售。 “理論上，硬盤不必一直運(yùn)行，”三星（歐洲）公司高級(jí)存儲(chǔ)器部門經(jīng)理
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DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測(cè)試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場(chǎng)上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場(chǎng)方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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三星考慮將會(huì)向索尼提供NAND閃存

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基于TMS320C54x的便攜存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動(dòng)存儲(chǔ)終端，終端中使用NAND Flash作為存儲(chǔ)器件。討論了TMS320C54x對(duì)NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動(dòng)存儲(chǔ)終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲(chǔ)功能，又需要具備一定的信號(hào)處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時(shí)，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價(jià)格比的NAND Fla
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NAND閃存市場(chǎng)2009年將漲三倍

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)In-Stat預(yù)測(cè)，到2009年時(shí)NAND閃存的市場(chǎng)規(guī)模將從2004年的50億美元增長(zhǎng)到180億美元。　　NAND閃存由于在存儲(chǔ)容量和價(jià)格上頗具優(yōu)勢(shì)，因此主要應(yīng)用在存儲(chǔ)卡和U盤上面。據(jù)In-Stat稱，由于消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)于成本非常敏感，因此NAND閃存在存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上仍將大有作為。　　In-Stat高級(jí)研究員Frank Dickson表示：“由于市場(chǎng)需求旺盛，閃存市場(chǎng)發(fā)展非常迅速，NAND閃存當(dāng)然也不例外?！?nbsp
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
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