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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 176 層 nand

內存產業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大

  • 　　快閃內存產業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產品旺季出現，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 　　TRI觀點： 　　2007年內存產業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
  • 關鍵字： 內存  NAND  Flash  MCU和嵌入式微處理器  

Gartner:08全球半導體設備開支將降9.9%

  • 　　據市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，2008年全球半導體設備開支預計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 　　Gartner半導體生產事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內存不顧供過于求的現實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復開支的狀況令人失望。在2008年，我們預計隨著DRAM內存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導體主要設備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
  • 關鍵字： 半導體  NAND  閃存  IC自動測試設備  ATE  

供大于求 明年NAND閃存市場難以復蘇

  • 　　比特網(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據國外媒體報道，內存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產品合同價格。 　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產量，價格沒有出現大幅滑落。 　　NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
  • 關鍵字： NAND  閃存市場  存儲器  

NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率

  • 　　拓墣產業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域，從2004年產品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
  • 關鍵字： NAND  Flash  SSD  MCU和嵌入式微處理器  

iSuppli調低08年半導體預期

  • 　　市場研究機構iSuppli以全球經濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場銷售收入預期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 　　據國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數據)增長7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個百分點。 　　iSuppli表示，2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經濟2008年的預期并不樂觀，而美國經濟的影響力自然會波及全球
  • 關鍵字： 半導體  芯片  NAND  半導體材料  

東芝推出首個對應多值技術的大容量NAND閃存

  • 　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產品。 　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  東芝  NAND  閃存  

DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%

  • 　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續(xù)惡化，大多數DRAM供應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現大幅削減?！? 　　預計2008年，DRAM領域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。 　　在DRAM市場經歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  三星  NAND  EDA  IC設計  

各類器件增長強勁 出貨量增長率預測調高

  • 　　據市場調研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。 　　ICInsights將調高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車相關的模擬IC(上升32%)。 　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。 　　ICInsights認為，
  • 關鍵字： NAND  閃存  IC  元件  制造  

內存芯片廠商提出新設計欲破摩爾定律

  • 　　很多廠商都設計出了未來的閃存技術，但誰能夠首先推出產品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術，這一技術為閃存產業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經生產出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術。 　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術有很大的興趣。我們擁有這一
  • 關鍵字： 閃存  芯片  NAND  存儲器  

第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元

  • 　　市場調研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內的消費電子產品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結束。由于產量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。 　　韓國海力士半導體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數量
  • 關鍵字： NAND  閃存  DRAM  存儲器  

閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降 筆記本很有優(yōu)勢

  • 　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴，但隨著其量產，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價格從2009年，2010年開始將開始下降。 　　DRAM與閃存產品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數據存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數據保存在NAND內存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產固態(tài)硬盤。第一批產品為32GB或64GB型號。雖然容量是現在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內存
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  固態(tài)硬盤  閃存  NAND  MCU和嵌入式微處理器  

三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠商

  • 　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現另一番局面。 　　三星和海力士減少向臺灣內存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產品的依賴。 　　一些臺灣內存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  三星  海力士  NAND  其他IC  制程  

大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網絡存儲中的應用

  • 　　1 引言 　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用，嵌入式系統(tǒng)中的數據存儲和數據管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現場不可達數據采集應用中采用分布式數據存儲，必然帶來數據管理的不便，因此，集中管理數據成為一種思路。利用成熟的網絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統(tǒng)數據，采用C/S模式管理數據。對于大容量數據存儲，選擇介質存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
  • 關鍵字： 通訊  無線  網絡  NAND  Flash  K9T1G08U0M  MCU和嵌入式微處理器  

供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化

  • 　　美國iSuppli調研結果顯示，由于供應過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內進一步惡化。 　　NAND閃存方面，預計512M產品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現惡化，短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內存廠商將生產能力從DRAM轉移至NAND閃存，從而導
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NAND  DRAM  閃存  MCU和嵌入式微處理器  

年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)

  • 　　11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經出現止跌回穩(wěn)的現象。 　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產品供應量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NAND  Flash  microSD  嵌入式  
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176 層 nand介紹

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