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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 18a 制程

先進(jìn)制程發(fā)展?jié)摿选≡O(shè)備/材料商競相出擊

  •   半導(dǎo)體先進(jìn)制程發(fā)展持續(xù)升溫,相關(guān)封裝、材料及設(shè)備需求也跟著水漲船高。為因應(yīng)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展趨勢,半導(dǎo)體業(yè)者紛紛祭出新型機(jī)臺(tái)、設(shè)備或化學(xué)材料解決方案,藉以強(qiáng)化自身競爭優(yōu)勢,并搶占龐大的先進(jìn)制程需求大餅。   2016 年Semicon Taiwan展的攤位數(shù)量達(dá)一千六百個(gè)攤位,預(yù)估參觀人數(shù)則上看4.3萬人,展會(huì)規(guī)模將創(chuàng)歷年之最。從本次Semicon Taiwan展會(huì)盛況可看出,整體而言,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來仍具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿?,特別是10奈米以下先進(jìn)制程,更是推動(dòng)半導(dǎo)體材料、設(shè)備需求的關(guān)鍵因素。 為滿足先
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半導(dǎo)體制程技術(shù)競爭升溫

  •   要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場版圖還為時(shí)過早…   盡管產(chǎn)量仍然非常少,全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator,F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示,三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊虾3闪⒌囊蛔戮A廠是否會(huì)采用FD
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存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)逐步向大陸轉(zhuǎn)移 這是彎道超車最佳時(shí)期?

  • 背景:2015年前三季度我國集成電路進(jìn)口額1629億美元,出口額473億美元,逆差1156億美元,較2014年同期進(jìn)一步擴(kuò)大。芯片自給率不足30%,高額利潤被海外巨頭繼續(xù)壟斷,國產(chǎn)任重道遠(yuǎn)。
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工藝制程跑太快,芯片電源設(shè)計(jì)拖后腿?

  • 市場對(duì)設(shè)備秏電量的要求也越來越嚴(yán)格,電源問題已經(jīng)快速成為芯片設(shè)計(jì)時(shí)最棘手的問題之一。
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Xilinx新小封裝FPGA降低50%成本

  •   2008年1月15日,中國北京-全球領(lǐng)先的可編程邏輯器件(PLD)供應(yīng)商賽靈思公司(Xilinx,?Inc.?(NASDAQ:?XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan?-3A?FPGA器件。針對(duì)數(shù)字顯示、機(jī)頂盒以及無線路由器等應(yīng)用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿足了業(yè)界對(duì)更小器件封裝尺寸的需求,為成本極為敏感的消費(fèi)電子設(shè)計(jì)提供將更好的支持?! partan-3系列平臺(tái):低成本消費(fèi)應(yīng)用的首選  賽靈思在大批量消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域所取得的成功很大程度上依賴于其S
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先進(jìn)制程競賽Xilinx首重整合價(jià)值

  •   由于ASIC的研發(fā)成本居高不下,加上近來FPGA不斷整合更多的功能,同時(shí)也突破了過往功耗過高的問題,尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后,其性價(jià)比開始逼近ASSP與ASIC,促使FPGA開始取代部分ASIC市場,應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。   掌握這樣的趨勢,讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營收持續(xù)成長。Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁SteveGlaser指出,預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會(huì)有1億美元的營收,市占率高達(dá)61%,而2014年更將大幅成長,目標(biāo)將成長至2億5千萬營收表現(xiàn),市占率也將成長
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c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計(jì)

  •   行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品市場持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計(jì),目前相關(guān)設(shè)計(jì)多使用整合晶片減少元件用量,對(duì)于異質(zhì)核心的封裝整合,若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì)造成成品元件仍具一定程度占位面積,必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設(shè)計(jì)…   矽晶片的制程技術(shù),一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級(jí)、改善的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力,以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合,目前已經(jīng)產(chǎn)生簡化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的,但隨著使用者對(duì)于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高,
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臺(tái)積電新制程 攻行動(dòng)穿戴

  •   就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際,晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能,原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長動(dòng)能,包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識(shí)元件、微機(jī)電及光感測元件等,都是臺(tái)積電未來2~3年的布局重點(diǎn)。   臺(tái)積電董事長張忠謀在上周法說會(huì)中,特別提及特殊技術(shù)重要性,因?yàn)樾袆?dòng)裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片,會(huì)大量用到28納米以下先進(jìn)制程,但其它的類比或感測芯片同樣重要,而這些芯片雖不需應(yīng)用
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ARM:14nm FinFET之路仍有顛簸

  •   自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場后,無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步,好能跟Intel一決高下,不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來說,去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星,將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵,但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。   日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào),營收同樣繼續(xù)維持成長,主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

  • 在LED制程中,藍(lán)寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn),但是考慮到成本與良率,藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢,可以預(yù)見接下來藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石,因此對(duì)它進(jìn)行
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左擁臺(tái)積右抱GF ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

  •   繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程,安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約,雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC),并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
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中芯國際:2013年中28nm工藝基本完成

  • ?????????? 問:作為中國本土的旗艦型制造企業(yè),您認(rèn)為中國制造型企業(yè),應(yīng)該如何用創(chuàng)新去應(yīng)對(duì)調(diào)整?如何走特色發(fā)展的道路? ? 答:首先從工藝方面來看,這15年是非常特殊的時(shí)期,發(fā)展速度很快。我記得我們在做90nm的時(shí)候,我們就有一種想法,覺得做到40、45nm的時(shí)候就差不多了,不過后來又發(fā)現(xiàn)還在演進(jìn)。所以我相信,尤其我們年輕一代,用創(chuàng)新精神會(huì)繼續(xù)往下做。 ??
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LED晶圓(外延)的生長制程

  • 今天來探討LED晶圓的生長制程,早期在小積體電路時(shí)代,每一個(gè)6英寸的晶圓上制作數(shù)以千計(jì)的晶粒,現(xiàn)在次微米線寬的...
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臺(tái)積電2009年-十月營收?qǐng)?bào)告

  •   臺(tái)積電公司今(10)日公布2009年十月營收?qǐng)?bào)告,就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,營收約為新臺(tái)幣291億8,100萬元,較今年九月增加了4.1%,較去年同期增加了2.9%。累計(jì)2009年一至十月營收約為新臺(tái)幣2,259億2,700萬元,較去年同期減少了21.9%。   就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,2009年十月營收約為新臺(tái)幣302億1,900萬元,較今年九月增加了4.4%,較去年同期增加了2.5%。累計(jì)2009年一至十月營收約為新臺(tái)幣2,338億6,600萬元,較去年同期減少了21.5%。   臺(tái)積電營收?qǐng)?bào)告(非合
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臺(tái)積電40nm制程仍存良率不足問題

  •   據(jù)業(yè)界分析,臺(tái)積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時(shí)候,臺(tái)積電曾公開承認(rèn)此問題,但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過,根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會(huì)議的內(nèi)容,我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對(duì)臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔(dān)憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。   不過并非所有廠商的情況均是如此,比如Altera公司便表示其委托臺(tái)積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。”   相比之下,Nvidia則對(duì)臺(tái)積電的4
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