22納米文章進(jìn)入22納米技術(shù)社區(qū)

瑞薩電子發(fā)布首顆22納米微控制器樣片

2023 年 4 月 11 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出基于22nm制程的首顆微控制器（MCU）。通過(guò)采用先進(jìn)的工藝技術(shù)，瑞薩可以為用戶提供卓越的性能，并通過(guò)降低內(nèi)核電壓來(lái)有效降低功耗。先進(jìn)的工藝技術(shù)還提供了更豐富的集成度（比如RF等），能夠在更小的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度。此次采用全新22nm工藝生產(chǎn)的首顆MCU，擴(kuò)展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm? Cortex?-M內(nèi)核的RA產(chǎn)品家族。該新型無(wú)線MCU支持低功
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聯(lián)電與Cadence攜手22納米模擬與混合信號(hào)設(shè)計(jì)認(rèn)證

聯(lián)華電子與Cadence于今(8月24)日共同宣布，Cadence的模擬與混合信號(hào)(Analog/Mixed Signal, AMS)芯片設(shè)計(jì)流程獲得聯(lián)華電子22納米超低功耗 (22ULP)與22納米超低漏電(22ULL)制程認(rèn)證，此流程可優(yōu)化制程效率、縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，加速5G、物聯(lián)網(wǎng)和顯示等應(yīng)用設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，滿足日漸增高的市場(chǎng)需求。聯(lián)電的22納米制程具有超低功耗和超低漏電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，可滿足在科技創(chuàng)新發(fā)展下，使用時(shí)間長(zhǎng)、體積小、運(yùn)算強(qiáng)的應(yīng)用需求。經(jīng)聯(lián)電認(rèn)證的Cadence AMS設(shè)計(jì)流程，提供了整合
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武漢新芯宣布與中科院微電子所簽訂22納米IP授權(quán)協(xié)定

　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的12寸晶圓制造公司今日宣布，已經(jīng)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所簽署了一項(xiàng)IP聯(lián)合授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，武漢新芯將獲得這四家研發(fā)機(jī)構(gòu)廣泛而全面的多項(xiàng)專利授權(quán)。　　此次中科院微電子所等4家研發(fā)機(jī)構(gòu)將長(zhǎng)期積累的包涵20納米以下集成電路創(chuàng)新技術(shù)的近1500件知識(shí)產(chǎn)權(quán)組成聯(lián)合專利池整體使用許可授予武漢新芯公司，極大地?cái)U(kuò)展了武漢新芯的知識(shí)產(chǎn)權(quán)覆蓋面，提升了武漢新芯未來(lái)的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。武漢新芯執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧博士表示：“中國(guó)
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武漢新芯宣布與中科院微電子所簽訂22納米IP授權(quán)協(xié)定

　　中國(guó)武漢—武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的12寸晶圓制造公司今日宣布，已經(jīng)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所簽署了一項(xiàng)IP聯(lián)合授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，武漢新芯將獲得這四家研發(fā)機(jī)構(gòu)廣泛而全面的多項(xiàng)專利授權(quán)。　　此次中科院微電子所等4家研發(fā)機(jī)構(gòu)將長(zhǎng)期積累的包涵20納米以下集成電路創(chuàng)新技術(shù)的近1500件知識(shí)產(chǎn)權(quán)組成聯(lián)合專利池整體使用許可授予武漢新芯公司，極大地?cái)U(kuò)展了武漢新芯的知識(shí)產(chǎn)權(quán)覆蓋面，提升了武漢新芯未來(lái)的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。武漢新芯執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧博士表
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四年艱苦攻關(guān) 中國(guó)22納米半導(dǎo)體工藝獲重大突破

　　說(shuō)起先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，Intel、IBM、臺(tái)積電、三星電子這些耳熟能詳?shù)拿挚隙〞?huì)立刻出現(xiàn)在大家的腦海中，而因?yàn)楦鞣矫娴南拗?，?guó)內(nèi)在這方面的差距還非常非常大，只有中芯國(guó)際能拿得出手，但也總比國(guó)外落后幾個(gè)時(shí)代。　　不過(guò)據(jù)《中國(guó)科學(xué)報(bào)》最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過(guò)4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能良好。
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中國(guó)22納米技術(shù)獲重大突破全球僅英特爾有量產(chǎn)

　　我國(guó)在22納米技術(shù)這一高端研發(fā)上有所建樹——4年前，這會(huì)被看做是天方夜譚。然而，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)重大突破，讓這一夢(mèng)想成真。到目前為止，全球也只有英特爾公司在22納米技術(shù)代實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)。 ? 　　中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過(guò)4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFE
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英特爾加速擴(kuò)展22納米數(shù)據(jù)中心處理器系列產(chǎn)品

　　− 在今年底之前，加速擴(kuò)展基于英特爾創(chuàng)新的22納米制程技術(shù)的數(shù)據(jù)中心處理器產(chǎn)品線。　　− 旨在通過(guò)英特爾機(jī)架式架構(gòu)而徹底改變服務(wù)器機(jī)架設(shè)計(jì)，以提高服務(wù)器的靈活性、密度和利用率，從而降低總體擁有成本。　　− 適用于微型服務(wù)器、研發(fā)代號(hào)為“Avoton”的下一代64位英特爾®凌動(dòng)™處理器正在向客戶提供樣品，預(yù)計(jì)在今年下半年全面發(fā)售。　　− 第四代英特爾酷睿處理器現(xiàn)已向客戶出貨，并將在二季度末發(fā)布。　
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英特爾推低耗數(shù)據(jù)中心芯片 Facebook高管捧場(chǎng)

　　北京時(shí)間12月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二推出了主要采用低能耗技術(shù)的數(shù)據(jù)中心芯片，英特爾此舉旨在加強(qiáng)自己在新興的微處理器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。目前，英特爾的這款產(chǎn)品已經(jīng)得到社交媒體Facebook部分高管的認(rèn)可。　　英特爾日前宣布，采用最新一代22納米制造工藝生產(chǎn)的芯片將于2013年量產(chǎn)，與高通等企業(yè)爭(zhēng)奪快速發(fā)展的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)。同英特爾此前設(shè)計(jì)的服務(wù)器芯片相比，本周二推出的這款凌動(dòng)芯片相比此前的英特爾服務(wù)器芯片耗電量更少。不過(guò)，諸多英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也已經(jīng)將自己的目光投向了低能耗服務(wù)器市場(chǎng)
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英特爾：22納米移動(dòng)系統(tǒng)芯片明年將量產(chǎn)

　　12月11日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾本周一在舊金山舉行的一個(gè)行業(yè)會(huì)議上展示了新的芯片生產(chǎn)技術(shù)。這些新技術(shù)將使英特爾按計(jì)劃推出用于智能手機(jī)和平板電腦的新一代芯片。目前，英特爾正在迅速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)追趕高通等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。　　英特爾在PC行業(yè)占統(tǒng)治地位。但是，在依賴電池和需要電源效率的移動(dòng)設(shè)備方面，英特爾處理器的應(yīng)用一直很遲緩。　　英特爾展示了制造22納米系統(tǒng)芯片的加工技術(shù)。英特爾在一份展示文件中稱，英特爾22納米系統(tǒng)芯片技術(shù)將在2013年投入大批量生產(chǎn)。　　英特爾目前的移動(dòng)系統(tǒng)芯片是采用32
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微軟欲提速發(fā)布平板電腦死磕蘋果

　　兩家IT巨頭的戰(zhàn)爭(zhēng)才真正開(kāi)始。近日，海外消息人士發(fā)帖稱，微軟計(jì)劃在2013年發(fā)布三款全新的Surface平板電腦，以不同尺寸和配置全面對(duì)抗蘋果各款iPad產(chǎn)品。　　據(jù)悉，新款平板電腦Surface RT 2將配置8.6英寸屏幕，使用高通芯片而非Nvidia公司的Tegra 3。另一款名為Microsoft Pro的平板電腦將配置11.6英寸屏幕，搭載AMD公司的Temash APU。還有一款Surface Book產(chǎn)品將配置14.6英寸顯示屏，并采用22納米制程的英特爾Haswell芯片。　　
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分析師稱三星目前仍是蘋果重要芯片供應(yīng)商

　　據(jù)外電消息報(bào)道，RBC Capital(加拿大皇家銀行資本)的分析師艾米特達(dá)亞納尼(Amit Daryanani)周五發(fā)布了一份研究報(bào)告，分析了最有可能成為蘋果產(chǎn)品處理器供應(yīng)商的幾家廠商。他認(rèn)為，三星目前仍然是蘋果產(chǎn)品的獨(dú)家處理器供應(yīng)商。　　但是業(yè)內(nèi)人士相信，蒂姆庫(kù)克(Tim Cook)不想永遠(yuǎn)依賴于一家公司，更何況這家公司還被他指控為竊取了蘋果的知識(shí)產(chǎn)權(quán)并且正在不斷與蘋果搶奪智能手機(jī)市場(chǎng)份額。艾米特達(dá)亞納尼就此進(jìn)行分析。　　達(dá)亞納尼稱，更換供應(yīng)商并不是一件容易的事。蘋果為最新版iPhone和
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SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

　　不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要SOI晶圓供應(yīng)商表示，他們已經(jīng)為超薄襯底的SOI晶圓的規(guī)?；a(chǎn)做好了準(zhǔn)備。這些絕緣層上硅的厚度只有不到10納米，而且均勻性控制在艾米量級(jí)SOI晶圓對(duì)生產(chǎn)合格的全耗盡型晶體管是至關(guān)重要的。
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英特爾拿什么迎戰(zhàn)ARM

　　除卻軟件操作系統(tǒng)MeeGo，英特爾正試圖通過(guò)22納米制程芯片進(jìn)軍移動(dòng)市場(chǎng)，但遲遲不見(jiàn)可以量產(chǎn)的產(chǎn)品，這一點(diǎn)似乎讓英特爾進(jìn)軍移動(dòng)市場(chǎng)的技術(shù)和雄心都擱淺在了假設(shè)階段。　　
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2012年光刻掩膜板市場(chǎng)預(yù)計(jì)可達(dá)32億美元

　　SEMI研究報(bào)告最新研究報(bào)告顯示，2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)達(dá)到了30億元規(guī)模，預(yù)估2012年這一數(shù)字可達(dá)32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)在2010年增長(zhǎng)了10%，而未來(lái)兩年光刻掩膜板市場(chǎng)則預(yù)計(jì)將有7%和2%的成長(zhǎng)。　　
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22納米晶體管：小而強(qiáng)悍

　　最早由貝爾實(shí)驗(yàn)室在1947年開(kāi)發(fā)的晶體管非常大，以至于可用手直接進(jìn)行組裝。與之形成強(qiáng)烈對(duì)比的是，一個(gè)針頭上就可以容納超過(guò)1億個(gè)22納米三柵極晶體管。　　
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