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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容

  • 7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
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三星3nm取得突破性進展！Exynos 2500樣品已達3.20GHz

  • 7月14日消息，據(jù)媒體報道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實現(xiàn)了3.20GHz的高頻運行，這一頻率不僅超越了此前的預期，而且比蘋果A15 Bionic更省電，效率表現(xiàn)更為出色。此前，有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過低的擔憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過三星在月初的聲明中，對外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認，強調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定，產(chǎn)
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息，據(jù)媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號

  •  2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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基于MSP430和CC2500的USB無線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  • 摘要：設(shè)計基于MSP430單片機和CC2500無線收發(fā)器的USB無線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，通過USB調(diào)試端口在IDE或CCE開發(fā)環(huán)境下編寫、下載和調(diào)試應(yīng)用程序，其目標板可作為一個獨立的具有或沒有外部傳感器的系統(tǒng)。介紹基于MSP430和CC25
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