臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領先專業(yè)積體電路制造服務領域,成功開發(fā)28納米低耗電技術,同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝,將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝,使得半導體可以持續(xù)往先進工藝技術推進。此一工藝技術的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
關鍵字:
臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
2008年10月9日 IBM、特許半導體制造有限公司、三星電子有限公司以及ARM公司宣布將在high-k metal-gate (HKMG)技術的基礎上開發(fā)一個完整的32納米和28納米的片上系統(tǒng)(SoC)設計平臺。
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ARM SoC 32納米 28納米
臺積電日前宣布,將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程,同時提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate,HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇,以支持不同產品的應用及效能需求。此一28納米制程預計于2010年第一季開始生產。
臺積公司28納米系列制程同時具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化硅閘晶體管兩種選擇的彈性制造能力,而28納米制程將是此一系列中的全世代制程。目前有多個客戶正使用臺積公司28納米制程進行產品設計,藉由與客戶密切的協(xié)同合作,可以讓客戶選用最佳化的晶體管材料
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臺積電 28納米
28納米介紹
就是指制造工藝,比如說CPU,以前的制造工藝是130nm,后來又出現了90nm、45nm、30nm、22mn等,28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝,指的是手機主板芯片里面的半導體溝道之間的距離,現在做到28納米了,之所以賣家要說這點,是科技進步的表現,能做到越小,這方面的技術工藝越先進,越小集成度越高,但是隨之而來會出現負面的效應,耗能散熱的問題,電子通過的通道越窄,一來是工藝越難 [
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