28納米 文章 進(jìn)入28納米技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積28納米產(chǎn)能下滑 沖擊耗材供應(yīng)商
- 臺(tái)積電28納米第4季產(chǎn)能無法滿載,產(chǎn)能下滑將影響中砂(1560)、家登、閎康及翔名等相關(guān)耗材供應(yīng)商營運(yùn)表現(xiàn)。 臺(tái)積電第4季面臨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速調(diào)整庫存,坦承第4季減幅將超過去年同期的季減7%,法人紛紛下修臺(tái)積電產(chǎn)能利用率低于八成。 雖然日前巴克萊證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之以臺(tái)積電10月將獲急單,認(rèn)為臺(tái)積電第4季產(chǎn)能利用率不至于低于八成,但市場普遍不以為然,因?yàn)閺脑O(shè)備商和相關(guān)晶圓耗材預(yù)估28納米制程采購現(xiàn)況來看,減幅可能達(dá)三成之多,驗(yàn)證臺(tái)積電第4季28納米產(chǎn)能利用率將明顯下滑。 法
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臺(tái)積28納米 Q4可能暖停機(jī)
- 晶圓代工龍頭廠商臺(tái)積電因應(yīng)主力客戶砍單,主力制程28納米制程的部分設(shè)備將于第4季首度進(jìn)行「暖停機(jī)」,并減緩擴(kuò)充速度,預(yù)估減產(chǎn)幅度近三成。 臺(tái)積電28納米制程歷經(jīng)八季產(chǎn)能滿載之后,首度面臨「停機(jī)」減產(chǎn),呼應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)材日前在線上法說會(huì)當(dāng)中透露,晶圓代工廠將放緩?fù)顿Y腳步的重要訊息。 半導(dǎo)體制程的暖停機(jī)是指制程設(shè)備仍連結(jié)電源,并讓無塵室維持隨時(shí)可運(yùn)作的狀態(tài),有別于切斷電源的停機(jī),意謂一旦有訂單,臺(tái)積電隨時(shí)可以開啟28納米制程產(chǎn)能。 臺(tái)積電企業(yè)訊息處處長兼發(fā)言人孫又文18日表示,28納
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7月營收臺(tái)積電悶、聯(lián)電樂
- 晶圓雙雄7月營收不同調(diào),臺(tái)積電(2330)7月合并營收521.03億元,較6月減少3.6%;聯(lián)電(2303)7月合并營收115.58億元,則比前月成長7.4%。雖然7月消長不一,但對(duì)于第3季的預(yù)期則是差異不大,由于今年半導(dǎo)體業(yè)第3季旺季不明顯,臺(tái)積電單季營收季成長率約3.3-5.2%,聯(lián)電也預(yù)估晶圓出貨季成長率在3-4%左右。 臺(tái)積電表示,自今年7月起,精材(Xintec)的營收將不再列入臺(tái)積的合并財(cái)務(wù)報(bào)表中,因此7月的合并營收521.03億元,較上個(gè)月減少了3.6%,較去年同期增加7.3%。如
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聯(lián)華電子與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)
- 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項(xiàng)工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta與聯(lián)華電子正密切合作利用DDC晶體管技術(shù)的優(yōu)勢來降低泄漏功耗,并提高SRAM的低電壓效能。
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聯(lián)華與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)
- 聯(lián)華電子的28納米 High-K/Metal Gate工藝運(yùn)用SuVolta的 DDC技術(shù)指向移動(dòng)應(yīng)用 臺(tái)灣新竹, 加州洛斯加托斯— 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項(xiàng)工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta
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芯微電子發(fā)布基于GLOBALFOUNDRIES 28納米HKMG工藝的新款平板電腦SoC
- RK3188與RK3168采用28納米工藝以超低漏電實(shí)現(xiàn)GHz級(jí)性能 GLOBALFOUNDRIES與福州瑞芯微電子有限公司(以下簡稱“瑞芯”)18日共同宣布,瑞芯新一代基于GLOBALFOUNDRIES 28納米高K金屬柵(HKMG)工藝技術(shù)的移動(dòng)處理器已進(jìn)入量產(chǎn)階段。RK3188與RK3168芯片基于ARM 多核Cortex-A9技術(shù)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,主要用于未來高性能、低成本且具有長時(shí)間續(xù)航能力的平板電腦(具體性能參數(shù)請參見文后附錄)。 全新的用于主流平板電腦的系統(tǒng)
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中芯國際針對(duì)40及28納米舉辦先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)
- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)交所:981),中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次研討會(huì)以40納米及28納米IP解決方案為主題,旨在促進(jìn)中芯國際與客戶在高端設(shè)計(jì)技術(shù)上有更深入的交流,以推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和商務(wù)合作。 中芯國際今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次研討會(huì)以40納米及28納米IP解決方案為主題,旨在促進(jìn)中芯國際與客戶在高端設(shè)計(jì)技術(shù)
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旺季到 晶圓代工Q2營運(yùn)逐月升
- 隨著傳統(tǒng)旺季逐漸接近,客戶投片量增加,市場預(yù)期晶圓代工雙雄臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)第2季營收將逐月增長。 因市場庫存與需求達(dá)到供需平衡,加上手機(jī)晶片需求強(qiáng)勁,臺(tái)積電第2季接單旺盛,尤其28奈米制程產(chǎn)能擴(kuò)增,加上技術(shù)與良率領(lǐng)先同業(yè),客戶投片熱絡(luò),帶動(dòng)產(chǎn)能利用率持續(xù)滿載。 臺(tái)積電預(yù)估以匯率29.82元計(jì)算,第2季營收將達(dá)1540-1560億元,季增幅度高達(dá)16-17.5%,遠(yuǎn)高于法人預(yù)估的5-9%,也因受惠產(chǎn)能利用率進(jìn)一步提高,毛利率也增長達(dá)47.5-49.5%,營業(yè)利益率上看35
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中芯國際采用概倫電子NanoYield高良率解決方案
- 中國 北京, 2013年5月15日,概倫電子科技有限公司(下稱概倫電子)宣布中芯國際集成電路制造有限公司(下稱中芯國際, 紐交所代號(hào):SMI,港交所股份代號(hào):981)已在其先進(jìn)工藝制程開發(fā)流程中采用概倫電子NanoYieldTM高良率(High Sigma)解決方案。 概倫電子作為SPICE模型解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商及業(yè)界領(lǐng)先的良率導(dǎo)向設(shè)計(jì)(DFY)技術(shù)供應(yīng)商,于2012年推出NanoYield—專為存儲(chǔ)器、邏輯和模擬電路設(shè)計(jì)所研發(fā)的快速而精準(zhǔn)的良率預(yù)測和優(yōu)化軟件。
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晨星轉(zhuǎn)進(jìn)28納米制程
- 智能型電視成為當(dāng)前全球趨勢,為滿足更復(fù)雜的設(shè)計(jì),同時(shí)降低成本,市場傳出,全球電視芯片龍頭F-晨星(3697)已率先轉(zhuǎn)進(jìn)28納米制程,瑞昱亦計(jì)劃跟進(jìn),都將成為晶圓龍頭臺(tái)積電的28納米客戶。 目前手機(jī)芯片早已以28納米為主流,但過去電視芯片均以40 納米制程為主,隨著電視市場轉(zhuǎn)往智能型電視,芯片的設(shè)計(jì)復(fù)雜度變高,加上每年都要降價(jià)的成本控制要求,使得電視芯片廠也開始轉(zhuǎn)進(jìn)更先進(jìn)的制程。 市場傳出,預(yù)定8月與聯(lián)發(fā)科合并、并掌握兩家電視芯片資源的晨星,已率先將新產(chǎn)品投入使用28納米制程,采用新制程的新
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Cadence和GLOBALFOUNDRIES合作改進(jìn)20及14納米節(jié)點(diǎn)DFM簽收
- 【中國,2013年5月13日】全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)近日宣布,GLOBALFOUNDRIES已攜手Cadence®,為其20和14納米制程提供模式分類數(shù)據(jù)。GLOBALFOUNDRIES之所以采用Cadence模式分類和模式匹配解決方案,是因?yàn)樗鼈兛梢允箍芍圃煨栽O(shè)計(jì)(DFM)加快四倍,這對(duì)提高客戶硅片成品率和可預(yù)測性非常關(guān)鍵。 “我們已集成了Cadence模式分類技術(shù),根據(jù)模式相似性將成品率不利因素分成若干模式
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TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)大 國產(chǎn)芯片需向28納米突圍
- 當(dāng)智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端日漸流行之時(shí),4月2日,展訊宣布其兩款雙核智能手機(jī)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)商用并通過中國移動(dòng)入庫測試,但是公司市場方面工作人員在對(duì)外宣傳上,顯得相當(dāng)謹(jǐn)慎。 不過,展訊市場推廣總監(jiān)周偉芳在日前召開的中國電子信息博覽會(huì)上對(duì)媒體表示,展訊芯片占據(jù)中國移動(dòng)2012年TD-SCDMA手機(jī)出貨量的五成以上。而按照54%的市場占有率粗略估算,預(yù)計(jì)展訊2013年的出貨量將超過7000萬部。 從市場數(shù)據(jù)來看,由于3G已經(jīng)開始占據(jù)市場主導(dǎo)地位,TD-SCDMA終端增長迅猛,一舉超過WCDMA終端
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TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈逐漸擴(kuò)大 國產(chǎn)芯片廠商需向28納米突圍
- 當(dāng)智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端日漸流行之時(shí),4月2日,展訊宣布其兩款雙核智能手機(jī)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)商用并通過中國移動(dòng)入庫測試,但是公司市場方面工作人員在對(duì)外宣傳上,顯得相當(dāng)謹(jǐn)慎。 不過,展訊市場推廣總監(jiān)周偉芳在日前召開的中國電子信息博覽會(huì)上對(duì)媒體表示,展訊芯片占據(jù)中國移動(dòng)2012年TD-SCDMA手機(jī)出貨量的五成以上。而按照54%的市場占有率粗略估算,預(yù)計(jì)展訊2013年的出貨量將超過7000萬部。 從市場數(shù)據(jù)來看,由于3G已經(jīng)開始占據(jù)市場主導(dǎo)地位,TD-SCDMA終端增長迅猛,一舉超過WCDMA終端
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今年晶圓代工市場將年增7.6% 約達(dá)370億美元以上規(guī)模
- 根據(jù)國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)發(fā)布的最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果,2012年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場總值達(dá)346億美元,較2011年成長16.2%。雖然臺(tái)積電董事長張忠謀日前在法說會(huì)中預(yù)估,今年晶圓代工市場年成長率將上看10%,但Gartner看法仍較保守,僅認(rèn)為今年晶圓代工市場僅年增7.6%,約達(dá)370億美元以上規(guī)模。 Gartner研究副總裁王端表示,2012年行動(dòng)裝置半導(dǎo)體營收首度超越PC與筆記本電腦的半導(dǎo)體營收,亦為行動(dòng)應(yīng)用先進(jìn)技術(shù)首度帶動(dòng)晶圓代工市場營收的指標(biāo)年。此外,主要晶圓代工廠不僅于
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IC制造業(yè):28納米還有多遠(yuǎn)
- 我國集成電路產(chǎn)業(yè)正致力于形成設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)相對(duì)均衡發(fā)展的結(jié)構(gòu),IC制造企業(yè)在其中發(fā)揮重要作用。記者采訪了中國大陸IC制造企業(yè)有關(guān)人士,對(duì)今年市場熱點(diǎn)、技術(shù)走向做了詳盡分析。 智能手機(jī)平板電腦是IC市場引擎 中國IC市場最大的推動(dòng)力是以智能手機(jī)和平板電腦為代表的移動(dòng)終端。 據(jù)iSuppli報(bào)告顯示,2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長6.4%,達(dá)到3223億美元,2012年?duì)I業(yè)收入從2011年的3102.1億美元降到3030億美元。 關(guān)于IC制造業(yè)的市場發(fā)展情況,
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28納米介紹
就是指制造工藝,比如說CPU,以前的制造工藝是130nm,后來又出現(xiàn)了90nm、45nm、30nm、22mn等,28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝,指的是手機(jī)主板芯片里面的半導(dǎo)體溝道之間的距離,現(xiàn)在做到28納米了,之所以賣家要說這點(diǎn),是科技進(jìn)步的表現(xiàn),能做到越小,這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn),越小集成度越高,但是隨之而來會(huì)出現(xiàn)負(fù)面的效應(yīng),耗能散熱的問題,電子通過的通道越窄,一來是工藝越難 [ 查看詳細(xì) ]
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