首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d-nand

SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月(協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時(shí)間點(diǎn))支付收購(gòu)尾款,完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成,將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場(chǎng)的地位,尤其是企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用,存儲(chǔ)需求正在不斷增長(zhǎng),HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒(méi)有停止擴(kuò)張的步伐,這次收購(gòu)將使SK海力士與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星展開(kāi)直接競(jìng)爭(zhēng)?!?2020年10月,SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議,宣布以90億美元收購(gòu)其N(xiāo)AND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù);· 2021年12月,第一階段的交易完成,SK海力士支付70億
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  英特爾  NAND  閃存  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

  • 3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
  • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  

十年磨一劍:三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)

  • 近日,三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)簽署了3D NAND混合鍵合(Hybrid Bonding)相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò),目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND(V10)將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造,因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接,形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短,顯著提高了傳輸
  • 關(guān)鍵字: 三星  長(zhǎng)江存儲(chǔ)  NAND  混合鍵合  晶棧  Xtacking  閃存  

NAND Flash市況 有望6月復(fù)蘇

  • NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期,NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn),下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年,甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出,2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌,但供應(yīng)商已開(kāi)始堅(jiān)守價(jià)格,避免市場(chǎng)陷入低迷行情。他強(qiáng)調(diào),供應(yīng)商根據(jù)市場(chǎng)狀況自然調(diào)節(jié)供給,是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一,2025年NAND Flash位元供給,估計(jì)將增加上看20%。美國(guó)商務(wù)部對(duì)出口至中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器制造設(shè)備實(shí)施管制,也將延緩中國(guó)大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張步伐。盡管中國(guó)大陸部分
  • 關(guān)鍵字: TrendForce  集邦咨詢  NAND Flash  

稱(chēng)三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作,新一代NAND將采用中國(guó)企業(yè)專(zhuān)利

  • 據(jù)韓媒報(bào)道,三星已確認(rèn)從V10(第10代)開(kāi)始,將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的專(zhuān)利技術(shù),特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利的許可協(xié)議,達(dá)成合作。據(jù)悉,V10是三星電子計(jì)劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND,該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù),其中最重要的是W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè),并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
  • 關(guān)鍵字: 三星  長(zhǎng)江存儲(chǔ)  NAND  

鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,日前, 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù),以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹(shù)立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉,鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù),分別制造CMOS控制電路、NAND存儲(chǔ)陣列,然后鍵合在一起,類(lèi)似長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層,對(duì)比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品(BiCS FLASH? generation 8)實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升,達(dá)到4.8G
  • 關(guān)鍵字: 鎧俠  3D閃存  NAND  

NAND閃存再減產(chǎn):三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報(bào)道,NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)前,存儲(chǔ)器市場(chǎng),尤其是NAND閃存領(lǐng)域,似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái),NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤(rùn)空間,為此,三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施,將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí),N
  • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  三星  SK海力士  

紫光國(guó)微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

  • 日前,紫光國(guó)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露,公司在無(wú)錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線,現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作,2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解,無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目,也是紫光國(guó)微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線,對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
  • 關(guān)鍵字: 紫光國(guó)微  2D/3D  芯片封裝  

國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報(bào)道,近日,研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調(diào)整化學(xué)成分,將蝕刻速度提高了一倍,提高了精度,為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來(lái)自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室(PPPL)的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道,前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示,使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  深孔蝕刻  

NAND價(jià)格能否“觸底反彈”?

  • 全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌,為應(yīng)對(duì)這一不利局面,廠商開(kāi)始減產(chǎn)以平衡供求,進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn),隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國(guó)本土的NAND產(chǎn)量以及中國(guó)西安工廠的開(kāi)工率,韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。
  • 關(guān)鍵字: NAND  三星  閃存  美光  SK海力士  

NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報(bào)告指出,NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產(chǎn),Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃,可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示,NAND Flash廠商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方式達(dá)成減產(chǎn)目的,背后受以下因素驅(qū)動(dòng):第一,需求疲軟
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  減產(chǎn)  TrendForce  集邦咨詢  

應(yīng)對(duì)降價(jià):三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存!

  • 1月13日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn),以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌,確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,截至2024年10月底,用于存儲(chǔ)卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過(guò)10%,每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外,三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng),導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施,當(dāng)時(shí)
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  存儲(chǔ)卡  U盤(pán)  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數(shù)據(jù)  美光  長(zhǎng)江存儲(chǔ)  

李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺(jué)的愿景:World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用,多年來(lái)努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競(jìng)賽,挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年,一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng),它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型,并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開(kāi)始騰飛,由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
  • 關(guān)鍵字: 李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺(jué)的愿景:World Labs 正在為機(jī)器提供 3D 空間智能  

SK 海力士新設(shè) AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén),任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  • 12 月 5 日消息,據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道,SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率,該公司推行“C-Level”管理體系,依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限,業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(CMO)、未來(lái)技術(shù)研究院(CTO)、研發(fā)(CDO)和生產(chǎn)(CPO)在內(nèi)的五大部門(mén)。據(jù)介紹,新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力,著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  內(nèi)存  NAND  

谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

  • 12月5日消息,美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三,谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型,能夠創(chuàng)造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2,是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級(jí)版。僅憑一張圖片和一段文字描述,例如“一個(gè)可愛(ài)的機(jī)器人置身于茂密的森林中”,Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面,它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng),Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
  • 關(guān)鍵字: 谷歌  DeepMind  Genie 2  模型  3D  互動(dòng)世界  
共1688條 1/113 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

3d-nand介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473