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先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進步

  • 先進封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
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預(yù)估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

  • 即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預(yù)估，第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
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2023年內(nèi)存芯片趨勢

  • 2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時止跌還是未知數(shù)。
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NAND Flash 大降價，固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

  • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費者來說，我們確實能買到更便宜的固態(tài)
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內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

  • 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步。
  • 關(guān)鍵字： 莫大康  半導(dǎo)體  華為  光刻機  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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存儲大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計最快2024年問世

  • 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

  • 半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步
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均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

  • TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%，平均銷售單價環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達
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外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”

  • 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”

  • 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復(fù)雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當(dāng)今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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3d-nand介紹

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