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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái),泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

  • 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。)l  這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展,因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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基于NAND門的行李安全警報(bào)

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中,我們會(huì)攜帶許多重要的物品,而且總是擔(dān)心有人會(huì)偷走我們的行李。因此,為了保護(hù)我們的行李,我們通常會(huì)用老辦法,借助鏈條和鎖來(lái)鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后,我們還是會(huì)擔(dān)心有人會(huì)割斷鎖鏈,拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼,這里有一個(gè)基于 NAND 門的簡(jiǎn)易電路。在這個(gè)電路中,當(dāng)有人試圖提起你的行李時(shí),它就會(huì)發(fā)出警報(bào),這在你乘坐公共汽車或火車時(shí)非常有用,即使在夜間也是如此,因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是,您可以在家中使用這種電路,以便在這種報(bào)警電路的幫助
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU,主頻達(dá)到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個(gè) Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī),支持 5 軸電機(jī)控制,支
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三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

  • 今年 Q3,存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國(guó)上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)(上海)機(jī)器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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6月中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià),對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢(shì),預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫(kù)存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星?

  • 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠與合作方美國(guó)西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運(yùn)營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營(yíng)銷的方案等,未來(lái)雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并,擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán),關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱,由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績(jī)低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競(jìng)爭(zhēng)力。資料顯示,鎧俠
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DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖

  • 業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
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需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購(gòu)動(dòng)能保守,供應(yīng)商持續(xù)透過(guò)降價(jià)求售,但第一季NAND Flash位元出貨量?jī)H微幅環(huán)比增長(zhǎng)2.1%,平均銷售(ASP)單價(jià)季減15%,合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量?jī)r(jià)齊跌,沖擊營(yíng)收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)影響,第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
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DRAM迎來(lái)3D時(shí)代?

NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

  • 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財(cái)報(bào),營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬(wàn)美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存,包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商,因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備,雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件,這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC,通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

  • 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì),推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬(wàn)次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、
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3d-nand介紹

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