首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對于中國市場報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

  • 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等，未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
  • 關(guān)鍵字： 鎧俠  西數(shù)  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動(dòng)能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價(jià)齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
  • 關(guān)鍵字： 集邦  NAND Flash  

NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

  • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費(fèi)級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認(rèn)為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  主控芯片  

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  

復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

  • 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
  • 關(guān)鍵字： 復(fù)旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲器  

先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

  • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
  • 關(guān)鍵字： 封裝  NAND  DRAM   

預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

  • 即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預(yù)估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價(jià)有機(jī)會(huì)在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
  • 關(guān)鍵字： 集邦  NAND Flash  

2023年內(nèi)存芯片趨勢

  • 2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲芯片  DRAM  NAND  

NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤取代機(jī)械硬盤指日可待

  • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費(fèi)者來說，我們確實(shí)能買到更便宜的固態(tài)
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

  • 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步。
  • 關(guān)鍵字： 莫大康  半導(dǎo)體  華為  光刻機(jī)  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  NAND Flash  
共1113條 6/75 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

3d-nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473