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3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
1γ DRAM、321層NAND!存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言,先進(jìn)制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前,DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后,計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn),未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND 存儲(chǔ)
消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道,三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過低,公司計(jì)劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅在 10% 以上,預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報(bào)道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND flash 漲價(jià)
面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則,韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略
- 面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則,韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄,韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù),并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件,并在未來10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示,補(bǔ)貼接受者在
- 關(guān)鍵字: CHIPS法案 韓國(guó)半導(dǎo)體 DRAM NAND
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%,DRAM 要開啟增長(zhǎng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來最長(zhǎng)的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道,伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后,DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%,預(yù)期第三季將成長(zhǎng)逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷,供過于求態(tài)勢(shì)延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷售單價(jià)(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(zhǎng)達(dá)19.9%,合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%,營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產(chǎn)行列,且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度,供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià),供過于求態(tài)勢(shì)有望因此獲得改善。不過,由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多,在庫(kù)存仍高的情
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日,三星(Samsung)為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫(kù)存去化速度,預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲,漲幅預(yù)估約0~5%。價(jià)格方面,如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè),NAND Flash價(jià)格反彈會(huì)早于DRAM,由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大,銷售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商為了維持營(yíng)運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn),以期帶動(dòng)價(jià)
- 關(guān)鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型,即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此,在這些基本邏輯門的幫助下,我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式?;具壿嬮T的真值表:了解每個(gè)邏輯門的功能對(duì)熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門:這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡(jiǎn)單的一種。該邏輯門只有兩個(gè)端子,一個(gè)用于輸入,另一個(gè)用于輸出。門的輸入是二進(jìn)制數(shù),即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反,也就是說,如果輸入端為 1,則輸出端為 0,反之亦然??赡艹霈F(xiàn)的級(jí)數(shù)由 2a 計(jì)
- 關(guān)鍵字: NAND 邏輯門
NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價(jià) 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器
- 在本教程中,我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應(yīng)用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路,即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗(yàn)發(fā)生器和校驗(yàn)器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài),而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外,當(dāng)輸入發(fā)生變化時(shí),組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入,還取決
- 關(guān)鍵字: NAND NOR門 SR觸發(fā)器
三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈
- 據(jù)媒體報(bào)道,三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商,為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力,將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈,各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND,同時(shí)正在將日本東京電子(TEL)的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線,此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結(jié)束時(shí),三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫(kù)存已增至
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存,并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲(chǔ)器的起始位置開始存儲(chǔ)數(shù)據(jù),會(huì)覆蓋上次存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲(chǔ)。針對(duì)該問題,本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲(chǔ)空間,記錄最新分區(qū)信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖,并進(jìn)行了驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字: 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
因業(yè)務(wù)低迷,消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)
- IT之家 8 月 16 日消息,據(jù)韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)道,為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)狀況,三星電子計(jì)劃停止其位于韓國(guó)平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露,三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn),該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND,其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示,鑒于市場(chǎng)持續(xù)低迷,業(yè)界猜測(cè)三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì)減少 10% 左右,而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
- 關(guān)鍵字: 三星電子 V-NAND
基于NAND門的行李安全警報(bào)
- 在乘坐火車和公共汽車的旅途中,我們會(huì)攜帶許多重要的物品,而且總是擔(dān)心有人會(huì)偷走我們的行李。因此,為了保護(hù)我們的行李,我們通常會(huì)用老辦法,借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后,我們還是會(huì)擔(dān)心有人會(huì)割斷鎖鏈,拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼,這里有一個(gè)基于 NAND 門的簡(jiǎn)易電路。在這個(gè)電路中,當(dāng)有人試圖提起你的行李時(shí),它就會(huì)發(fā)出警報(bào),這在你乘坐公共汽車或火車時(shí)非常有用,即使在夜間也是如此,因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是,您可以在家中使用這種電路,以便在這種報(bào)警電路的幫助
- 關(guān)鍵字: NAND 邏輯門
3d-nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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