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三星率先發(fā)布3nm芯片，日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm

  • 關(guān)于芯片，大多數(shù)小伙伴了解到的，當(dāng)下最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝是5nm，當(dāng)然也一直流傳臺(tái)積電正在研發(fā)3納米，甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺(tái)積電一直在技術(shù)上處于領(lǐng)先地位，可誰(shuí)也沒(méi)想到的是，三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過(guò)去不久的IEEE ISSCC國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)上，三星首發(fā)應(yīng)用3nm工藝制造的SRAM存儲(chǔ)芯片，將半導(dǎo)體工藝再度推上一個(gè)進(jìn)程，國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)我在之前的視頻里提到過(guò)好多次，是世界最權(quán)威的行業(yè)會(huì)議，所以這也證明的三星的技術(shù)實(shí)力真的很強(qiáng)。而我國(guó)目前在生產(chǎn)工藝上，最厲害的中芯國(guó)際也只停留在今年可以實(shí)現(xiàn)7nm試
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臺(tái)積電 3nm 制程本月已試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)程將提前

  • 3月30日消息去年 8 月，臺(tái)積電總裁魏哲家在臺(tái)積電技術(shù)論壇上表示，3nm 預(yù)計(jì) 2021 年試產(chǎn)，將于 2022 年下半年量產(chǎn)?！　?jù)財(cái)聯(lián)社，供應(yīng)鏈消息傳出，臺(tái)積電 3nm 制程進(jìn)展順利，試產(chǎn)進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期，已于 3 月開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)并小量交貨?！　∨_(tái)積電對(duì)此消息回應(yīng)稱，不評(píng)論市場(chǎng)傳聞?！　　　T之家了解到，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音此前透露 3nm 按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展，進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前?！　?jù)臺(tái)媒Digitimes 此前報(bào)道，臺(tái)積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程，原本預(yù)計(jì) 2021 年第四季度試產(chǎn)，2
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臺(tái)積電和蘋(píng)果合作致力2nm工藝開(kāi)發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢(shì)頭強(qiáng)勁

  • 近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋(píng)果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?！　∧壳笆謾C(jī)開(kāi)始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋(píng)果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過(guò)臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問(wèn)題?！　　　?jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋(píng)果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開(kāi)發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋(píng)果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過(guò)受益者可能不只是蘋(píng)果，還有英特爾。臺(tái)
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臺(tái)積電今年提前投產(chǎn)3nm：Intel也要用！

  • 在新制程工藝推進(jìn)速度上，臺(tái)積電已經(jīng)徹底無(wú)敵，Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。據(jù)最新消息，臺(tái)積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝，雖然只是風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)和小規(guī)模量產(chǎn)，但也具有里程碑式的意義。很自然的，臺(tái)積電會(huì)在明年大規(guī)模量產(chǎn)3nm，初期產(chǎn)能每月大約3萬(wàn)塊晶圓，到了2023年可達(dá)每月10.5萬(wàn)塊晶圓，趕上目前5nm的產(chǎn)能，而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬(wàn)塊晶圓。根據(jù)臺(tái)積電數(shù)據(jù)，3nm雖然繼續(xù)使用FinFET晶體管，但是相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。據(jù)悉，蘋(píng)果將是臺(tái)積
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消息稱臺(tái)積電將量產(chǎn)3nm芯片：性能、功耗大幅優(yōu)于5nm

  • 據(jù)外媒最新消息稱，臺(tái)積電有望在2022年下半年開(kāi)始啟用3nm制造工藝，屆時(shí)該晶圓廠將有能力處理3萬(wàn)片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。據(jù)報(bào)道，得益于蘋(píng)果的訂單承諾，臺(tái)積電計(jì)劃在2022年將3nm工藝的月產(chǎn)能擴(kuò)大到5.5萬(wàn)片，并將在2023年進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)量至10.5萬(wàn)片。3nm工藝比5nm工藝的功耗和性能分別提升30%和15%。臺(tái)積電計(jì)劃在今年全年擴(kuò)大5nm工藝的制造能力，以滿足主要客戶日益增長(zhǎng)的需求。根據(jù)今天的報(bào)告，臺(tái)積電將在2021年上半年將規(guī)模從2020年第四季度的9萬(wàn)片提升至每月10.5萬(wàn)片，并計(jì)劃在今年下
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5nm？3nm？芯片制程的極限究竟在哪里?

  • 現(xiàn)在的集成電路制造技術(shù)其核心就是光刻技術(shù)，這種方法與照相類(lèi)似，就是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的硅片上。
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CES上演芯片競(jìng)賽 英特爾CEO司睿博：我們不是守成派

  • 巨頭們進(jìn)一步更新自家產(chǎn)品線?！　?月11-14日，CES消費(fèi)電子展在線上拉開(kāi)2021年科技界的序幕，除了機(jī)器人、可穿戴、未來(lái)電視等終端產(chǎn)品之外，核心的芯片廠商也亮出大招，展開(kāi)新一代處理器的軍備競(jìng)賽。　　其中，英特爾在CES發(fā)布會(huì)上猛秀技術(shù)肌肉，推出了四大全新處理器家族，主要面向PC端的商用、教育、移動(dòng)和游戲計(jì)算領(lǐng)域，一共涉及50多款處理器產(chǎn)品，并將在2021年推出500多款全新的筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。其中就包括第11代酷睿S系列臺(tái)式機(jī)處理器（代號(hào) “Rocket Lake-S”）及其下一代處理器（代號(hào)
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臺(tái)積電與三星3nm開(kāi)發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑼七t

  • 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，目前臺(tái)積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)度都將放緩。此前，按臺(tái)積電公布的計(jì)劃，3nm將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)，甚至業(yè)界有傳聞稱蘋(píng)果已率先包下臺(tái)積電3nm初期產(chǎn)能，成為臺(tái)積電3nm的第一批客戶。此前業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電和三星的3nm工藝都會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而臺(tái)積電有望領(lǐng)先三星至少半年。此前臺(tái)積電曾宣稱，其3nm工藝會(huì)比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。臺(tái)積電20
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才用上5nm芯片！3nm就要來(lái)了？

  • 外媒報(bào)道，臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此，臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。不過(guò)，臺(tái)積電依然計(jì)劃，今年3nm工藝將完成試生產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2022年批量投入生產(chǎn)。三星采用的是“GAAFET”架構(gòu)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為它可以更精確控制跨通道的電流，并有效縮小芯片面積以降低功耗。而臺(tái)積電使用的是更為成熟的“FinFET”架構(gòu)以用于其3nm制程。截止目前，有報(bào)道稱，蘋(píng)果已經(jīng)占據(jù)了臺(tái)積電的3nm工藝訂單中的很大一部分，意味著蘋(píng)果會(huì)成為臺(tái)積電3nm工藝的首批客戶之一。若3nm工
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臺(tái)積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝：蘋(píng)果首發(fā)

  • 臺(tái)積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸，無(wú)可阻擋(當(dāng)然取消優(yōu)惠也攔不住)，今年已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝，而接下來(lái)的重大節(jié)點(diǎn)就是3nm，早已宣布會(huì)在2022年投入規(guī)模量產(chǎn)。今天，臺(tái)積電又宣布，將會(huì)在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版，命名為“3nm Plus”，首發(fā)客戶是蘋(píng)果。如果蘋(píng)果繼續(xù)一年一代芯片，那么到2023年使用3nm Plus工藝的，將會(huì)是“A17”。臺(tái)積電沒(méi)有透露3nm Plus相比于3nm有何變化，但是顯然會(huì)有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運(yùn)行頻率。按照臺(tái)積電的說(shuō)法，3nm工藝相比于5nm可帶來(lái)最
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外媒：臺(tái)積電3nm工藝有望獲得英特爾訂單

  • 9月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在此前的報(bào)道中，外媒曾提到，考慮由其他廠商代工芯片的英特爾，已經(jīng)將2021年18萬(wàn)片晶圓GPU的代工訂單交給了臺(tái)積電，將采用后者的6nm工藝。而外媒最新的報(bào)道顯示，除了18萬(wàn)片晶圓GPU的代工訂單，臺(tái)積電尚未投產(chǎn)的3nm工藝，也有望獲得英特爾的訂單。外媒在報(bào)道中表示，臺(tái)積電的3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，首波產(chǎn)能中的大部分將留給大客戶蘋(píng)果，后3波產(chǎn)能也將被眾多廠商預(yù)訂，其中就包括英特爾。產(chǎn)能預(yù)訂者中將有英特爾，也就意味著在外媒看來(lái)，臺(tái)積電的3nm工藝，將獲得英特爾的訂單。不過(guò)，
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華為無(wú)緣：消息稱臺(tái)積電3nm首波產(chǎn)能基本都是蘋(píng)果的

  • 對(duì)于華為來(lái)說(shuō)，美國(guó)將禁令升級(jí)后，對(duì)它們自研麒麟芯片打擊是最直接的，也難怪余承東會(huì)說(shuō)，麒麟9000（基于臺(tái)積電5nm工藝）會(huì)是華為高端芯片的絕版。據(jù)最新消息稱，在5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝，就將是3nm，目前正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃在2021年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。據(jù)悉，臺(tái)積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，其中首波產(chǎn)能中的大部分，將留給他們的大客戶蘋(píng)果。臺(tái)積電目前正在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)，設(shè)定的產(chǎn)能是每月5.5萬(wàn)片晶圓。但知情人士也
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跳過(guò)5nm 臺(tái)積電透露Graphcore下一代IPU將基于3nm工藝研發(fā)

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一代工藝研發(fā)的重點(diǎn)已轉(zhuǎn)移到了3nm，目前正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。在2020年度的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇上，他們也提到了3nm工藝，披露了3nm工藝的性能提升信息。外媒最新的報(bào)道顯示，在介紹3nm的工藝時(shí)，臺(tái)積電重點(diǎn)提到了為人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)研發(fā)加速器的半導(dǎo)體廠商Graphcore。臺(tái)積電透露，Graphcore用于加速機(jī)器學(xué)習(xí)的下一代智能處理單元（IPU），將基于臺(tái)積電的3nm工藝研發(fā)，越過(guò)5nm工藝。Gra
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臺(tái)積電確認(rèn)正研發(fā)3nm和4nm工藝：功耗降低30%、2022年量產(chǎn)

  • 在臺(tái)積電第26屆技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強(qiáng)版外，更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代，4nm理論上說(shuō)是5nm的終極改良。技術(shù)指標(biāo)方面，3nm（N3）將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm，3nm將可以帶來(lái)25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。4nm（N4）同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。對(duì)于臺(tái)積電N5客戶來(lái)說(shuō)，將能非常平滑地過(guò)渡到N4，也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。當(dāng)
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臺(tái)積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正如外媒此前所預(yù)期的一樣，芯片代工商臺(tái)積電在今日開(kāi)始的全球技術(shù)論壇上，披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息，但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節(jié)點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上，臺(tái)積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝，仍將繼續(xù)使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)（FinFET)晶體管，不會(huì)采用三星計(jì)劃在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用的
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