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臺積電3nm細(xì)節(jié)公布：2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

  • 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2．5億／mm2！
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臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

  • 盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會因為疫情導(dǎo)致下滑,但臺積電的業(yè)績不降反升,掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過這個技術(shù)會議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒有受到疫情影響,預(yù)計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線上,臺積電評估多種選擇后
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外媒：臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個重要節(jié)點。在2019年第四季度的財報分析師電話會
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面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機(jī)曝光

  • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:340
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Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設(shè)備會議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點一覽無余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段，3nm處于探索、先導(dǎo)階
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三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進(jìn)度都會比臺積電要晚一些，導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠(yuǎn)了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來，與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點，而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說，已經(jīng)評估了3n
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國產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來了？只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團(tuán)隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
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臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥，臺積電一家就占了全球50-60%的份額，幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場熊市，臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑，凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝，預(yù)計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
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三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機(jī)、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時，三星也將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

  • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場上，臺積電TSMC是全球一哥，一家就占據(jù)了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝，官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時間，明年就會量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外，三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點，下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺積電，而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
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3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時超出了我等普通人的想象，今年臺積電才開始量產(chǎn)7nm，計劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計劃在2022年實現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進(jìn)可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
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三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm

  • 　　5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！　?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！　∪潜硎?，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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從7nm到3nm GAA，三星為何激進(jìn)地采用EUV？

  • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
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臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

  • 　　臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準(zhǔn)了一項約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱，臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?！　「鶕?jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》的報道，臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」，這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?！　?jù)悉，臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
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