4納米文章進(jìn)入4納米技術(shù)社區(qū)

中國(guó)大陸4納米手機(jī)芯片快來了？

中國(guó)大陸積極扶植國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，據(jù)報(bào)道兩家中國(guó)大陸大廠包括紫光展銳、小米的4納米手機(jī)芯片都流片成功，代表離陸產(chǎn)4納米芯片不遠(yuǎn)了。紫光展銳和小米都采用國(guó)外IP核心ARM、IMG打造國(guó)產(chǎn)芯片，預(yù)計(jì)這2款芯片進(jìn)行規(guī)模化應(yīng)用后，有機(jī)會(huì)突破高通和聯(lián)發(fā)科在手機(jī)芯片壟斷的局面?？萍疾┲鳌付ń箶?shù)字」表示，紫光展銳4納米芯片已Tape Out（送交制造），這款芯片采用X1大核、A78中核、A55小核，GPU采用Mali G715 MC7，性能達(dá)到高通驍龍888的水平。另一博主「Oneline科技」透露，小米自研芯片成果已
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幾個(gè)月前，臺(tái)積電發(fā)布了 2023 年年報(bào)，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_(tái)積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺(tái)積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺(tái)積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(zhǎng)的路要走，很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來五年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
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3月17日，據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州廠預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)4納米，高通（Qualcomm）全球資深副總裁暨首席運(yùn)營(yíng)官陳若文今天表示，高通將是臺(tái)積電美國(guó)廠4納米的首批客戶。陳若文進(jìn)一步說明，外界誤解臺(tái)積電的美國(guó)大客戶要求臺(tái)積電將臺(tái)灣地區(qū)的產(chǎn)能搬至美國(guó)，實(shí)際上是希望臺(tái)積電在美國(guó)也能建置產(chǎn)能。至于成本，他不認(rèn)為是個(gè)問題。
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據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，三星電子將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報(bào)道稱，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報(bào)告，報(bào)告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規(guī)模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時(shí)間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制程為3納米，但市場(chǎng)主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競(jìng)爭(zhēng)廠商主要
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10月20日，三星電子在韓國(guó)首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國(guó)加州、德國(guó)慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動(dòng)，韓國(guó)首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點(diǎn)。在上述晶圓代工系列活動(dòng)上，三星對(duì)外介紹了最新技術(shù)成果，以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。豪賭先進(jìn)制程：2025年2nm、2027年1.4nm！今年6月，三星率先啟動(dòng)了基于GAA(全環(huán)繞柵極）架構(gòu)的3nm制程芯片生產(chǎn)。未來三星將繼續(xù)提升GAA相關(guān)技術(shù)，并將其導(dǎo)入2nm和1.7nm節(jié)點(diǎn)工藝。按照規(guī)劃，三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進(jìn)制程工藝技術(shù)，到202
關(guān)鍵字：晶圓代工 1.4納米

代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會(huì)謊報(bào)自己的年齡或體重，但若公司出現(xiàn)了謊報(bào)行為，則可視為虛假廣告或至少構(gòu)成了品牌稀釋。最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)就出現(xiàn)了這種情況，當(dāng)時(shí)，兩家領(lǐng)先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實(shí)際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發(fā)展的緩慢。這個(gè)問題最初始于三星。在與臺(tái)積電下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺(tái)積電計(jì)劃在5納米和4納米節(jié)點(diǎn)之間用兩年時(shí)間，在2
關(guān)鍵字： TechInsights 代工廠制造工藝謊言 5納米 4納米 3納米

據(jù)外媒報(bào)道，在今年的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上，芯片巨頭英特爾發(fā)布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴(kuò)展路線圖，包括2029年推出1.4納米制造工藝。
關(guān)鍵字：英特爾 1.4納米制造工藝

　　Intel日本分公司在筑波市舉行了一次技術(shù)會(huì)議，內(nèi)容頗為豐富，涉及半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀與未來、Nehalem微架構(gòu)、ATM主動(dòng)管理技術(shù)、Anti-Thefe防盜技術(shù)、My WiFi無線技術(shù)等等。　　其中有關(guān)半導(dǎo)體制造工藝的展望引起了我們的特別關(guān)注。近十幾年來，Intel以每?jī)赡晟?jí)一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經(jīng)了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個(gè)世代，并帶來了多種技術(shù)革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內(nèi)部互聯(lián)材料從鋁到銅、通道從硅到應(yīng)變硅
關(guān)鍵字： Intel 4納米晶圓 32納米

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