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功率LDM0 S中的場極板設(shè)計

  • 摘要：本文提出了LDMOS器件漂移區(qū)電場分布和電勢分布的二維解析模型，并在此基礎(chǔ)上得出了LDMOS漂移區(qū)電勢分布和電場分布的解析表達(dá)式。通過表達(dá)式的結(jié)果，研究了多晶硅場板的長度和位置對于器件表面電場和電勢的影響
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  LDM0  功率  
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ldm0介紹

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