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功率LDM0 S中的場(chǎng)極板設(shè)計(jì)

  • 摘要：本文提出了LDMOS器件漂移區(qū)電場(chǎng)分布和電勢(shì)分布的二維解析模型，并在此基礎(chǔ)上得出了LDMOS漂移區(qū)電勢(shì)分布和電場(chǎng)分布的解析表達(dá)式。通過(guò)表達(dá)式的結(jié)果，研究了多晶硅場(chǎng)板的長(zhǎng)度和位置對(duì)于器件表面電場(chǎng)和電勢(shì)的影響
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  LDM0  功率  
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ldm0介紹

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