arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣不在復(fù)蘇時(shí)間難料

　　設(shè)備大廠(chǎng)應(yīng)用材料執(zhí)行長(zhǎng)麥可史賓林特（Mike Splinter）28日在日本參加2008年世界經(jīng)營(yíng)者會(huì)議時(shí)表示，受到這波全球金融風(fēng)暴影響，半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣在未來(lái)幾個(gè)季度都難見(jiàn)到回復(fù)，2009年半導(dǎo)體市場(chǎng)恐將持續(xù)低迷，要等到2010年新的技術(shù)導(dǎo)入市場(chǎng)后，才會(huì)見(jiàn)到復(fù)蘇跡象。另外，麥可史賓林特看好太陽(yáng)能電池市場(chǎng)，并指出綠色能源將創(chuàng)造出新的產(chǎn)業(yè)。　　半導(dǎo)體市場(chǎng)受到全球金融風(fēng)暴沖擊，讓國(guó)內(nèi)外各半導(dǎo)體大廠(chǎng)開(kāi)始看淡明年景氣，其中應(yīng)用材料執(zhí)行長(zhǎng)麥可史賓林特首度對(duì)明年市況發(fā)表看法。他表示，在美國(guó)次級(jí)房貸及金融風(fēng)暴
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND 太陽(yáng)能

U-boot應(yīng)用于AT91 RM9200重映射機(jī)制的修正

U-boot應(yīng)用于AT91 RM9200重映射機(jī)制的修正,
關(guān)鍵字： U-boot AT91RM9200 重映射

東芝預(yù)計(jì)未來(lái)一年里NAND閃存價(jià)格將下跌50%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝公司周一預(yù)計(jì)，從現(xiàn)在到明年9月的這4個(gè)季度里，NAND閃存價(jià)格將下跌40-50%。上月該公司曾表示，今年4-9月NAND價(jià)格比前6個(gè)月下跌了45%，并預(yù)計(jì)到明年3月價(jià)格可能下跌60%。　　東芝公司CEO西田厚聰在里斯本一次創(chuàng)新會(huì)議的間隙表示，預(yù)計(jì)NAND價(jià)格下滑趨勢(shì)將持續(xù)到明年，未來(lái)4個(gè)季度里將下跌40-50%。東芝是繼三星后世界第二大NAND閃存芯片生產(chǎn)商。在4-9月的上半財(cái)年里，東芝運(yùn)營(yíng)虧損達(dá)到300億日元（約合2.85億美元），是5年里首次虧損，主要原因就是NAND價(jià)格的
關(guān)鍵字： NAND

東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)低迷業(yè)績(jī)下滑

　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》18日?qǐng)?bào)道，東芝公司今年4～9月業(yè)績(jī)急速下滑，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)將出現(xiàn)300億日元(1美元約合105日元)左右的赤字。　　據(jù)悉，這將是東芝公司5年來(lái)首次在財(cái)年上半期出現(xiàn)經(jīng)營(yíng)赤字，集團(tuán)銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)也將比去年同期減少2%，為36000億日元，比預(yù)期減少2000億日元。　　報(bào)道稱(chēng)，由于世界經(jīng)濟(jì)不景氣，東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的收益大幅惡化。用于手機(jī)、MP3音樂(lè)播放器等的NAND型閃存銷(xiāo)售低迷，供過(guò)于求的形勢(shì)導(dǎo)致半導(dǎo)體價(jià)格驟跌。以半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為中心的電子設(shè)備部門(mén)4～6月出現(xiàn)了約340億日元的經(jīng)營(yíng)赤字，7
關(guān)鍵字：東芝半導(dǎo)體 NAND 閃存

市場(chǎng)驚現(xiàn)大批無(wú)芯片閃存三星成最大受害者

　　近期黑心NAND閃存大量流竄到市面上，多數(shù)仿造三星產(chǎn)品，三星電子成最大受害者。　　網(wǎng)易科技訊 9月16日消息，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)不景氣，而偽劣商品卻大行其道，過(guò)去市面上曾出現(xiàn)黑心記憶卡，但近期在市場(chǎng)卻首次出現(xiàn)黑心NAND Flash，大批已封裝晶圓顆粒經(jīng)拆封后，竟發(fā)現(xiàn)里面連芯片都沒(méi)有，且已整批流竄到市面上，其中，以三星電子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash為被仿冒大宗，算是最大受害者。業(yè)內(nèi)人士表示，假的NAND Flash產(chǎn)品都是整批以低價(jià)交易，嚴(yán)重破壞NAND
關(guān)鍵字： NAND 三星存儲(chǔ)器黑心商品

再談今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　據(jù)SIA（美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)）統(tǒng)計(jì)，今年5月世界半導(dǎo)體的銷(xiāo)售比4月增長(zhǎng)2.8%，但比2007年5月同比增長(zhǎng)7.7%，達(dá)218億美元。這是自2007年1月同比增長(zhǎng)9.7%后的首次，而從1~5月的累計(jì)銷(xiāo)售額計(jì)算同比增長(zhǎng)5.3%，達(dá)1034億美元。因此，SIA對(duì)半導(dǎo)體業(yè)的前景信心有增，認(rèn)為超過(guò)原預(yù)測(cè)全年增長(zhǎng)4.3%的可能性很大。究其增長(zhǎng)原由，主要是由于中國(guó)。南美、印度等發(fā)展中國(guó)家的消費(fèi)電子需求殷切。　　反觀美國(guó)市場(chǎng)，雖有應(yīng)針對(duì)次貸問(wèn)題的退還所得稅之舉以促消費(fèi)，但美國(guó)市場(chǎng)實(shí)際正在緩慢消退。據(jù)SIA分析，以前美
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體消費(fèi)電子集成電路手機(jī) NAND 200809

Sandisk收購(gòu)戰(zhàn)升級(jí) 東芝欲扮程咬金

　　日本東芝半導(dǎo)體事業(yè)主管周二表示，東芝有興趣出價(jià)買(mǎi)下快閃存儲(chǔ)（閃存）事業(yè)伙伴SanDisk，以防止對(duì)手韓國(guó)三星電子捷足先登。三星電子才在本月說(shuō)過(guò)可能并購(gòu)SanDisk后，東芝一直沒(méi)有表態(tài)，東芝資深副總裁齋藤升上述談話(huà)，是該公司首次打破沉默。　　“如果（SanDisk）看起來(lái)像是會(huì)被收購(gòu)，我們必須采取防范措施，”齋藤升三在一場(chǎng)論壇場(chǎng)邊向記者表示。當(dāng)問(wèn)及出價(jià)收購(gòu)的可能性時(shí)，他表示，東芝“有興趣”，但東芝目前沒(méi)有進(jìn)行具體談判。　　快閃存儲(chǔ)價(jià)格疲軟，令芯片
關(guān)鍵字： Sandisk 收購(gòu) 東芝三星 NAND 閃存

中芯武漢12寸廠(chǎng)新芯將啟用為飛索生產(chǎn)NAND

　　大陸晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際代管的武漢12寸廠(chǎng)新芯，將于下周一（22日）舉行落成啟用典禮，據(jù)了解，該廠(chǎng)將成為中芯及閃存大廠(chǎng)飛索（Spansion）的NAND芯片重要生產(chǎn)重鎮(zhèn)。　　去年上半年DRAM價(jià)格還在各DRAM大廠(chǎng)的總成本之上，中芯仍是日本DRAM廠(chǎng)爾必達(dá)的重要代工廠(chǎng)，據(jù)了解，雙方本來(lái)有意以武漢新芯為據(jù)點(diǎn)，共同合資設(shè)立12寸廠(chǎng)。不過(guò)因中芯、爾必達(dá)、武漢市政府等多方條件談不攏，最后此一合資設(shè)廠(chǎng)案宣告胎死腹中，中芯今年初結(jié)束與爾必達(dá)合作關(guān)系，開(kāi)始為新芯尋求出路，爾必達(dá)則決定與和艦合作，轉(zhuǎn)赴蘇州興建12寸
關(guān)鍵字：晶圓代工中芯國(guó)際 NAND 12寸飛索

現(xiàn)代半導(dǎo)體9月NAND型閃存產(chǎn)量驟減三成

　　韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體公司上周四宣布，公司將從9月起把NAND型閃存產(chǎn)量減少30%.受供給過(guò)剩影響，全球閃存的價(jià)格一路走低，世界半導(dǎo)體制造商紛紛減少閃存的產(chǎn)量，現(xiàn)代半導(dǎo)體公司此舉可謂追隨潮流。　　現(xiàn)代半導(dǎo)體將暫停清州M9工廠(chǎng)8英寸晶圓的生產(chǎn)，該廠(chǎng)每月能生產(chǎn)8萬(wàn)枚8英寸晶圓。此前，現(xiàn)代半導(dǎo)體清州M8工廠(chǎng)已將8英寸晶圓的月產(chǎn)量由10萬(wàn)枚減少至 7萬(wàn)枚?，F(xiàn)代半導(dǎo)體公司在今年4月時(shí)曾預(yù)告稱(chēng)，公司將暫停M9工廠(chǎng)的生產(chǎn)，可是M8工廠(chǎng)的減產(chǎn)決定卻是在業(yè)內(nèi)人士的預(yù)料之外。　　在DRAM業(yè)界排名第三位的日本爾必達(dá)公司將
關(guān)鍵字： NAND 閃存現(xiàn)代半導(dǎo)體 8英寸晶圓

攻擊性投資加劇全球半導(dǎo)體廠(chǎng)商危機(jī)

　　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價(jià)格下跌讓全球半導(dǎo)體市場(chǎng)陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對(duì)手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國(guó)DRAM廠(chǎng)商奇夢(mèng)達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價(jià)格已跌至谷底。　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點(diǎn) 　　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其是在DRAM行業(yè)，今年除三星電子之外，其他企業(yè)都在虧損。NAND閃謺行業(yè)的情況也是一樣。除三星電子之外，生產(chǎn)NAND閃存（主要用于
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND DRAM 奇夢(mèng)達(dá) 三星電子

NAND閃存市場(chǎng)近兩月呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師Bryan Lewis表示，2008年的NAND閃存市場(chǎng)原本已經(jīng)朝著成長(zhǎng)趨勢(shì)前行，但現(xiàn)在卻出現(xiàn)了10%的下滑。Lewis表示，雖然有多數(shù)半導(dǎo)體類(lèi)別市場(chǎng)仍成長(zhǎng)強(qiáng)勁，但NAND閃存市場(chǎng)卻在過(guò)去的兩個(gè)月內(nèi)呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象。　　考慮到宏觀經(jīng)濟(jì)因素及庫(kù)存過(guò)剩帶來(lái)的歐美市場(chǎng)需求趨緩，Gartner認(rèn)為，2008年NAND閃存的市場(chǎng)營(yíng)收僅139億美元，與去年相較下滑10.1%。Lewis表示：「閃存市場(chǎng)過(guò)去一度被看好，現(xiàn)在卻被認(rèn)為將會(huì)顯著下滑。閃存需
關(guān)鍵字： NAND 半導(dǎo)體 Gartner 市場(chǎng)需求

商刊：三星看中了SanDisk的什么價(jià)值

　　北京時(shí)間9月8日《商業(yè)周刊》文章指出，領(lǐng)先的閃存卡廠(chǎng)商SanDisk的業(yè)績(jī)一直沒(méi)什么起色，但是它有很多對(duì)三星有用的東西，比如專(zhuān)利權(quán)、鑰匙鏈驅(qū)動(dòng)和MP3播放器等。　　在過(guò)去的一年時(shí)間里，閃存芯片價(jià)格一直在下跌，加上其數(shù)字媒體設(shè)備的銷(xiāo)售狀況也沒(méi)有任何起色，SanDisk也許很快就會(huì)被三星集團(tuán)收購(gòu)。　　三星公開(kāi)表示它正在考慮是否收購(gòu)SanDisk之后，SanDisk股票在9月5日暴漲了31％。 SanDisk發(fā)布了一項(xiàng)聲明，但是沒(méi)有證實(shí)或否認(rèn)三星是否提出了收購(gòu)要約。　　在股價(jià)暴漲之前，SanDi
關(guān)鍵字：三星 SanDisk 閃存卡數(shù)字媒體 NAND

全球半導(dǎo)體廠(chǎng)商逆勢(shì)擴(kuò)張市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)白熱化

　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價(jià)格下跌讓全球半導(dǎo)體市場(chǎng)陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對(duì)手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國(guó)DRAM廠(chǎng)商奇夢(mèng)達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價(jià)格已跌至谷底。　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點(diǎn) 　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND DRAM 奇夢(mèng)達(dá)

12寸晶圓首超8寸晶圓主導(dǎo)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能

　　根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實(shí)際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 　　此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進(jìn)制程的利用率甚至超過(guò)95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 12寸 8寸晶圓 NAND

英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品規(guī)劃

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的產(chǎn)品線(xiàn)規(guī)劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅(qū)動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺(tái)式機(jī)客戶(hù)端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器、存儲(chǔ)設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱(chēng)作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線(xiàn)，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計(jì)算機(jī)中的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。　　與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢(shì)，包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計(jì)算機(jī)開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長(zhǎng)的電池壽命和更低的企業(yè)
關(guān)鍵字：英特爾固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 SSD NAND

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