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EEPW首頁 >> 主題列表 >> bics flash

基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 　　引言 　　FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進行特殊設(shè)計，以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。 　　FLASH的特點 　　FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

  • 　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法

  • 　　在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
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FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

  • 　　由于航天應(yīng)用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運行到無法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 　　ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計服務(wù)，定位
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一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法

  • 　　摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法，并完成了設(shè)計和仿真。 　　關(guān)鍵詞：微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 　　由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設(shè)計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作，順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場價格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
  • 關(guān)鍵字： MCU  Flash  仿真器  

終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長

  • 　　TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長9%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  穿戴性裝置  

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計

  • 　　摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時，采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 　　1 背景描述 　　筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
  • 關(guān)鍵字： ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  

上海海爾：向通用MCU進發(fā)

  • 　　今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品，有其自主知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計提供了多樣選擇。 　　專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 　　處于從專用向通用MCU升級的開端 　　MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
  • 關(guān)鍵字： 海爾  MCU  Flash  201408  

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲器的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： LVDS  FPGA  Flash  

競逐eMMC商機　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
  • 關(guān)鍵字： Flash  控制芯片  

FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證

  • 　　隨著FPGA的功能日益強大和完善，F(xiàn)PGA在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證
  • 關(guān)鍵字： Flash  驅(qū)動  FPGA  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  • 　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關(guān)鍵字： SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計方案

  • 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計工程有一定的參考價值。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  
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