block ram 文章進(jìn)入block ram技術(shù)社區(qū)

fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲(chǔ)器用于智能I/O模塊設(shè)計(jì)中

　　F-RAM和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國(guó)的嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計(jì)算機(jī) (SBC) 和智能 I/O 擴(kuò)展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲(chǔ)器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設(shè)計(jì)中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) F-RAM 半導(dǎo)體 I/O模塊半導(dǎo)體材料

RAMTRON推出2KB鐵電存儲(chǔ)器微控制器

非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中，以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理系統(tǒng)，而這是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) F-RAM 電存儲(chǔ)器微控制器存儲(chǔ)器

揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

　　存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長(zhǎng)，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM（只讀存儲(chǔ)器）技術(shù)，包
關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲(chǔ)器

采用FPGA IP實(shí)現(xiàn)DDR的讀寫(xiě)控制的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

摘要：本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫(xiě)控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，數(shù)字信號(hào)處理的規(guī)模也越來(lái)越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實(shí)時(shí)性對(duì)RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿足應(yīng)用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時(shí)鐘CL
關(guān)鍵字： 0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 雜志_設(shè)計(jì)天地存儲(chǔ)器

linux內(nèi)核編譯步驟

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：內(nèi)核 RAM

Windows CE 進(jìn)程、線程和內(nèi)存管理（三）

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： ROM RAM

微處理器實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片MM58167B原理與應(yīng)用

本文詳細(xì)介紹了MM58167B的各功能模塊、性能及其應(yīng)用。
關(guān)鍵字：晶振 RAM 存儲(chǔ)

雙口RAM在自動(dòng)化系統(tǒng)中的應(yīng)用

對(duì)雙口RAM操作中共享沖突的幾種方式進(jìn)行了討論和分析。給出了防止這些共享沖突的基本方法，同時(shí)結(jié)合其在自動(dòng)化系統(tǒng)中的應(yīng)用給出了雙口RAM和現(xiàn)場(chǎng)總線、工業(yè)以太網(wǎng)的接口應(yīng)用方案。
關(guān)鍵字： RAM 雙口自動(dòng)化系統(tǒng) 中的應(yīng)用

雙口RAM通訊在電機(jī)控制中的應(yīng)用

在冶金行業(yè)中，絕大部分控制信息的傳遞基本上都是依靠總線進(jìn)行的，通過(guò)總線還可以實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的實(shí)時(shí)監(jiān)控，所以總線技術(shù)無(wú)處不在，其中VME計(jì)算機(jī)因其支持多個(gè)CPU，64位的尋址和數(shù)據(jù)傳輸能力，IEC 297 歐卡標(biāo)準(zhǔn)，機(jī)械性能可靠和穩(wěn)定，并具有可靠的接插件，帶電熱插拔，多廠商支持等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。
關(guān)鍵字：德州儀器控制應(yīng)用電機(jī) 通訊 RAM 雙口

用FPGA技術(shù)實(shí)現(xiàn)某新型通信設(shè)備中PCM碼流處理

摘要：本文根據(jù)FPGA器件的特點(diǎn)，介紹了應(yīng)用FPGA設(shè)計(jì)某通信設(shè)備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設(shè)計(jì)中遇到的問(wèn)題進(jìn)行了分析。關(guān)鍵詞：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可實(shí)現(xiàn)所有數(shù)字電路功能，具有結(jié)構(gòu)靈活、設(shè)計(jì)周期短、硬件密度高和性能好等優(yōu)點(diǎn)，在高速信號(hào)處理領(lǐng)域顯示出愈來(lái)愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術(shù)對(duì)PCM碼流進(jìn)行處理的實(shí)現(xiàn)方法。變換后的數(shù)據(jù)寫(xiě)入RAM，與DSP配合可完成復(fù)雜的信號(hào)處理功能。設(shè)計(jì)方案某新型通信設(shè)備中，在完成調(diào)度功能的板子上，需要進(jìn)行
關(guān)鍵字： FPGA RAM 存儲(chǔ)器

在MPC555中實(shí)現(xiàn)從RAM的快速引導(dǎo)

介紹了PowerPC系列微處理器的異常和中斷。同時(shí)以MPC555為例對(duì)嵌入式系統(tǒng)從ROM和RAM中的引導(dǎo)特點(diǎn)及技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了比較，給出了MPC555從RAM快速引導(dǎo)的實(shí)現(xiàn)方法。
關(guān)鍵字： MPC RAM

用塊RAM實(shí)現(xiàn)卷積交織解交織

摘要：本文詳細(xì)介紹了用塊RAM來(lái)實(shí)現(xiàn)卷積交織－解交織的原理和設(shè)計(jì)，以J.83標(biāo)準(zhǔn)中的卷積交織器例進(jìn)行了說(shuō)明。在此基礎(chǔ)上找到了用塊RAM實(shí)現(xiàn)卷積交織－解交織器的一般規(guī)律。關(guān)鍵詞：卷積交織－解交織；FIFO移位寄存器；RAM為了糾正數(shù)據(jù)在信道中傳輸時(shí)由于受到突發(fā)干擾而產(chǎn)生的突發(fā)錯(cuò)誤，常用的方法是采用交織－解交織措施，也就是通過(guò)在發(fā)射端將所要發(fā)射的數(shù)據(jù)通過(guò)交織將其順序打亂，接收后解調(diào)的時(shí)隙輸出經(jīng)過(guò)一次解交織的反向處理重新組合，使其變?yōu)樵瓉?lái)順序的序列，這樣就可以將相鄰的突發(fā)錯(cuò)誤分散到糾錯(cuò)解碼可以糾錯(cuò)的范
關(guān)鍵字： FIFO移位寄存器 RAM 卷積交織－解交織存儲(chǔ)器

英特爾將推出1GB手持式記憶體

英特爾在今年臺(tái)北舉辦的英特爾科技論壇（IDF）中宣布，將生產(chǎn)最高可達(dá)到1GB容量的手持式裝置專用記憶系統(tǒng)。英特爾資深??總裁Ron Smith表示，此產(chǎn)品的技術(shù)架構(gòu)采最新的高階堆疊式封裝，可將英特爾的StataFlash記憶體和動(dòng)態(tài)記憶體（RAM）堆疊在一起，做成大小只有8x11公厘的記憶體模組
關(guān)鍵字：英特爾嵌入式 RAM