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NXP將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅鍺)工藝技術(shù)開發(fā)、針對高頻無線電應(yīng)用的新產(chǎn)品,旨在滿足行業(yè)對更強(qiáng)大、高性價(jià)比和高集成度硅基技術(shù)日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品,其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)良的動態(tài)范圍,專為滿足現(xiàn)實(shí)生活中無線、寬帶通信、網(wǎng)絡(luò)和多媒體市場領(lǐng)域的高頻應(yīng)用需要而設(shè)計(jì)。2010年5月25日至27日在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MT
- 關(guān)鍵字: NXP SiGe:C 射頻 微波
移動倡議綠色無線接入 C-RAN體現(xiàn)5大優(yōu)勢
- 2010年4月23日,由中國移動研究院主辦的無線接入網(wǎng)綠色演進(jìn)(C-RAN)國際研討會在北京舉行。中國移動研究院副院長...
- 關(guān)鍵字: C-RAN
EPA通信協(xié)議在μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- EPA通信協(xié)議在μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),本文提出了一種基于μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)的EPA通信協(xié)議的實(shí)現(xiàn)方案。簡要介紹了EPA通信協(xié)議和模型,針對在以μC/OS-II嵌入式系統(tǒng)為平臺實(shí)現(xiàn)EPA設(shè)備通信的需求,提出了設(shè)計(jì)思路及其構(gòu)建方法,并在實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)上得到應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 嵌入式 C/OS-II 通信 協(xié)議 EPA 通信協(xié)議
C++編程語言在嵌入式應(yīng)用中的安全問題
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) C++ MISRA
基于LPC2292和μC/OS-II的無線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 選用LPC2292作為控制器,以μC/OS-II構(gòu)建軟件平臺,采用GPRS作為無線通信手段,并用溫濕度傳感器構(gòu)成采集單元采集環(huán)境溫濕度信息,通過GPRS和控制中心交互,設(shè)計(jì)了一種無線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的軟硬件實(shí)現(xiàn)方法。該系統(tǒng)以模塊化完成,其實(shí)現(xiàn)方法具有一定的通用性。
- 關(guān)鍵字: 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù)采集 無線 LPC2292 C/OS-II 基于 轉(zhuǎn)換器
基于嵌基于μC/OS-II嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的低功耗開發(fā)
- 基于嵌基于μC/OS-II嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的低功耗開發(fā), 隨著嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的日益廣泛,如何實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的低功耗開發(fā)已經(jīng)成為嵌入式應(yīng)用發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一,是近幾年來人們在嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中普遍關(guān)注的難點(diǎn)與熱點(diǎn)。嵌入式系統(tǒng)正被廣泛應(yīng)用于移動性較強(qiáng)的產(chǎn)品中去
- 關(guān)鍵字: 操作系統(tǒng) 實(shí)時(shí) C/OS-II 嵌入式 低功耗
基于μC/OS-II的Modbus協(xié)議測試系統(tǒng)
- 基于μC/OS-II的Modbus協(xié)議測試系統(tǒng), 1 引言 Modbus 協(xié)議最初由Modicon 公司開發(fā)出來,1979 年末該公司成為施耐德自動化 (Schneider Automation)部門的一部分?,F(xiàn)在Modbus 協(xié)議已經(jīng)是工業(yè)領(lǐng)域全球最流行的協(xié) 議。Modbus 協(xié)議為應(yīng)用層報(bào)文傳輸協(xié)議
- 關(guān)鍵字: 測試系統(tǒng) 協(xié)議 Modbus C/OS-II 基于
半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù),尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外,利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析,包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的,
- 關(guān)鍵字: 吉時(shí)利 C-V測試 半導(dǎo)體 MOSFET MOSCAP
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