cmos 文章進(jìn)入cmos 技術(shù)社區(qū)

CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)

　　隨著智能手機(jī)的興起，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。　　電容式微麥克風(fēng)原理　　
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
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如何挑選一個(gè)高速ADC

　　高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上，而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。　　還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。　　影響很多無(wú)線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無(wú)線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
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10納米碳納米管CMOS器件面世

　　近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。　　下一步，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái)，并基于該平臺(tái)開發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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分析：傳感器的危與機(jī)

人有五官，用來辨別和感受外界環(huán)境的變化，而傳感器是電子行業(yè)的五官，什么是傳感器？傳感器關(guān)鍵廠商專利布局重點(diǎn)有那些？技術(shù)要項(xiàng)又有那些？　
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詳解TTL和CMOS電平

　　“TTL電平”最常用于有關(guān)電專業(yè)，如：電路、數(shù)字電路、微機(jī)原理與接口技術(shù)、單片機(jī)等課程中都有所涉及。在數(shù)字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電平0V.同樣運(yùn)用比較廣泛的還有CMOS電平、232電平、485電平等。　　TTL電路　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。　　1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol 　　Uoh≥2.4V，Uol&le
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AT89S52的機(jī)載電氣盒測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

　　1 引言　　AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32
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基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全

　　AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。本文為您介紹基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全，僅供參考。　　基于AT89C51的操控鍵盤的設(shè)計(jì) 　　本文以PC機(jī)通用鍵盤為例，闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品
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elmos慕尼黑電子展：秀我不同

　　說起Elmos，也許我們更了解它的競(jìng)爭(zhēng)者英飛凌(Infineon)、美信半導(dǎo)體(Maxim)，因?yàn)橄啾戎拢珽lmos進(jìn)入中國(guó)的時(shí)間并不長(zhǎng)。但是，我們卻早已開始使用Elmos的產(chǎn)品了：Elmos的超聲波、被動(dòng)紅外以及馬達(dá)控制器芯片在全球的出貨量很大，僅超聲波倒車?yán)走_(dá)芯片全球出貨量就高達(dá)5000萬(wàn)片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車系統(tǒng)傳感器和馬達(dá)控制器。Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke　　Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點(diǎn)產(chǎn)品與應(yīng)用
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索尼重組看到曙光：股價(jià)昨日創(chuàng)六年新高

　　社長(zhǎng)平井一夫?qū)τ谌毡舅髂岬摹耙粋€(gè)索尼”改造，以失敗告終。不過，在一個(gè)強(qiáng)勢(shì)人物吉田憲一郎(現(xiàn)任CFO)的加盟之下，索尼的重組，正在取得進(jìn)展，并看到曙光。周三，索尼股價(jià)在盤中，創(chuàng)出了六年新高。　　根據(jù)日經(jīng)新聞的報(bào)道，周三索尼在盤中的股價(jià)一度達(dá)到3787.5日元(相當(dāng)于31.4美元)，這是過去六年零七個(gè)月中的最高紀(jì)錄。　　索尼最大的兩個(gè)業(yè)務(wù)包袱是電視機(jī)和智能手機(jī)。這兩個(gè)“困難戶”的重振，尚未傳出重大捷報(bào)。據(jù)媒體分析，索尼股價(jià)的利好，主要來自索尼目前在全
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應(yīng)對(duì)5G 全雙工RF加倍無(wú)線通信傳輸速度

　　在大學(xué)的電子工程系課程中，我們?cè)?jīng)學(xué)過“全雙工”(發(fā)送與接收)必須在不同的頻率或在不同的時(shí)間(技術(shù)上來說是半雙工)中進(jìn)行。也就是說，如果不是在不同的頻率下同時(shí)進(jìn)行發(fā)射與接收，就是在不同的時(shí)間下以相同頻率發(fā)射與接收。然而，根據(jù)美國(guó)紐約哥倫比亞大學(xué)(Columbia University)的研究人員指出，這種單向的“全雙工”其實(shí)是騙人的。　　哥倫比亞大學(xué)研究人員們最近展示一種稱為“哥倫比亞高速與毫米波IC”(CoSMIC)的互補(bǔ)金
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Sony CMOS轉(zhuǎn)攻中低階市場(chǎng)、挑戰(zhàn)50%市占

　　看準(zhǔn)中國(guó)、印度等新興國(guó)家中低階智慧手機(jī)需求持續(xù)擴(kuò)大，Sony據(jù)悉已研發(fā)出廉價(jià)版CMOS影像感測(cè)器產(chǎn)品、瞄準(zhǔn)中低階市場(chǎng)，期望借此于2015年將CMOS影像感測(cè)器全球市占率提高至50%以上水準(zhǔn)。　　日經(jīng)新聞13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Sony已研發(fā)出擁有高畫質(zhì)影像(1,300萬(wàn)及800萬(wàn)畫素 )、惟降低自動(dòng)對(duì)焦(AF)速度或省略HDR功能的廉價(jià)版CMOS感測(cè)器產(chǎn)品，目標(biāo)為搶攻新興國(guó)家中低階智慧手機(jī)市場(chǎng)。　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，Sony該廉價(jià)版CMOS感測(cè)器產(chǎn)品售價(jià)雖不明，惟預(yù)估主要將提供給中國(guó)1,000元人民幣或700元人民
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索尼蟬聯(lián)CMOS影像傳感器龍頭豪威跌至第三

　　CMOS影像傳感器大餅誘人，吸引Sony(索尼)、三星等大廠積極卡位。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement統(tǒng)計(jì)，Sony(索尼)去年在CMOS市場(chǎng)搶取豪奪，共拿下27%的市占率，繼續(xù)傲視群雄。　　三星也不惶多讓，奮力搶下19%的份額，排名超越豪威科技(OmniVision Technologies)成為第二。據(jù)EETimes報(bào)導(dǎo)，CMOS前三大廠兩年前差距還只在3個(gè)百分點(diǎn)之間，但來到2014年，Sony(索尼)領(lǐng)先豪威已逾10%。另外，CMOS市場(chǎng)還有集中化趨勢(shì)，前三大廠2014年合計(jì)
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美國(guó)類腦芯片發(fā)展歷程

　　摘要：美國(guó)為保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)，率先發(fā)起類腦計(jì)算芯片的相關(guān)研究工作，通過模仿人腦工作原理，使用神經(jīng)元和突觸的方式替代傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)體系，使芯片能夠進(jìn)行異步、并行、低速和分布式處理信息數(shù)據(jù)，并具備自主感知、識(shí)別和學(xué)習(xí)的能力。　　在當(dāng)今大數(shù)據(jù)時(shí)代，由于現(xiàn)有計(jì)算機(jī)硬件和架構(gòu)限制，已無(wú)法滿足更大規(guī)模數(shù)據(jù)的處理需求，世界各國(guó)開始著手尋找解決方案，并把目光轉(zhuǎn)向能夠以復(fù)雜方式處理大量信息的人腦神經(jīng)系統(tǒng)，而且因?yàn)樯窠?jīng)系統(tǒng)在時(shí)間和空間上實(shí)現(xiàn)了硬件資源的稀疏利用功耗極低，其能量效率是傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)的100萬(wàn)倍到10億倍。為此
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SK海力士集中與選擇策略　聚焦三大領(lǐng)域

　　SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)
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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]