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安森美半導(dǎo)體推出高能效電池監(jiān)測器
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON?Semiconductor,)推出新系列的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)?“電池電量監(jiān)測器”集成電路(IC),為智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節(jié)鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監(jiān)測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結(jié)合了高精度等級,以及業(yè)界最低能耗,優(yōu)于執(zhí)行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數(shù)量及降低系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兏偁幤骷煌?,并不要求電流感測電阻來組成方案?! “采腊?/li>
- 關(guān)鍵字: 安森美 LC709201F CMOS 便攜 電池監(jiān)測
一種基于混合信號技術(shù)的汽車電子單芯片設(shè)計
- 隨著汽車部件電子化程度的不斷提高,汽車工程師們正積極地尋求車輛系統(tǒng)中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車系統(tǒng)中用來嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復(fù)雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?,F(xiàn)在,應(yīng)用與42V車載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復(fù)雜的數(shù)字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵源或開關(guān)驅(qū)動器)集成到一起。 LIN總線系統(tǒng) 由于其相對較低的造價,LIN總線正被廣泛應(yīng)用于汽車的分布式電氣
- 關(guān)鍵字: AMI CMOS
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用,標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個重大進(jìn)展,兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān),相信會在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。 集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA,以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件,并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單
- 關(guān)鍵字: 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計
- 本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝,芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān) CMOS 開關(guān)芯片 201402
一款可實(shí)現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案
- 隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA等移動設(shè)備的普及,對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成...
- 關(guān)鍵字: CMOS 線性穩(wěn)壓器
cmos 介紹
CMOS
Complementary Metal Oxide Semiconductor
指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝,它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看,要么PMOS導(dǎo)通,要么NMOS導(dǎo)通,要么都截至,比線性的三極管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低。
在計算機(jī)領(lǐng)域,CMOS常指保存計算機(jī)基本啟動信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]
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