cmos 文章進(jìn)入cmos 技術(shù)社區(qū)

基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放

摘要：為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線，介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì)，探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì)，并對(duì)其電路各個(gè)器件參數(shù)
關(guān)鍵字： BiCMOS CMOS 工藝放大器設(shè)計(jì)

電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的CMOS誤差放大器設(shè)計(jì)

結(jié)合電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的工作要求，從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā)，設(shè)計(jì)了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍，使電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器高效率低噪聲工作?；贑HRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進(jìn)行仿真，結(jié)果表明，在2．7～5 V工作電壓范圍內(nèi)，開環(huán)電壓增益約等于72 dB，相位裕度約等于65°，單位增益帶寬約等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR約等于113 dB，電源抑制比PSRR約等于100 dB。
關(guān)鍵字：放大器設(shè)計(jì) 誤差 CMOS LED 驅(qū)動(dòng)器電荷

L-系列CMOS自掃描光電二極管陣列

L-系列CMOS自掃描光電二極管陣列
關(guān)鍵字： CMOS 光電二極管陣列

FDSOI韜光養(yǎng)晦以待時(shí)變

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律發(fā)展已有數(shù)十年，生命力之強(qiáng)大令人敬畏，這種生命力的背后是馬不停蹄的技術(shù)創(chuàng)新，每一個(gè)革新技術(shù)都為產(chǎn)業(yè)注入前行的動(dòng)力。SOI(Silicon on Insulator，絕緣體上的硅)技術(shù)就是其中之一。　　
關(guān)鍵字：晶體管 CMOS

基于噪聲消除技術(shù)的CMOS超寬帶LNA設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：噪聲消除 CMOS 超寬帶 LNA 噪聲

影響CMOS單電源放大器的THD+N性能的因素

自上市以來(lái)，CMOS單電源放大器就讓全球的單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員受益非淺。影響雙電源放大器總諧波失真加噪...
關(guān)鍵字： CMOS

分析泄漏功率攻擊采用90nm CMOS技術(shù)的加密器件

泄漏電流可能被用于攻擊加密系統(tǒng)。在電子商務(wù)與電子銀行等應(yīng)用中，安全要求越來(lái)越嚴(yán)格。雖然加密技術(shù)...
關(guān)鍵字： CMOS

安森美收購(gòu)賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導(dǎo)體將以約3,140萬(wàn)美元的全現(xiàn)金交易收購(gòu)賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部(ISBU)。是項(xiàng)交易將根據(jù)例定成交條件(customary closing conditions)預(yù)計(jì)將在2011年第一季度底完成。　　賽普拉斯提供寬廣陣容的高性能定制及標(biāo)準(zhǔn)CMOS圖像傳感器，用于數(shù)百萬(wàn)像素?cái)?shù)碼攝影及電影攝影、機(jī)器視覺、線性及二維(2D)條形碼成像、醫(yī)療X射線成像
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 傳感器

安森美收購(gòu)賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導(dǎo)體將以約3,140萬(wàn)美元的全現(xiàn)金交易收購(gòu)賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部(ISBU)。是項(xiàng)交易將根據(jù)例定成交條件(customary closing conditions)預(yù)計(jì)將在2011年第一季度底完成。　　
關(guān)鍵字：安森美 CMOS

賽普拉斯宣布其觸摸屏控制器的產(chǎn)能將擴(kuò)充三倍

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，將大幅提高其快速增長(zhǎng)的TrueTouch觸摸屏控制器的產(chǎn)能。賽普拉斯位于明尼蘇達(dá)州布魯明頓市的四號(hào)工廠及其主要的代工伙伴宏力半導(dǎo)體公司將在2010年的基礎(chǔ)上，將2011年的S8工藝線產(chǎn)能提高三倍。擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃已排上日程，首批擴(kuò)充產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2011年第一季度即可投產(chǎn)，全部擴(kuò)充計(jì)劃預(yù)計(jì)在2011年第三季度完成。　　除了TrueTouch產(chǎn)品，賽普拉斯還將在S8工藝線上生產(chǎn)其PSoC 3 和 PSoC 5、CapSense 和NVSRAM產(chǎn)品。賽普拉斯的S8工藝基于0.13-微米
關(guān)鍵字： Cypress TrueTouch CMOS SONOS

采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設(shè)計(jì)了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對(duì)電路的輸入匹配和增益進(jìn)行了分析,對(duì)噪聲消除技術(shù)進(jìn)行了推導(dǎo)。仿真結(jié)果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項(xiàng)指標(biāo)滿足超寬帶系統(tǒng)應(yīng)用。
關(guān)鍵字： CMOS GHz LNA 噪聲消除

瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

　　瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)?！?/li>
關(guān)鍵字：瑞薩 DRAM CMOS

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對(duì)D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測(cè)電路，對(duì)脈沖信號(hào)的寬度進(jìn)行識(shí)別
關(guān)鍵字：寬度檢測(cè) 電路設(shè)計(jì) 脈沖 CD4013 CMOS 觸發(fā)器基于

采用協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)方案

什么是CMOS數(shù)碼相機(jī)？對(duì)于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機(jī)與傳統(tǒng)相機(jī)沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對(duì)象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里？傳統(tǒng)相機(jī)需要使用一個(gè)35毫
關(guān)鍵字：數(shù)碼相機(jī) 方案傳感器 CMOS 處理器采用

索尼向東芝買回工廠 CMOS傳感器產(chǎn)量擬倍增

　　索尼 (Sony)計(jì)劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價(jià)格，向東芝 (Toshiba)買回一座半導(dǎo)體工廠，好讓用于智能型手機(jī)及其他設(shè)備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。　　報(bào)導(dǎo)指出，索尼于 2008 年，將該座位于日本長(zhǎng)崎的工廠賣給東芝。如今買回，將用以加強(qiáng)其 CMOS 傳感器業(yè)務(wù)，使其影像傳感器產(chǎn)量，倍增至相當(dāng)于每月 4 萬(wàn)顆晶圓。　　報(bào)導(dǎo)補(bǔ)充，索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本，好在 CMOS 影像傳感器的市場(chǎng)，追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
關(guān)鍵字：索尼 CMOS

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]