cmos 文章進(jìn)入cmos 技術(shù)社區(qū)

CCD和CMOS主要技術(shù)分析

CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
關(guān)鍵字：分析技術(shù) 主要 CMOS CCD

提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
關(guān)鍵字： CMOS 共源共柵功率放大器方案

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
關(guān)鍵字： CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

0 引言
模擬電路廣泛
關(guān)鍵字：仿真分析電壓基準(zhǔn) CMOS

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
關(guān)鍵字：艾克賽利 CMOS

鎖存繼電器的CMOS電路研究

圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈?！　∷矂?dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
關(guān)鍵字：研究電路 CMOS 繼電器

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
關(guān)鍵字： 4GHz CMOS 35 集成

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
關(guān)鍵字： CMOS 器件功效功率提高 MOSFET 方案非傳統(tǒng)

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器設(shè)計(jì) 線性 LDO 成型 CMOS 全集

一種12位50 MS／s CMOS流水線A／D轉(zhuǎn)換器

摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
關(guān)鍵字：流水線轉(zhuǎn)換器 CMOS MS 12位一種

思比科微電子籌備上市：已完成股份制改造

　　7月10日，北京思比科微電子董事長(zhǎng)陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
關(guān)鍵字：思比科 CMOS

APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎(jiǎng)

CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國(guó)際成像行業(yè)協(xié)會(huì)(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎(jiǎng)。
關(guān)鍵字： Aptina CMOS

Silicon Labs廣播收音機(jī)IC出貨量突破十億顆

　　高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機(jī)IC出貨量已達(dá)十億顆，締造了廣播音頻市場(chǎng)的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機(jī)芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、便攜式媒體播放器(PMP)、個(gè)人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機(jī)、便攜式收音機(jī)、音響和許多其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機(jī)IC，Si4700 IC重構(gòu)了消
關(guān)鍵字： Silicon-Labs IC CMOS

CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

目前，包括移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)
關(guān)鍵字： Sensor CMOS 調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

“寬動(dòng)態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)標(biāo)配

寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)作為攝像機(jī)一個(gè)非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場(chǎng)合，發(fā)揮了重要的作用。寬動(dòng)...
關(guān)鍵字：寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī) CCD+DSP CMOS+DPS

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]