cmos 文章進(jìn)入cmos 技術(shù)社區(qū)

用基于CMOS技術(shù)的接收器芯片設(shè)計(jì)高性價(jià)比的汽車收

高增長(zhǎng)的經(jīng)濟(jì)體如巴西、印度尼西亞、印度和中國(guó)已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級(jí)和快速增長(zhǎng)的汽車市場(chǎng)。這些市場(chǎng)要求汽車零售價(jià)相對(duì)較低，因此給汽車組件帶來(lái)很大的成本壓力。此外，在發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體如美國(guó)、歐洲國(guó)家和日本的汽車市場(chǎng)
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CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖

CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的，亦叫十進(jìn)制技術(shù)、譯碼驅(qū)動(dòng)顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
關(guān)鍵字： CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器

以碳納米管取代銅　TSV芯片效能更好

　　來(lái)自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來(lái)填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來(lái)得更好。　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì)導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因?yàn)殂~遇熱會(huì)比周圍的硅材料膨脹更多。　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS

Crocus與中芯國(guó)際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議

Crocus科技，領(lǐng)先的強(qiáng)化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商，和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”)，中國(guó)內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)針對(duì)汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國(guó)際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
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Aptina推出原裝1080p片上系統(tǒng)解決方案

面向全球最受歡迎的消費(fèi)電子制造商提供CMOS成像解決方案的領(lǐng)先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系統(tǒng))成像解決方案。這一200萬(wàn)像素的原裝1080p SOC可提供出色的性能并能滿足以視頻為中心的消費(fèi)電子市場(chǎng)中超薄全高清視頻應(yīng)用嚴(yán)格的尺寸要求(z-高度不超過3.5mm)。
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場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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CMOS工藝PMOS壓控變?nèi)萏匦匝芯?/a>

1.2 PMOS的變?nèi)莨苓B接及其壓控特性分析　　圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...

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主CMOS為鎂光合作產(chǎn)品尼康V1全面拆解

半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)站Chipworks于近日對(duì)尼康新出品的微單相機(jī)V1做了非常詳細(xì)而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發(fā)現(xiàn)了不少秘密，首當(dāng)其沖的就是主CMOS上發(fā)現(xiàn)了Aptina的痕跡。Aptina是美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)鎂光旗下的感光元件生產(chǎn)廠商，也推出過APS-C規(guī)格的16M像素CMOS。這也是首次明確發(fā)現(xiàn)尼康與Aptina合作，還是讓我們先來(lái)看看圖片吧！
關(guān)鍵字：尼康 V1 CMOS

SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)

致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會(huì)議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細(xì)節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺(tái)的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進(jìn)的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達(dá)百分之八十或更多。
關(guān)鍵字： SuVolta CMOS

一種基于動(dòng)態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

摘要分析了以動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號(hào)的輸入晶體管，利用4個(gè)動(dòng)態(tài)閾值NMOS和2個(gè)有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)
關(guān)鍵字：模擬法器 CMOS 2V 動(dòng)態(tài) NMOS 基于

共源共柵CMOS功率放大器效率的提高方案

利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
關(guān)鍵字：共源共柵 CMOS 功率放大器

CMOS與CCD圖像傳感器

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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不同電源供電的器件間的橋接

半導(dǎo)體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 電源供電

CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過觀察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 測(cè)試 IDDQ 電路 CMOS

自制 CMOS 集成電路測(cè)試儀

電子技術(shù)的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統(tǒng)，通過多年的維修實(shí)踐，我們自行設(shè)計(jì)和安裝了簡(jiǎn)易集成邏輯門電...
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路測(cè)試儀

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]