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基于CMOS模擬開關(guān)實現(xiàn)平衡混頻器

  • 1 引言近年來,無線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對收發(fā)信機前端電路提出的新要求是:高線性,低電壓,低功耗,高度集成?;祛l器作為無線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一,其性能的好壞將直接影響整個系統(tǒng)的性能。從
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FinFET 技術(shù)中的電路設(shè)計:演進還是革命?

  • 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點上采用該晶體管,TSMC 在其 16 nm 工藝上使用,而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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一種模擬除法器的設(shè)計及仿真驗證CMOS工藝

  • 本文設(shè)計了一種模擬除法器,在分析討論其工作原理的基礎(chǔ)上,采用CSMC0.5umCMOS工藝,對電路進行了Cadence Spectre 模擬仿真,仿真結(jié)果驗證了理論分析。1 電路的設(shè)計與分析圖1 CCII 電路結(jié)構(gòu)模擬除法器由單電源+5V供
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DSP硬件設(shè)計的幾個注意事項

  • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP電路板設(shè)計的復(fù)雜性,并且同簡單的數(shù)字電路設(shè)計相比較,面臨更多相似的問題。
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用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計及其成像驗證

  • 摘要:在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中,除需關(guān)注其噪聲外,目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設(shè)計方向,設(shè)計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit,10 Msps的流水線型ADC,并基于0.5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進行
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基于USB2I2C接口的CMOS圖像傳感器在線調(diào)試系統(tǒng)

  • CMOS圖像傳感器是近年來發(fā)展最為快速的新型固態(tài)圖像傳感器,它利用其自身的工藝和集成的特點將光電成像陣列與信號模擬放大和數(shù)字圖像處理電路集成于單芯片內(nèi),與CCD圖像傳感器相比,具有體積小、功耗低、控制簡單、
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CCD與CMOS的區(qū)別

  • 技術(shù)的角度比較,CCD與CMOS的區(qū)別有如下四個方面的不同:1.信息讀取方式CCD電荷耦合器存儲的電荷信息,需在同步信號控制下一位一位地實施轉(zhuǎn)移后讀取,電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時鐘控制電路和三組不同的電源相配
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CMOS逐步替代CCD

  • CMOS相比CCD有一些明顯的優(yōu)勢,最大優(yōu)勢就是成本,還有就是采樣速度以及當(dāng)前很多產(chǎn)品都比較看重的功耗。1、首先我們來說說CMOS相對CCD傳感器的最大優(yōu)勢,那就是成本。生產(chǎn)單位數(shù)量的CMOS的成本卻要比CCD容易很多,因
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圖像傳感器知識大全

  • 圖像傳感器*概述圖像傳感器是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同,可分為CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。CCD
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具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構(gòu)

  •   1.前言   過去的幾十年,業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺傳感器理論進行了大量廣泛的研究和探討,旨在于在成像早期階段處理圖像,從場景中提取最重要的特征,如果換作其它方式達到同樣目的,例如,使用普通計算技術(shù),則需要為此花費昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個方面,運動偵測是最重要的圖像特征之一,是多個復(fù)雜視覺任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點介紹時間對比概念,這個概念在很多應(yīng)用中特別重要,包括交通監(jiān)控、人體運動拍照和視頻監(jiān)視[2], [4], [5], [7]。這些應(yīng)用要求圖像偵測精確并可靠,
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TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別

  •   本文主要講了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區(qū)別,希望對你的學(xué)習(xí)有所幫助。   電平的概念:   什么是電壓、電流、電功率?無線電愛好者都十分清楚。而談及“電平”能說清楚的人卻不多。盡管人們經(jīng)常遇到,書刊中亦多次談起電路中的高電平、低電平、電平增益、電平衰減,就連電工必備的萬用表上都有專測電平的方法和刻線,而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字樣也常常可見。盡管如此,
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基于單片機的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)

  •   在很多場合,由于客觀條件限制,人們不可能進入現(xiàn)場進行直接觀察,只能用適應(yīng)性更強的電子圖像設(shè)備來代替完成,在此背景下發(fā)展起來的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點應(yīng)用技術(shù)之一,它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實現(xiàn)圖像采集,必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點:   (1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點對價格敏感。   物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用,傳感節(jié)點數(shù)目成百上千,若每個節(jié)點的成本提高一點,整個物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會提高很多。所以傳感節(jié)點圖像采集的成本應(yīng)盡量低。   (2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對圖像質(zhì)量要求
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半導(dǎo)體制程技術(shù)競爭升溫

  •   要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場版圖還為時過早…   盡管產(chǎn)量仍然非常少,全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator,F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示,三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊虾3闪⒌囊蛔戮A廠是否會采用FD
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MIT開發(fā)全新光達系統(tǒng) 可投入CMOS進行芯片量產(chǎn)

  •   美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(LiDAR)更輕薄與低成本的光達系統(tǒng),而且由于不采用運動機件將更為耐用,其非機械式光束操控速度更比目前機械光達系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。   據(jù)IEEESpectrum報導(dǎo),光達是利用雷射光進行感測的技術(shù),雖類似雷達但卻可獲得更高解析度,因為光線波長比無線電波長小10萬倍。光達系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。   光達系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測量
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MIT開發(fā)全新光達系統(tǒng) 可投入CMOS進行芯片量產(chǎn)

  •   美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(LiDAR)更輕薄與低成本的光達系統(tǒng),而且由于不采用運動機件將更為耐用,其非機械式光束操控速度更比目前機械光達系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。   據(jù)IEEE Spectrum報導(dǎo),光達是利用雷射光進行感測的技術(shù),雖類似雷達但卻可獲得更高解析度,因為光線波長比無線電波長小10萬倍。光達系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。   光達系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測
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