cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

SOI與finFET工藝對(duì)比中國(guó)需要發(fā)展誰才正確

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
關(guān)鍵字： SOI finFET

高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現(xiàn)相同性能

　　2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預(yù)計(jì)在2017年下半年實(shí)現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
關(guān)鍵字：高通 FinFET

中國(guó)微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

　　最近，中國(guó)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動(dòng)性能達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì)場(chǎng)之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
關(guān)鍵字： FinFET 摩爾定律

中國(guó)突破半導(dǎo)體新工藝先要從這位美籍華人講起

由于技術(shù)和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術(shù)、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會(huì)遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 FinFET

CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

　　1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)　　1.1 功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW?！　?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！　?.3
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

CMOS影像傳感器供不應(yīng)求市場(chǎng)價(jià)格止跌

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場(chǎng)，由于市場(chǎng)需求增大，原本跌價(jià)的趨勢(shì)已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場(chǎng)需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。　　以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。　　造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢(shì)減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場(chǎng)的CMOS影像傳
關(guān)鍵字： CMOS 像傳感器

CMOS影像傳感器供不應(yīng)求市場(chǎng)價(jià)格止跌

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場(chǎng)，由于市場(chǎng)需求增大，原本跌價(jià)的趨勢(shì)已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場(chǎng)需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。　　以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。　　造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢(shì)減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場(chǎng)的CMOS影像傳
關(guān)鍵字： CMOS 傳感器

CMOS影像傳感器供不應(yīng)求市場(chǎng)價(jià)格止跌

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，攝影用的CMOS影像傳感器市場(chǎng)，由于市場(chǎng)需求增大，原本跌價(jià)的趨勢(shì)已逐漸趨緩，智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn)，預(yù)料2017年初市場(chǎng)需求不減，報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。　　以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看，2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。　　造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢(shì)減緩的理由，主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì)，讓高階手機(jī)市場(chǎng)的CMOS影像傳
關(guān)鍵字： CMOS 影像傳感器

格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長(zhǎng)距離SerDes

　　格羅方德公司今天宣布，已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長(zhǎng)距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的長(zhǎng)距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備?！　「窳_方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號(hào)傳導(dǎo)，可補(bǔ)償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
關(guān)鍵字：格羅方德 FinFET

控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？

　　盡管距離國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織確定的2020年5G商用仍有3年時(shí)間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價(jià)值提升的空間，然而全球“大T”們(運(yùn)營(yíng)商)的發(fā)展焦點(diǎn)已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)制定、產(chǎn)業(yè)儲(chǔ)備等方面入手，對(duì)5G進(jìn)行全面布局。　　“預(yù)計(jì)2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運(yùn)營(yíng)商的積極行動(dòng)，業(yè)界紛紛調(diào)高了對(duì)5G發(fā)展速度的預(yù)期，愛立信在近期發(fā)布的《移動(dòng)市場(chǎng)報(bào)告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
關(guān)鍵字：三星 FinFET

數(shù)字集成電路的四大性能檢測(cè)技巧

　　一、電壓法判斷數(shù)字集成電路好壞　　1、如果數(shù)字集成電路的供電電壓正常，焊接良好，而測(cè)得其電源引腳的電壓值過低，則可判定該被測(cè)數(shù)字集成電路已損壞。　　2、如果測(cè)得數(shù)字集成電路電源電壓引腳的電壓值正常，但其他引腳的電壓值大多失常，則說明接地引腳是虛焊，而該集成電路大多正常。　　3、如果測(cè)得數(shù)字集成電路的個(gè)別或少數(shù)幾個(gè)引腳的電壓值偏離正常值較大，則應(yīng)先檢查與這個(gè)引腳所對(duì)應(yīng)原外圍元器件電路是否有故障，如電阻短路、斷路、電容漏電或被擊穿等。若外圍元器件電路無故障，則說明該被測(cè)數(shù)字集成電路已損壞。
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FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長(zhǎng)空間

　　半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長(zhǎng)空間。　　在中國(guó)大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動(dòng)”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評(píng)選出15項(xiàng)最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，在半導(dǎo)體微型化的突破成就是其中之一。　　胡正明率領(lǐng)的美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校團(tuán)隊(duì)，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導(dǎo)
關(guān)鍵字： FinFET

作為手機(jī)傳感器市場(chǎng)的霸主索尼CMOS有多牛？

　　說到手機(jī)攝像頭，想必很多關(guān)注手機(jī)的朋友腦海中都會(huì)立馬浮現(xiàn)出索尼IMX系列的若干型號(hào)傳感器，的確，細(xì)數(shù)近來發(fā)布的諸多款新機(jī)基本都被索尼IMX這幾個(gè)字霸占。說到索尼這個(gè)品牌，不禁讓人聯(lián)想到它在相機(jī)領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，早在13年索尼就率先發(fā)布了全球首款全畫幅的無反相機(jī)，此后的黑卡系列也不斷穩(wěn)固了它在無反相機(jī)領(lǐng)域的超高地位，甚至以超高像素和大底的傳感器沖擊著單反市場(chǎng)。　　手機(jī)攝像頭在傳感器方面雖然遠(yuǎn)不能與相機(jī)同日而語，但是隨著越來越多的廠商已經(jīng)開始選擇與索尼展開個(gè)性化合作，為自己的品牌量身定制感光元件，我們也
關(guān)鍵字：索尼 CMOS

低電壓CMOS兩級(jí)OTA電路

低電壓CMOS兩級(jí)OTA電路在第一級(jí)采用共源共柵結(jié)構(gòu)M1～M11，相比基本的兩級(jí)放大器可以提高增益，并克服了套筒式結(jié)構(gòu)的輸入范圍窄的缺點(diǎn)。輸入采用PMOS折疊式差分輸入結(jié)構(gòu)，輸入共模范圍可以非常寬，甚至可以低于底電壓。同時(shí)第2...
關(guān)鍵字：低電壓 CMOS OTA電路