cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
移動處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流
- 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機(jī)對極致效能的需求加劇,移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前,全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝,16/14納米節(jié)點(diǎn)的SoC也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今,移動處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰(zhàn)?同時,進(jìn)入20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微,這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來怎樣的發(fā)展變革? 5納米節(jié)點(diǎn)是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
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關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平
- 本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識要點(diǎn),希望對你的學(xué)習(xí)有所幫助。 一、TTL電平: TTL 電平信號被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價于邏輯“1”,0V等價于邏輯“0”,這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。 TTL 電平信號對于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
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全球首家:臺積電公布5納米FinFET技術(shù)藍(lán)圖
- 臺積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術(shù)藍(lán)圖。臺積電規(guī)劃,5納米FinFET于2020年到位,開始對外提供代工服務(wù),是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。 臺積電透露,配合客戶明年導(dǎo)入10納米制程量產(chǎn),臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺積電強(qiáng)化InFO布局,是否會威脅日月光、矽品等專業(yè)封測廠,業(yè)界關(guān)注。 臺積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先,是公司維持高獲利的最大動能,昨天的新聞發(fā)布會上,先進(jìn)制程布局,成為法人另一個關(guān)注焦點(diǎn)。
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法
- 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法: 1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平,輸出信號就為低電平,只有全部為高電平時,輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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【E問E答】CMOS和TTL集成門電路多余輸入端如何處理?
- CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作? 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法: 1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能
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汽車圖像傳感器在提高行車安全和駕乘體驗(yàn)方面的應(yīng)用
- 近年來,在政府對 汽車安全法令的貫徹和實(shí)施、消費(fèi)者 駕乘體驗(yàn)及自動駕駛的趨勢推動下,汽車 圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長。汽車圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高 行車安全的同時還提升用戶駕乘體驗(yàn),成為近年來汽車領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測顯示,2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場的收入年復(fù)合增長率(CAGR)將達(dá)到28%。 汽車圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域 汽車圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛,包括用于視覺應(yīng)用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
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索尼仍是CMOS感光元件市場絕對領(lǐng)導(dǎo)者
- 對于消費(fèi)者而言,智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購買的重要因素之一,這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個重要且快速增長的產(chǎn)業(yè)。在未來5年里,CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價值將達(dá)到190億美元。而就目前而言,索尼依然是CMOS感光元件市場的絕對領(lǐng)導(dǎo)者。 根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計(jì),CMOS感光元件市場在2015年總市值達(dá)到67億美元,而單單索尼就控制著其中35%的市場份額(36億美元)。而其余的競爭者都無法撼動索尼的地位,不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上,自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出,雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者,但這些記憶體都存在著微縮的問題,而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長的壽命,以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單?坦承錯估CMOS需求
- Sony 24日盤后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測,而熊本強(qiáng)震雖對Sony營益帶來1,150億日圓的影響,不過Sony仍預(yù)估今年度營益有望呈現(xiàn)增長,也帶動Sony 25日股價大漲?! 「鶕?jù)嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報價,截至臺北時間25日上午8點(diǎn)18分為止,Sony飆漲5.47%至3,044日圓,稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng)4月21日以來新高水準(zhǔn)?! 〔贿^全球智能手機(jī)成長減速,也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊,Sony也坦承嚴(yán)重錯估了使
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ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動前沿移動計(jì)算未來
- ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù),此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。 此款測試芯片的成功驗(yàn)證(設(shè)計(jì)定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法,能夠使新客戶采用臺積電最先進(jìn)的
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華人胡正明獲美國最高科技獎:FinFET發(fā)明人
- 據(jù)中新網(wǎng)、網(wǎng)易等報道,當(dāng)?shù)貢r間2016年5月19日,美國總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項(xiàng)獲得者頒獎,包括9名國家科學(xué)獎獲得者和8名國家技術(shù)和創(chuàng)新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意,包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho),出生于南京,1957年畢業(yè)于臺灣大學(xué)。 她1993年制造出一種酵母,除了讓木糖發(fā)酵,也可以吧果糖變成乙醇,因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇,幫助減少對進(jìn)口石油的依賴。 另一位是胡正明教授,他1947年出生于北京豆芽菜胡同,在臺灣長大,后
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