cmos finfet 文章 進入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
CMOS影像傳感器市場釀重整,汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機浮現(xiàn)
- CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長,未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應用推助下持續(xù)向上攀升,預期2014~2020年復合年均成長率將高達10.6%??春么艘簧虣C,中小型CIS晶片商正競相展開技術(shù)布局,期進一步擴大市場占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色,眾家廠商為卡位新商機,可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出,智慧型手機雖占現(xiàn)今CIS市場應用大宗,但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應用需求已
- 關(guān)鍵字: 傳感器 CMOS
IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法,不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率,包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來達成以上目標。 上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù),現(xiàn)在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法,采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。 IBMResearch先進功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字: IBM CMOS
有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應用文獻,包括示波器、信號調(diào)節(jié)器等
- 混合信號,一種說法是未來的系統(tǒng)將是大型的混合信號系統(tǒng),它所占的比例將會增加一倍,從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片,將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯們,而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。 RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學 設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事,尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨立的模擬和分立IC市場,是因為模擬與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設計一直被認為是&l
- 關(guān)鍵字: ASICs CMOS
基于電荷泵改進型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能,低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導通電阻,可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法,可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應,比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容,脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出,在每個開關(guān)周期其充放電過
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開關(guān)
NRAM已準備好進軍市場?
- 美國記憶體技術(shù)開發(fā)商Nantero最近宣布進行新一輪融資,并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory,NRAM;或稱Nano-RAM),已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金,可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示,NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字: NRAM,CMOS
GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設計而強化了14nm FinFET的設計架構(gòu)
- GLOBALFOUNDRIES,世界先進半導體制造技術(shù)的領導者,今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開發(fā)的強化過的設計架構(gòu),在幫助那些采用先進工藝技術(shù)設計的客戶的進程上達到了一個關(guān)鍵里程碑。 GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence,Mentor Graphics,以及Synopsys合作開發(fā)出的新型設計流程,實現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標準單元庫,形成一個數(shù)字設計“入門套件”,為設計人員進行物理實
- 關(guān)鍵字: GLOBALFOUNDRIES FinFET
CMOS電容式微麥克風設計
- 隨著智能手機的興起,對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視,近年來廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(ECM),電容式微機電麥克風采用硅半導體材料制作,這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路,實現(xiàn)模擬或數(shù)字微機電麥克風元件,以及制造微型化元件,非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風的設計與制造進行介紹,并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風的差異。 電容式微麥克風原理
- 關(guān)鍵字: CMOS
基于電荷泵改進型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能,低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導通電阻,可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法,可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應,比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容,脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出,在每個開關(guān)周期其充放電過
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開關(guān)
14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競爭暗潮洶涌
- 雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場的龍頭大廠,但為牽就蘋果(Apple)這個大客戶,內(nèi)部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產(chǎn)能擴充彈性優(yōu)勢,硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍圖。 反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后,即便蘋果仍可喂飽臺積電先進制程產(chǎn)能,但臺積電客戶結(jié)構(gòu)從以IC設計公司為主,變成以系統(tǒng)廠獨霸半遍天,加上主要競爭對手也開始爭取到重要
- 關(guān)鍵字: FinFET 晶圓
如何挑選一個高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個信號處理鏈路的設計影響巨大。系統(tǒng)設計師在考慮ADC對基帶影響的同時,還必須考慮對射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間,評價和選擇的責任常常落在系統(tǒng)設計師身上,而系統(tǒng)設計師并不都是ADC專家。 還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時才能知道所有系統(tǒng)級結(jié)果,而此時已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號電平時的失真度。大多數(shù)無線傳輸?shù)竭_ADC的信號
- 關(guān)鍵字: ADC CMOS
cmos finfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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