cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

cmos和ccd的區(qū)別

　　導(dǎo)讀：大家在買(mǎi)相機(jī)的時(shí)候，一般都會(huì)看到有COMS鏡頭和CCD鏡頭，這倆鏡頭有什么區(qū)別嗎?他們各有的特點(diǎn)是什么?先讓我們看看他們的自我介紹。 cmos和ccd的區(qū)別——CCD簡(jiǎn)介　　CCD的英文全稱(chēng)是“Charge-coupledDevice”，中文全稱(chēng)是電行耦合元件，通常稱(chēng)為CCD圖像傳感器。CCD是一種半導(dǎo)體器件，能夠把光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)，CCD上植入的微小光敏物質(zhì)稱(chēng)作像素(Pixel)，一塊CCO上包含的像素?cái)?shù)越多，其提供的畫(huà)面分辨
關(guān)鍵字： cmos ccd cmos和ccd的區(qū)別

基于ATmega32和ATmega64的經(jīng)典設(shè)計(jì)匯總

　　ATmega32和ATmega64是基于增強(qiáng)的AVR RISC結(jié)構(gòu)的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間，ATmega64 的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1 MIPS/MHz，從而可以緩減系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。本文介紹基于ATmega32和ATmega64的經(jīng)典設(shè)計(jì)方案，供大家參考。　　基于ATmega32的漏電保護(hù)器智能化測(cè)試儀的設(shè)計(jì) 　　本文介紹的測(cè)試儀操作簡(jiǎn)單，解決了手動(dòng)測(cè)試方法存在的測(cè)量不準(zhǔn)確的問(wèn)題，達(dá)到了自動(dòng)測(cè)量的目的，可檢測(cè)在線與非在線運(yùn)行的漏電保護(hù)器
關(guān)鍵字： AVR CMOS

16個(gè)基于ATmega16的經(jīng)典設(shè)計(jì)，包括電動(dòng)車(chē)、溫控系統(tǒng)、電子稱(chēng)等

　　ATmega16是基于增強(qiáng)的AVR RISC結(jié)構(gòu)的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間，ATmega16 的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1 MIPS/MHz，從而可以減緩系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。本文將基于ATmega16的經(jīng)典設(shè)計(jì)方案匯總，供大家參考。　　采用ATMEGA16單片機(jī)設(shè)計(jì)的兩輪自平衡電動(dòng)車(chē) 　　本文采用AVR Atmega16芯片作為主控制芯片，設(shè)計(jì)制作了兩輪的自平衡電動(dòng)車(chē)。文中分析了測(cè)量角度和角速度傳感器的選擇，利用PID控制算法控制自平衡車(chē)的平衡
關(guān)鍵字： CMOS PWM

汽車(chē)應(yīng)用提升CMOS影像傳感器市場(chǎng)成長(zhǎng)潛力

　　根據(jù)市調(diào)公司Yole Developpement表示，隨著CMOS影像感測(cè)器在汽車(chē)應(yīng)用的快速攀升，提高了對(duì)于從智慧型手機(jī)崛起轉(zhuǎn)型而來(lái)的市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)期。從2014年至 2020年，全球 CMOS 影像感測(cè)器市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以10.6%的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)，在2020年時(shí)達(dá)到162億美元的市場(chǎng)規(guī)模。　　　　2013～2014年全球CMOS影像感測(cè)器生態(tài)系統(tǒng)經(jīng)營(yíng)模式變化(來(lái)源：Yole Developpement) 　　這表示該市場(chǎng)在2014年約有88.5億的市場(chǎng)價(jià)值，并且
關(guān)鍵字： CMOS 傳感器

無(wú)線光通訊應(yīng)用逐漸展露

　　光學(xué)在半導(dǎo)體、電子、資通訊產(chǎn)業(yè)的運(yùn)用相當(dāng)廣泛，例如光電半導(dǎo)體的LED可做為燈號(hào)、照明;光電半導(dǎo)體的CCD、CMOS影像感測(cè)器可做數(shù)位相機(jī)、數(shù)位監(jiān)控，光機(jī)電微系統(tǒng)的DMD可做投影機(jī);光電晶體、耦合器用于自動(dòng)控制等。　　　　或者是光儲(chǔ)存，如BD藍(lán)光光碟片;或者是光通訊，如FTTH光纖到府寬頻，而光通訊實(shí)際上又分成有線與無(wú)線，有線如光纖到府，即xPON的各種被動(dòng)式光學(xué)網(wǎng)路;或者是大企業(yè)的資訊機(jī)房、資料中心內(nèi)所用的儲(chǔ)存區(qū)域網(wǎng)路SAN;消費(fèi)性電子領(lǐng)域，如過(guò)去Sony MD用的光學(xué)S/
關(guān)鍵字：光通訊 CCD CMOS

CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理與要求

　　ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，分析了該結(jié)構(gòu)對(duì)版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。　　1 引言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的
關(guān)鍵字： ESD CMOS

基于CPLD技術(shù)的CMOS圖像傳感器高速采集系統(tǒng)

　　在當(dāng)前圖像傳感器市場(chǎng)，CMOS傳感器以其低廉的價(jià)格得到越來(lái)越多消費(fèi)者的青睞。在目前的應(yīng)用中，多數(shù)采用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取，但是這樣無(wú)疑會(huì)浪費(fèi)指令周期，并且對(duì)于高速器件，采用軟件讀取在程序設(shè)計(jì)上、在時(shí)間配合上有一定的難度。因此，為了采集數(shù)據(jù)量大的圖像信號(hào)，本文設(shè)計(jì)一個(gè)以CPLD為核心的圖像采集系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)OV7110CMOS圖像傳感器的高速讀取，其讀取速率可達(dá)8 Mb/s。　　1、硬件電路方案　　圖1為基于CPLD的OV7110CMOS圖像傳感器的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)原理框圖，他主要由2個(gè)部分組成：
關(guān)鍵字： CPLD CMOS OV7110

ARM9平臺(tái)下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

　　引言　　但是，目前市場(chǎng)上的大部分基于CMOS圖像傳感器的圖像采集系統(tǒng)都是采用DSP與圖像傳感器相連，由DSP來(lái)控制圖像傳感器，然后由DSP采集到圖像后再通過(guò)USB接口將圖像數(shù)據(jù)傳輸?shù)絇C機(jī)進(jìn)行后續(xù)的處理。這樣的圖像采集系統(tǒng)成本較高，功耗大，而且體積上也有一定的限制，并不適合一些簡(jiǎn)單的應(yīng)用。　　本文設(shè)計(jì)了一種基于S3C2410的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。該系統(tǒng)成本更為低廉、結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)更為新穎。　　1 CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)性能及工作原理　　該系統(tǒng)選用OmniVision公司
關(guān)鍵字： ARM9 CMOS

一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)

　　金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件，CMOS則應(yīng)用于較低影像品質(zhì)的產(chǎn)品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優(yōu)點(diǎn)，所以在過(guò)去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場(chǎng)。與之相反，CMOS圖像傳感器過(guò)去存在著像素大，信噪比小，分辨率低這些缺點(diǎn)，一直無(wú)法和CCD技術(shù)抗衡。但
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

基于CMOS圖像傳感器的計(jì)花器設(shè)計(jì)

　　0 前言　　織物上的疵點(diǎn)主要是由纖維上的花結(jié)引起的，計(jì)花器是紡織業(yè)中的一種常用設(shè)備，主要用于統(tǒng)計(jì)(或清除)紡錠上的花結(jié)，是確定纖維質(zhì)量等級(jí)的主要依據(jù)。目前國(guó)產(chǎn)計(jì)花器主要有電容式和光電式兩種，精度較低，對(duì)高支纖維的處理較困難。本文提出利用CMOS圖像傳感器，進(jìn)行纖維花結(jié)的感知，其精度可達(dá)0.02mm，完全可以滿(mǎn)足當(dāng)前高支纖維的生產(chǎn)需要。　　1 ME1010簡(jiǎn)介　　ME1010是一個(gè)使用方便的綜合圖像傳感器，由Microne公司采用專(zhuān)利結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)，旨在使其更便于與計(jì)算機(jī)產(chǎn)品構(gòu)成一個(gè)整體。不同于傳
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ME1010

基于USB傳輸及CMOS圖像傳感器的指紋識(shí)別儀的實(shí)現(xiàn)

　　引言　　CMOS圖像傳感器是近年來(lái)得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿(mǎn)足了對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進(jìn)步和完善，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時(shí)作為一種PC機(jī)與外圍設(shè)備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點(diǎn)：連接簡(jiǎn)便，可熱插拔，無(wú)需定位及運(yùn)行安裝程序
關(guān)鍵字： USB CMOS

聯(lián)電14納米下季試產(chǎn)

　　聯(lián)電積極擴(kuò)充28奈米產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年中月產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片，28奈米毛利率將達(dá)平均水準(zhǔn)。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)第2季進(jìn)行第2代14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶(hù)產(chǎn)品陸續(xù)完成設(shè)計(jì)定案(tape out)，明年將開(kāi)始拉升產(chǎn)能進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶(hù)晶片進(jìn)入量產(chǎn)，并有逾10家客戶(hù)完成設(shè)計(jì)定案并展開(kāi)試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營(yíng)收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴(kuò)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電三星 FinFET

安森美半導(dǎo)體推出新一代1,300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，具有領(lǐng)先業(yè)界的靈敏度

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出新一代1,300萬(wàn)像素(MP)圖像傳感器AR1335，擴(kuò)充其寬廣的圖像產(chǎn)品系列?；谙冗M(jìn)的1.1微米(μm)像素技術(shù)，AR1335確立了靈敏度新基準(zhǔn)，量子效率 (QE) 和線性電位井容量也得以顯著提升。這圖像傳感器專(zhuān)為智能手機(jī)相機(jī)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，帶來(lái)近乎數(shù)碼相機(jī)的成像優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)，同時(shí)也針對(duì)移動(dòng)設(shè)備優(yōu)化了功耗和占板空間。　　安森美半導(dǎo)體為高性能智能手機(jī)傳感器開(kāi)發(fā)了創(chuàng)新的 1.1 μm像素技術(shù)，先進(jìn)的像素和顏色濾波陣列 (CF
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 傳感器

物聯(lián)網(wǎng)落地促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎第二春

　　剛剛過(guò)去的2014年，加速了全球物聯(lián)網(wǎng)的落地和普及，通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行連接已漸成主流。未來(lái)5年，全球?qū)⒂谐^(guò)500億個(gè)終端相互連接，進(jìn)入一個(gè)全新的互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。　　然而，在一直被視為“高資本行業(yè)”的整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)，射頻前端芯片作為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)連接的關(guān)鍵部分，卻仍舊面臨著一些挑戰(zhàn)，技術(shù)良莠不齊的產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸亟待解決。　　 ? 　　RFaxis市場(chǎng)與應(yīng)用工程副總裁錢(qián)永喜　　據(jù)了解，目前射頻器件的主流制造材料是砷化鎵，射頻元件的成本較高，眾多廠商都希望尋找更高性?xún)r(jià)
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) 射頻 CMOS

GaAs過(guò)時(shí)了 CMOS工藝將主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代

　　“硅是上帝送給人類(lèi)的禮物，整個(gè)芯片業(yè)幾乎都拿到了這份禮物，無(wú)線通信領(lǐng)域應(yīng)該盡快得到它。”RFaxis公司市場(chǎng)與應(yīng)用工程副總裁錢(qián)永喜日前在接受媒體采訪時(shí)如是說(shuō)。他認(rèn)為傳統(tǒng)采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時(shí)代“該結(jié)束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來(lái)十年內(nèi)主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。　　業(yè)界對(duì)CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒(méi)有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購(gòu)CMOS PA供應(yīng)商Black S
關(guān)鍵字： CMOS GaAs ZigBee