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基于ARM和以太網(wǎng)供電的網(wǎng)絡(luò)攝像機設(shè)計

  • 　　1 系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) 　　整個系統(tǒng)由AT91RM9200處理器、CMOS傳感器、音頻采集系統(tǒng)、以太網(wǎng)供電系統(tǒng)和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)通信等幾部分組成。首先，通過CMOS傳感器鏡頭采集圖像，同時還可以進行音頻采集，經(jīng)過AT91RM9200處理器處理，整個過程通過網(wǎng)絡(luò)進行數(shù)據(jù)傳輸，通過網(wǎng)絡(luò)進行供電，從而實現(xiàn)以太網(wǎng)供電的網(wǎng)絡(luò)攝像機系統(tǒng)功能。 　　2 系統(tǒng)的硬件設(shè)計 　　2.1 AT91RM9200相關(guān)設(shè)計 　　AT91RM9200嵌入ARM920T ARM Thumb處理器核，工作于180 MHz時，性能高達(dá)200
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淺談設(shè)計PCB時抗ESD的方法

  • 　　來自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對于精密的半導(dǎo)體芯片會造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對電子設(shè)備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進行防范。 　　在PCB板的設(shè)計當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計。在設(shè)計過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整PCB布局布線,能夠很好
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基于CMOS圖像傳感器的指紋識別設(shè)計

  • 　　引　言 　　CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿足了對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價格低廉等諸多優(yōu)點。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進步和完善，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時作為一種PC機與外圍設(shè)備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點： 連接簡便，可熱插拔，無需定位及運行安裝
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十個電荷泵的設(shè)計方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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一種0.1-1.2GHz的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計

  • 　　設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。 　　目前，全球無線通信系統(tǒng)正處于快速發(fā)展進程中，無線通信“行業(yè)專網(wǎng)”系統(tǒng)也正處于飛速發(fā)展的黃金時期。我國無線通信行業(yè)專網(wǎng)所用頻點和帶寬種類繁多，其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網(wǎng)使用不同的頻點、射頻帶寬和信號帶寬，標(biāo)
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東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級精確度

  • 　　東京—東芝公司今天宣布，該公司已開發(fā)出一款采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)制造的原型參考時鐘振蕩器，該振蕩器達(dá)到了全球最高等級精確度。這款新設(shè)備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器，將為電子設(shè)備的微型化提供支持。 　　東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術(shù)。 　　近年來，對于作為電子產(chǎn)品復(fù)雜功能來源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴及振蕩器，激發(fā)了對超小型振蕩器的興趣。
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應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進離子注入系統(tǒng)

  • 　　應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備，該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。 　　VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實現(xiàn)制程的可重復(fù)性，優(yōu)化器件性
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整體16/14納米FinFET設(shè)備訂單恐延一季

  • 　　Needham & Co.半導(dǎo)體設(shè)備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析，認(rèn)為相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)訂單卻將遞延一季。 　　barron`s.com報導(dǎo)，Mok發(fā)表研究報告指出，據(jù)了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產(chǎn)能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設(shè)備，這似乎支持了近來傳出的高通(Qualco
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英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開關(guān)

  • 　　英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調(diào)諧專用開關(guān)。新款天線調(diào)諧開關(guān)(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。BGS1xGN10系列開關(guān)采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外，該系列進一步降低電流消耗，延長此類設(shè)備的待機和工作時間?！　〔捎糜w凌射頻CMOS開關(guān)技術(shù)的天線調(diào)諧專用開關(guān)有利于開
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英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實現(xiàn)最快增速

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段，射頻開關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長?！　‰S著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多，其射頻前端部件設(shè)計日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外，天線開關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線開關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
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RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

  • 　　專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！　FX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎(chǔ)設(shè)施市場的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場上
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應(yīng)用材料公司突破導(dǎo)線技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸

  • 　　應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學(xué)氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨特的鈷金屬后，一舉突破導(dǎo)線技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸，讓“摩爾定律”持續(xù)向下進展到20納米。此外，應(yīng)材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶降低成本，更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。 　　在強大技術(shù)創(chuàng)新突破的支持下，應(yīng)用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應(yīng)用材料公司臺灣區(qū)總裁余定陸表示，拜半導(dǎo)體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應(yīng)用材料公司不
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德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

  • 　　在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會超過200℃，高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。 　　傳統(tǒng)的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續(xù)冷卻，但是很難實現(xiàn)。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達(dá)1微米)。 　　IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
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研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動設(shè)備性能

  • 當(dāng)平面工藝已經(jīng)無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構(gòu)是業(yè)界首先能想到的提升方式。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  納米  
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