首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

FinFET新技術對半導體制造產業(yè)的影響

  • 　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計，變革了傳統(tǒng)晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。 　　FinFET這樣創(chuàng)新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
  • 關鍵字： FinFET  半導體制造  

FinFET引爆投資熱　半導體業(yè)啟動新一輪競賽

  • 　　半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產應用處理器的技術，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 　　過去數(shù)10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 　　然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
  • 關鍵字： 半導體  FinFET  

ASM高級技術產品經理Mohith Verghese談CMOS面臨的關鍵挑戰(zhàn)

  • 　　高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應用于先進互補式金氧半導體(CMOS) 技術的關鍵挑戰(zhàn)是什么? 　　高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術的引進是用來解決標準SiO2/SiON 閘極介電質縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
  • 關鍵字： ASM  CMOS  

專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)

  • 　　日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業(yè)部高級副總裁兼總經理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 　　SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內的挑戰(zhàn)是什么? 　　Kengeri ：眼下，我們正在談論的28nm到2
  • 關鍵字： FinFET  3D  

爭搶1xnm代工商機 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，并各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。 　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術，并已將開戰(zhàn)時刻設定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
  • 關鍵字： FinFET  晶圓  

東芝推出移動設備用的CMOS-LDO

  • 東芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已經擴充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產品專為移動 ...
  • 關鍵字： 移動設備  CMOS-LDO  

高電壓CMOS放大器利用單個IC實現(xiàn)高阻抗檢測

  • 電壓的準確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網絡以把負載效應保持在不顯眼的水平，即使這會引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
  • 關鍵字： 凌力爾特  LTC6090  CMOS  放大器  電阻器  

臺灣第3季IC封測產值季增4.5％

  • 　　臺灣第3季IC封測產業(yè)產值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺灣半導體封裝測試產業(yè)趨勢，IEK ITIS計劃預估，第3季臺灣封裝及測試業(yè)產值分別可達新臺幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。 　　IEK ITIS計劃指出，展望第3季，高階智慧型手機市場反應趨弱，封測廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產品需求可能趨緩，汰舊換新動能略有轉弱，整體電子業(yè)庫存調整時間可能拉長。 　　展望今年全年IC封裝測試產業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計劃指出，雖然高階
  • 關鍵字： IC封測  CMOS  

英盛德：FinFET技術日趨盛行 利益前景可觀

  • 　　英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領先的系統(tǒng)到芯片集成電路設計咨詢公司之一的英盛德認為，F(xiàn)inFET技術使用的日趨盛行將為集成電路設計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業(yè)領域的最知名企業(yè)&md
  • 關鍵字： 集成電路設計  FinFET  

英盛德：FinFET技術日盛 前景可觀

  • 　　根據(jù)美國商業(yè)資訊報導，世界領先的系統(tǒng)到晶片積體電路設計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認為，F(xiàn)inFET技術使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產業(yè)領域的最知名企業(yè)&mdash
  • 關鍵字： Sondrel  FinFET  

CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

  • 　　CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術的研究成果。進入20世紀90年代，關于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學和瑞典Linkoping大學的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進實驗室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。 　　當前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機構很多，其中
  • 關鍵字： CMOS  圖像傳感器  

晶圓廠的FinFET混搭制程競賽

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線制程的方式達 成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入 FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
  • 關鍵字： 晶圓  FinFET  

CMOS面陣圖像傳感器之高動態(tài)光照渲染技術

  • 高動態(tài)范圍(HDR)高動態(tài)范圍(HDR)成像的一個特色，是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對比度的圖像。通過擴展動態(tài)范圍，它有助于使此類圖像看起來更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發(fā)了HDR功能，可以糾正對比度高
  • 關鍵字： 渲染  技術  光照  動態(tài)  圖像  傳感器  CMOS  

縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米后段金屬導線制程的方式達成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
  • 關鍵字： 晶圓  FinFET  

Avago于28nm CMOS工藝達成32Gbps的SerDes性能

  • Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)為有線、無線和工業(yè)應用模擬接口零組件領先供應商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已經達到32Gbps的性能，并且可以承受高達40dB的通道損耗，這個最新的SerDes核心不僅僅重新定義了芯片到芯片、連接端口和背板等接口可達到的數(shù)據(jù)率，并且反映了Avago為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應用提供領先解決方案的持續(xù)承諾。
  • 關鍵字： Avago  CMOS  SerDes  
共1073條 34/72 |‹ « 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 » ›|

cmos finfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473