首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

  • 臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節(jié)點，而且可能會在2015年下半年量產。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數(shù)。
  • 關鍵字： 臺積電  FinFET   

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計（二）

  • 3 仿真分析及具體設計結果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結構的設計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結構。其原理如下：主要利用結構中的RC延遲作用，一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間，而
  • 關鍵字： VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計

  • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務之一，其ESD結構與工藝技術、特征尺寸密切相關，隨著IC工藝技術的進一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
  • 關鍵字： VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設計及其成像驗證

  • 摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個重要的研究和設計方向，設計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標準CMOS工藝進行
  • 關鍵字： ADC  設計  及其  驗證  流水線  傳感器  噪聲  CMOS  圖像  用于  

數(shù)碼相機的CMOS傳感器知識介紹

  • 標簽：數(shù)碼相機 CMOS數(shù)碼相機的另一個靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號為EOS D30的專業(yè)級數(shù)碼相機后，人們對CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因為，CMOS影像傳感器過去有著信噪比小、分辨率
  • 關鍵字： 介紹  知識  傳感器  CMOS  數(shù)碼相機  

CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術指標

  • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個主要類別，都有各自的應用領域。但近年來，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評價一款圖像傳感器性能的技術指標有哪些？下面來為大家詳細說明。CCD和CMOS圖
  • 關鍵字： 性能  技術指標  傳感器  圖像  CMOS  CCD  

淺析CMOS與CCD在內部結構與原理的差異

  • 標簽：CMOS CCD無論任何產品，品質的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關鍵跟產品結構和工作原理又有著較大的關系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎上發(fā)展起來的，其基本結構是MOS(金屬m
  • 關鍵字： 原理  差異  結構  內部  CMOS  CCD  淺析  

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設計

  • 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術，設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬，結果表明，鋸齒波
  • 關鍵字： CMOS  1.0  工藝  鋸齒波    

采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設計

  • O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進一次新的制造技術會導致漏電流
  • 關鍵字： CMOS  單相  乘法器  能量回收  

CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應用

  • 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術進行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
  • 關鍵字： CMOS  數(shù)字隔離器  智能電表  中的應用    

基于CMOS電路的IDDQ測試電路設計

  • 引言　　測試CMOS電路的方法有很多種，測試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應測試，即通常所說的功能測試。功能測試可診斷出邏輯錯誤，但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
  • 關鍵字： CMOS  IDDQ  電路  測試    

小型CMOS電壓調整器IC- XC6420

  • XC6420系列是實現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調整器IC。把2個...
  • 關鍵字： CMOS  電壓  調整器IC  

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國TI公司生產的新型模數(shù)轉換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結構及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
  • 關鍵字： CMOS  5510  TLC  工藝    

CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉換后，以電荷的方
  • 關鍵字： 對比  分析  特性  傳感器  CCD  圖像  CMOS  

CMOS圖像傳感器再見增長

  • 10年以前拍照手機盛行，加上便攜筆記本電腦和個人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機，促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長，2006年登頂，達45億美元。但隨后產品市場走向成熟，制造商激增，圖像傳感器特別是用于拍照手機的產品供過于求而陷入困境，增速不穩(wěn)，起伏不定，直至2011年才重新走上增長的道路。
  • 關鍵字： 傳感器  CMOS  201207  
共1073條 41/72 |‹ « 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 » ›|

cmos finfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473